专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二维SiC材料层的制备方法-CN201810904320.8有效
  • 高学栋;冯志红;蔚翠;刘庆彬;何泽召;周闯杰;郭建超 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2018-08-09 - 2020-09-22 - C01B32/984
  • 本发明提供了一种二维SiC材料层的制备方法,属于碳化硅材料制备领域,包括步骤:将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内;向所述反应腔室中通入第一气体;使所述铜箔被加热至预设反应温度,通入第二气体;通入甲烷气体,并在预设反应温度下保温预设时间;停止通入第二气体和甲烷气体,停止加热,再次通入第一气体,并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温;预设反应温度大于1083.4℃,所述第一气体为惰性气体,所述第二气体包括氢气。利用本发明提供的二维SiC材料层的制备方法制备的二维SiC材料,其厚度均匀,二维SiC材料性能均匀稳定,且操作步骤简单,效率高,有利于实现大尺寸二维SiC材料的快速制备。
  • 二维sic材料制备方法
  • [发明专利]GaN电桥式绝压压力传感器及制作方法-CN201810258305.0有效
  • 吕元杰;谭鑫;周幸叶;宋旭波;王元刚;冯志红 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 2018-03-27 - 2020-09-08 - G01L1/16
  • 本发明提供了一种新型GaN电桥式绝压压力传感器及制作方法,涉及半导体压力传感器器件及其制作方法领域,包括SiC衬底材料部、Ga面材料外延部和N面材料外延部,Ga面材料外延部包括缓冲层和势垒层,缓冲层为GaN,势垒层为InxAlyGa1‑x‑yN化合物,N面材料外延部为Inx`Aly`Ga1‑x`‑y`N和GaN`,Ga面材料外延部和N面材料外延部设有衬底薄膜一,衬底薄膜一上为传感器压力敏感电路,传感器压力敏感电路为四个首尾相接的GaN无栅极HEMT器件组成的惠斯顿电桥,SiC衬底材料部背面设有衬底薄膜二,衬底薄膜一和衬底薄膜二键合在一起,形成绝压腔体。该传感器大大提高了压力传感器的灵敏度,实现了高温环境下压力信号的传感。
  • gan电桥压压传感器制作方法
  • [实用新型]一种组合式磁化杯盖-CN201922342261.2有效
  • 冯志红 - 武义琪妮娅日用品有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-09-04 - A47G19/22
  • 本实用新型属于日用器具制造技术领域,具体涉及一种组合式杯盖。一种组合式磁化杯盖,包括槽盖,槽盖内开设有带有磁性件的内凹槽,所述槽盖上套设有外盖组件,外盖组件上凸设有卡环以及与卡环相连的若干个卡合部,所述槽盖外侧开设有与卡环相适配的环槽、与环槽相连的若干个卡槽,所述外盖组件通过卡环和环槽配合形成限位,并通过卡合部卡接在卡槽内与槽盖形成固定。该组合式磁化杯盖,通过简单的机械配合关系卡扣形成杯盖的装配,解决组装不方便,组装后不牢固、稳定性差问题。
  • 一种组合式磁化杯盖

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