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[发明专利]基于(Inx-CN201810900497.0有效
发明人：贾仁需;余建刚;元磊;张弘鹏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法，所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(InxGa1‑x)2O3材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(InxGa1‑x)2O3紫外光吸收层以及叉指电极，其中，所述叉指电极为非对称结构，包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3会发生相的分离，产生两个光学带隙，从而对两个紫外光谱范围产生感应，并且具有自供电特性。
基于 in base sub

[发明专利]高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法-CN201710852545.9有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga2O3外延层；在所述N型Ga2O3外延层中制作源区和漏区；在所述源区与所述漏区的表面制作电极以完成源极与漏极的制备；在所述N型Ga2O3外延层上制作栅极以完成所述晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率自旋场效应晶体管，采用N型Ga2O3材料作为源极、漏极以及沟道材料，极大地提高了自旋注入和接收的效率，从而提高了器件的性能。
电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法-CN201710421218.8有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Mn离子形成源区和漏区；对Ga2O3外延层进行涂胶、显影，在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用等离子体增强化学气相淀积法在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极；通过本发明制备的晶体管，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
mn 掺杂异质结自旋场效应晶体管制备方法

[发明专利]Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法-CN201710421686.5有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Cr离子形成源区和漏区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备；本发明提供的Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及制备方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
cr 掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法-CN201710848515.0有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga2O3外延层；利用离子注入工艺在Ga2O3外延层形成源区和漏区；在源区和漏区分别形成源区欧姆接触电极和漏区欧姆接触电极；利用磁控溅射工艺在Ga2O3外延层表面形成肖特基接触栅电极，最终形成基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管。本发明调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率，提高自旋场效应晶体管器件离子注入效率。
基于 cr 掺杂 sic 衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法-CN201710420544.7有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga2O3外延层；利用离子注入工艺在Ga2O3外延层形成源区和漏区；在源区和漏区分别形成源区欧姆接触电极和漏区欧姆接触电极；在Ga2O3外延层生长氧化层，刻蚀形成栅区；利用磁控溅射工艺在栅区表面形成肖特基接触栅电极，最终形成所述基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管，最终形成所述基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管。本发明源漏区采用选择区域离子注入Fe离子的方式形成，具有与常规工艺兼容，制造简单，表面效应小的优点，同时可提高自旋注入与接收效率。
基于 sic 衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法-CN201710421135.9有效
发明人：贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，其中，制造方法包括：选取衬底材料；利用CVD工艺在衬底表面淀积Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层4次选择性注入Fe离子；其中，注入Fe离子的区域分别形成源区和漏区；未注入Fe离子的区域为Ga2O3沟道区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面淀积SiO2隔离层；在SiO2隔离层表面刻蚀出宽度为1μm的栅区；在栅区制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备。本发明提供的蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
蓝宝石衬底 fe 掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种纵向沟道的SiC结型栅双极型晶体管及其制备方法-CN201611210305.0有效
发明人：宋庆文;刘思成;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种纵向沟道结型栅的碳化硅双极型晶体管及制备方法，主要解决现有技术中碳化硅IGBT器件氧化层带来的界面态问题，而且避免了可能出现的闩锁效应，同时降低了工艺步骤节省了工艺成本。其特点是在P‑漂移区采用纵向沟道JFET器件的沟道结构来代替传统IGBT器件的上部结构，器件沟道区宽度为1～4μm。本发明提供的器件具有制作工艺简单，成本低和器件电流增益高等优点，可用于开关稳压电源、电能转换、汽车电子以及石油钻井设备等应用。
一种纵向沟道 sic 结型栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]基于Ga-CN201611123674.6有效
发明人：元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga
基于 ga2o3 材料复合 nmosfet 及其制备方法

[发明专利]基于Ga-CN201611122956.4有效
发明人：贾仁需;张弘鹏;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga
基于 ga2o3 材料复合 pmosfet 及其制备方法

[发明专利]一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法-CN201611247137.2有效
发明人：元磊;李钊君;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直槽型的发射区台面；器件沟槽设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；器件隔离区设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；隔离区注入层，设置在器件隔离区下表面，且位于N‑集电区内。
一种集成高压碳化硅达林顿管及其制作方法

[发明专利]基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法-CN201611245751.5有效
发明人：元磊;李钊君;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈垂直槽型的发射区台面和器件隔离区；基极P+注入区，设置在所述发射区台面下表面，且位于所述基区内；所述器件沟槽设置在所述N+发射区，且延伸至所述N‑集电区上部；所述器件隔离区设置在所述基区，且延伸至所述N‑集电区上部。
基于有源沟槽结构碳化硅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法-CN201611247096.7有效
发明人：元磊;李钊君;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅达林顿管存在驱动管电流处置能力较小，且制作工艺复杂，导致成本比较高的问题。包括：N+发射区，设置在基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈垂直槽型的器件隔离区和呈垂直槽型的发射区台面；基极P+注入区，设置在发射区台面下表面，且位于基区内；器件沟槽设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；器件隔离区设置在N+发射区，且延伸至N‑集电区上部；隔离区注入层，设置在所述器件隔离区底部上表面。
一种整体碳化硅达林顿管及其制作方法

[发明专利]主芯片与北斗芯片共享内存的结构及系统级封装、PCB板-CN201611006059.7有效
发明人：胡德才;袁涛;朱健;傅文海;向兴富;元磊 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G06F15/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种主芯片与北斗芯片共享内存的结构及系统级封装、PCB板，包括主芯片、北斗芯片和闪存芯片，主芯片上设有闪存控制器，北斗芯片的片选端、闪存控制器的片选端均与仲裁单元的输入端相连，仲裁单元的输出端与闪存芯片相连，数据选择器和数据分配器的控制端均与仲裁单元的第二输出端相连；北斗芯片和闪存控制器的输出端均与数据选择器相连；数据分配器的第一输出端与北斗芯片相连，数据分配器的第二输出端与闪存控制器相连；数据选择器的输出端、数据分配器的输入端均与闪存芯片相连。本发明实现了主芯片与北斗芯片对闪存芯片的共享，封装尺寸小、封装成本和测试成本低；占用PCB板面积小、PCB板制作成本低；工作可靠性和安全性高。
芯片北斗共享内存结构系统封装 pcb

[发明专利]基于Ga₂O₃/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法-CN201611123675.0有效
发明人：元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga₂O₃/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长同质外延层形成集电区；在所述同质外延层表面生长异质外延层并刻蚀形成基区；在所述异质外延层表面生长β‑Ga₂O₃材料并刻蚀形成发射区；在所述集电区表面生长第一金属材料形成集电极；在所述发射区表面生长第二金属材料形成发射极以最终形成所述光电NPN晶体管。本发明的NPN晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力，从而进一步提高SiC基光电晶体管的器件性能以及器件可靠性。
基于 ga2o3 sic 结构光电 npn 晶体管及其制备方法