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[发明专利]光导开关器件-CN202011364521.7有效
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;韩婷婷;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明适用于半导体光导开关器件技术领域，提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述欧姆接触区上设置的金属电极；在除所述金属电极之外的区域设置的钝化层。通过在衬底上设置多个并行通道实现电流分流，从而降低单个电流丝的电流密度，提升光导开关器件的总功率，提高开关寿命；通过设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，使光导开关在反向偏置条件下可以降低暗电流，减小功率损耗，同时避免重掺杂欧姆接触区的载流子向并行通道区注入引起的自击穿，从而提高器件耐压特性。
开关器件

[发明专利]用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法-CN202110161020.7有效
发明人：吕元杰;宋旭波;徐森锋;王元刚;付兴昌;梁士雄;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底的正面沉积外延层；在衬底的背面沉积牺牲层；选择性腐蚀牺牲层，使牺牲层在衬底的背面形成多个相互独立的柱状体；继续选择性刻蚀衬底，使柱状体延伸至外延层的背面；在外延层的背面以及柱状体的端面沉积金刚石；去除柱状体端面的金刚石层及柱状的牺牲层；去除柱状的原衬底，形成多孔金刚石衬底。本发明提供的制备方法，制备的多孔金刚石衬底用于太赫兹肖特基二极管，可以减少寄生电容，提高截止频率；同时可以增强散热能力、提高肖特基二极管的倍频效率；多孔结构有助于释放晶圆应力，改善翘曲，降低芯片制造难度。
用于赫兹肖特基二极管多孔金刚石衬底制备方法

[发明专利]一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法-CN202211213382.7在审
发明人：刘庆彬;蔚翠;郭建超;马孟宇;何泽召;周闯杰;高学栋;余浩;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
一种剥离外延金刚石 gan 材料方法

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201910967615.4有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄;卜爱民;许春良 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；制备第一阳极金属层；将所述再生长掩膜层、所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层和所述再生长掩膜层上方的所述第一阳极金属层去除，形成凹槽结构；淀积绝缘介质层；将第一区域的绝缘介质层去除，保留第二区域的绝缘介质层，其中，所述第一区域位于所述第一阳极金属层所对应的区域范围内，所述第二区域包括所述凹槽结构所对应的区域。上述方法可以将阳极金属和凹槽完全对齐且可精准控制凹槽深度。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201910967981.X有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；其中，所述再生长掩膜层的厚度与所述第二n型氧化镓层的厚度满足预设条件；通过湿法腐蚀将所述再生长掩膜层和所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层去除，形成凹槽结构；在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；将与所述凹槽结构对应区域以外的绝缘介质层去除；生长阳极和阴极。上述方法可以避免制备凹槽终端结构时的刻蚀损伤，可精准控制凹槽深度。
肖特基二极管制备方法

[实用新型]一种气压焖烧壶-CN202221694716.2有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型属于壶技术领域，特指一种气压焖烧壶，包括壶身以及密封设置于壶身上的壶盖，壶盖的底部开设有排气孔，壶盖内设置有控制排气孔开合的密封装置，密封装置包括密封杆，密封杆的下端成型有密封部，密封部与排气孔相适配，密封杆的上端设置有驱动件，驱动件位于壶盖上表面，按压驱动件可带动密封杆移动，密封装置还包括复位弹簧，复位弹簧与密封杆直接连接或间接连接，常规状态时，密封部堵住排气孔，将壶身内的气体与外部隔绝，当焖烧壶需要泄气开盖时，仅需通过按压驱动件带动密封杆移动即可，壶身内部与外部气体连通，此时，壶身内部气体与外部处于平衡状态，壶盖不会被大气压所压住，壶盖可以轻松打开。
一种气压焖烧壶

[外观设计]杯盖-CN202230602955.X有效
发明人： 冯志红 -专利权人：武义琪妮娅日用品有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯盖。2.本外观设计产品的用途：用于杯盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
杯盖

[发明专利]一种提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法-CN202011035888.4有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石色心制备技术领域，具体公开一种提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法。所述提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法，包括如下工艺步骤：a、取长方体金刚石，使用2‑10MeV电子束对其进行辐照；b、将经过所述辐照后的所述金刚石在1‑5‑10‑5mbar、850‑1000℃下退火；c、去除完成所述退火后的所述金刚石表面的氧化层和杂质，在所述金刚石相对的两个侧面分别连接光纤，剩余的四个面镀上全反射镀层。本发明提供的提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法可以使单晶金刚石色心腔体达到类似光纤腔体的高效率荧光反射与收集的效果，显著增加金刚石NV色心的荧光收集效率。
一种提高金刚石 nv 色心荧光收集效率方法

[发明专利]可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件-CN202011084999.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
偏置混频肖特基二极管结构半导体器件

[发明专利]基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法-CN202011403209.4有效
发明人：郭诚;舒敏杰;张安学;宋旭波;梁士雄;顾国栋;张立森;吕元杰;冯志红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，基于片上功率合成方案的二倍频器结构包括矩形波导输入端口、肖特基二极管倍频电路和矩形波导输出端口，所述的肖特基二极管倍频电路包括GaAs基片和位于该基片上成对的输入微带探针、肖特基二极管、带通滤波器、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路；输入信号在矩形波导输入端口处利用金属脊和波导‑微带探针过渡实现了空间功率分配，倍频信号在矩形波导输出端口处利用微带探针‑波导过渡实现了空间功率合成，从而极大减小了结构的电长度，进而实现了结构紧凑和低损耗性能，为所设计的太赫兹二倍频器提供了额外增益，此外也具有更容易装配和散热特性更好的优点。
基于功率合成赫兹倍频器方法

[发明专利]增强型GaN场效应晶体管及其制造方法-CN201910718621.6有效
发明人：郭艳敏;房玉龙;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;王元刚;冯志红;卜爱民;许春良 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏电极与栅电极之间设有钝化层；其中，复合盖帽层包括多层盖帽层，且多层盖帽层中至少一层盖帽层是p型盖帽层；源电极和漏电极分列于沟道层上，栅电极位于p型盖帽层上。本发明无需对源栅间以及栅漏间的区域盖帽层刻蚀，一方面能够避免刻蚀损伤对势垒层的影响，提高器件性能；另一方面能够大大缩小刻蚀面积，降低工艺成本。
增强 gan 场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]金刚石色心微波激射器及其制备方法-CN202210974923.1在审
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;郭建超;刘庆彬;马孟宇;何泽召;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了金刚石色心微波激射器及其制备方法，该金刚石色心微波激射器包括：铜腔体；蓝宝石谐振体，蓝宝石谐振体位于铜腔体中部；金刚石色心，金刚石色心位于蓝宝石谐振体中部；粗光纤，粗光纤的第一端与金刚石色心连接，粗光纤的第二端用于与激光器连接；第一磁通量聚集器和第二磁通量聚集器；第一铜线圈和第二铜线圈；第一磁通量聚集器的第一端与第一铜线圈连接，第一磁通量聚集器的第二端与金刚石色心下表面连接，第二磁通量聚集器的第一端与第二铜线圈连接，第二磁通量聚集器的第二端与金刚石色心上表面连接。本申请减小了激射器的体积、质量和功耗，解决了传统的激射器偏执强磁场施加困难的难题。
金刚石色心微波激射器及其制备方法

[发明专利]太赫兹二极管电路装配板及其制备方法-CN202010484913.0有效
发明人：宋旭波;梁士雄;吕元杰;张立森;冯志红;顾国栋;郭红雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
赫兹二极管电路装配及其制备方法

[发明专利]紫外光电二极管及其制备方法-CN202010711551.4有效
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种紫外光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和台面结构，并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极，形成第一样品；将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并刻蚀，在台面结构表面区域形成石墨烯透明电极；在形成石墨烯透明电极后的第一样品表面上生长第一介质层并刻蚀，形成石墨烯保护层；刻蚀石墨烯透明电极上的第一介质层，获得上电极对应区域，并在石墨烯透明电极上的上电极对应区域制备上电极，获得紫外光电二极管。本发明通过石墨烯透明电极，有利于拓展整个光子探测有源区下方的电场分布，进而大幅度提高紫外光电二极管的探测效率。
紫外光电二极管及其制备方法

[发明专利]柔性晶体管的制备方法-CN201910841413.5有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h‑BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h‑BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样品上旋涂柔性衬底溶液并经过干燥处理，获得在所述晶体管样品上形成的柔性膜；将所述晶体管样品与所述柔性膜从所述预设衬底上剥离，获得柔性晶体管。本发明中的柔性晶体管的制备方法，避免了直接在柔性衬底上制备晶体管具有对准偏差且性能退化的问题，同时采用柔性膜包覆晶体管样品，解决了柔性晶体管在弯折过程中电极易脱落的问题。
柔性晶体管制备方法