专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]横向光电探测器-CN202210055383.7在审
  • 周幸叶;吕元杰;王元刚;梁士雄;冯志红 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2022-01-18 - 2022-05-17 - H01L31/0352
  • 本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括:衬底;第一外延层,形成于衬底上;X个阳极区和Y个阴极区,X个阳极区和Y个阴极区交替排列,均形成于第一外延层上;其中,X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触,每两个相邻的阳极区和阴极区通过第一外延层形成横向PIN结;X个第一电极,一一对应形成于X个阳极区上,X个第一电极通过第一金属带线电连接;Y个第二电极,一一对应形成于Y个阴极区上,Y个第二电极通过第二金属带线电连接。本发明能够提高光电探测器的工作性能。
  • 横向光电探测器
  • [实用新型]一种磁力电动搅拌杯底座及其磁力搅拌杯-CN202122431923.0有效
  • 冯志红 - 武义琪妮娅日用品有限公司
  • 2021-10-10 - 2022-05-17 - A47J43/27
  • 本实用新型属于生活用品技术领域,具体涉及一种搅拌装置。一种磁力电动搅拌杯底座,包括设置有电池、启动开关的底座,底座包括上安装座和下安装座,上安装座和下安装座之间设有驱动马达,驱动马达上安设有不同磁极构成的磁力件,所述上安装座上端开设有限位槽,限位槽上方安设有固定盖,磁力件位于固定盖和限位槽之间转动设置。限位槽的设置可以限制住磁力件的旋转行程;限位槽加上固定盖配合使用,从而形成转动空间,当磁力件在高速转动时,磁力件不会因转动过度脱出,给磁力件提供了一个稳定的转动环境,并且在限位槽底部开设有与磁力件形状大小相适配的限位口,不仅安装方便,其形状而且还能防止意外从限位口中脱离。
  • 一种磁力电动搅拌底座及其
  • [实用新型]超声检测室内具有舒缓及放松功能的工作座椅-CN202123334138.X有效
  • 冯志红;秦昌臻;刘秀华;王金霞 - 冯志红
  • 2021-12-28 - 2022-05-03 - A47C1/00
  • 本实用新型提供超声检测室内具有舒缓及放松功能的工作座椅,涉及工作座椅技术领域,解决了在工作在使用时,在人们在工作过程中尝尝会因为不良的坐姿低头等不良习惯造成各种疾病,无法确保使用者在使用过程中保持良好的坐姿的问题。超声检测室内具有舒缓及放松功能的工作座椅,包括:座椅本体;所述座椅本体包括有:靠背,靠背安装设置于座椅本体一端,靠背内部开设有安装空间,且靠背的安装空间内部安装设置有按摩板;安装板,安装板固定设置于座椅本体底部;安装板顶部呈对对称状安装设置有两组扶架;扶架顶部旋转设置有检测架;通过检测架的设置,检测架会对使用者做出限制,防止因长时间不良的坐姿造成损害,更加利于使用者放松。
  • 超声检测室内具有舒缓放松功能工作座椅
  • [发明专利]纳米栅及纳米栅器件的制备方法-CN201910696974.0有效
  • 何泽召;蔚翠;刘庆彬;高学栋;郭建超;周闯杰;冯志红 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2019-07-30 - 2022-04-01 - H01L21/28
  • 本发明适用于半导体器件技术领域,提供了一种纳米栅的制备方法,包括:根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形,对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀,去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶,获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构;在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层,并在金属层的表面生长第二介质层;对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀;在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层,并对第三介质层表面进行抛光,使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属,获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅,可以精确控制纳米栅的尺寸,降低纳米栅的制作难度。
  • 纳米器件制备方法
  • [发明专利]石墨烯介质层异质结构的制作方法-CN201910749342.6有效
  • 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2019-08-14 - 2022-03-29 - H01L21/02
  • 本发明适用于石墨烯材料技术领域,提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法,包括:获取多块石墨烯介质层薄膜,并将多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗;通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在预设衬底上,得到石墨烯介质层异质结构样品;晾干石墨烯介质层异质结构样品;采用获得石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜,直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。本发明通过预设衬底在去离子水中旋转的方式获得预设层数的石墨烯介质层异质结构,极大的提高了石墨烯介质层异质结构的制作效率,简化了其制作流程。
  • 石墨介质层异质结构制作方法

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