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[发明专利]多晶硅薄膜及栅极的形成方法-CN200810105307.2有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入沉积室内；向所述沉积室内通入硅烷，在所述衬底上沉积第一多晶硅层；停止向所述沉积室内通入硅烷；向所述沉积室内通入乙硅烷，在所述第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；停止向所述沉积室内通入乙硅烷；取出所述衬底。本发明还公开了相应的栅极形成方法，采用本发明的多晶硅薄膜形成方法形成的多晶硅薄膜，可以兼顾平整度及界面质量两方面要求，由其形成栅极的器件在器件的一致性及栅极漏电流特性等方面也均会有所改善。
多晶薄膜栅极形成方法

[发明专利]氮氧化硅栅极电介质的形成方法-CN200810032608.7无效
发明人： 何永根;郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法，在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构，该方法包括：在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层，该基氮氧化层具有低的N离子浓度；形成主氮氧化物结构，该主氮氧化物结构具有高的N离子浓度；其中，该基氮氧化层防止该主氮氧化物结构中的N离子或者N原子穿透该二氧化硅和硅基材的界面。该方法能在提供高N离子浓度的同时确保SiO₂和Si基材的界面不被穿透破坏。
氧化栅极电介质形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离区及其形成方法-CN200710094496.3无效
发明人： 何永根;刘佑铭 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；形成覆盖所述浅沟槽的侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层执行氮化操作；形成隔离层，所述隔离层覆盖经历所述氮化操作的侧壁氧化层并填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离区。可在形成所述浅沟槽隔离区的过程中减少所述浅沟槽侧壁损伤。一种浅沟槽隔离区，包含形成于半导体基底内的浅沟槽、覆盖所述浅沟槽的侧壁氧化层及覆盖所述侧壁氧化层并填充所述浅沟槽的隔离层；所述侧壁氧化层内具有氮分布。其内的浅沟槽侧壁在形成所述浅沟槽隔离区的过程中不易受损伤。
沟槽隔离及其形成方法

[发明专利]去耦等离子氮化物制程-CN200710172140.7无效
发明人：郭佳衢;何永根;陈旺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种能适用于小尺寸工艺的去耦等离子氮化物(DPN)制程，改善其NBTI性能。该耦等离子氮化物制程在基线去耦等离子氮化物制程中增加制程压力。该DPN制程能够有效地改善器件的负偏压温度稳定性，但是对于器件的电气性能基本没有影响，同时，也不增加制程的复杂度。
等离子氮化物

[发明专利]晶圆翘曲程度的检测方法-CN200710170746.7有效
发明人：刘明源;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆翘曲程度的检测方法，涉及半导体领域的检测工艺。该检测方法包括：在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线，在每一检测线上选择若干检测点；在晶圆进行某一制程之前，利用检测装置测出基准距离；进行所述某一制程之后，利用检测装置测出测量距离；测量距离减去对应的基准距离获得每一检测点的差值；若所述差值在允许值范围内，则比较在晶圆同一圆周上的分别位于两检测线上的两检测点所获得的差值；若两差值相同，则说明该晶圆的翘曲不会影响后续制程；若两差值不相同，则说明该晶圆的翘曲影响后续制程。本发明提供的检测方法可以有效、及时检测出晶圆翘曲是否均匀，避免后续制程中出现对准标记位置异常的现象。
晶圆翘曲程度检测方法

[发明专利]栅介质层的形成方法-CN200710046310.7无效
发明人：陈旺;何永根;刘云珍;郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅介质层的形成方法，包括步骤：在衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行等离子体氮化处理；在氮气气氛下，对所述衬底进行第一热退火处理；在含氧气氛下，对所述衬底进行第二热退火处理。采用本发明的栅介质层的形成方法，可以提高氧化硅表层内的氮浓度，且可以在采用较低功率或较短时间的等离子处理的条件下，令氧化硅表层达到满足要求的氮浓度，减少了因等离子氮化处理给衬底带来的损伤，提高了器件性能。
介质形成方法

[发明专利]栅层的制造方法、半导体器件的制造方法和半导体结构-CN200710044813.0有效
发明人： 何永根;陈旺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅层的制造方法，包括：提供具有栅极绝缘层的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成晶粒无序分布的第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层和第一多晶硅层进行离子注入掺杂。本发明还提供一种半导体器件的制造方法和半导体结构。本发明能够避免或减少在对栅层离子注入掺杂时掺杂离子进入或穿透栅极绝缘层的问题。
制造方法半导体器件半导体结构

[发明专利]提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法及结构-CN200710044807.5有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂离子的第一掺杂层和具有第二掺杂离子的第二掺杂层；所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层下方，且与所述第二掺杂层接触；对具有第一掺杂层和第二掺杂层的半导体衬底执行退火工艺；退火后，测量所述第二掺杂层的方块电阻。本发明还提供一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的结构。本发明的方法可减小衬底对测量结果的影响。
提高 ldd 掺杂方块电阻测量精度方法结构

[发明专利]超浅结阻值检测方法及膜层阻值检测方法-CN200710042131.6无效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种超浅结阻值检测方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成超浅结；在已形成超浅结的半导体衬底上形成测试辅助层；测试所述超浅结阻值。可提高超浅结阻值检测的准确性。一种膜层阻值检测方法，包括：提供测试基底；在所述测试基底内形成膜层；在已形成膜层的测试基底上形成测试辅助层；测试所述膜层阻值。可提高膜层阻值检测的准确性。
超浅结阻值检测方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法-CN200710040644.3有效
发明人： 何永根;陈旺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种的多晶硅薄膜的制备方法，涉及半导体领域的制造技术。该制备方法包括将沉积多晶硅薄膜的步骤分为至少两步进行，在每两步之间进行辅助气体处理步骤以抑制晶粒的增长。所述辅助气体可以是氮气或氢气或氦气。与现有技术相比，采用本发明制备方法获得的多晶硅薄膜的晶粒较小，在后续对多晶硅薄膜离子注入过程中，可有效减少注入离子对半导体衬底的渗入，同时在后续蚀刻多晶硅薄膜的过程中，有效提高特征尺寸的精度，从而减少半导体器件性能的衰减。
多晶薄膜制备方法

[发明专利]半导体器件的离子注入方法-CN200710040643.9有效
发明人： 何永根;戴树刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种的离子注入方法，涉及半导体领域的制造技术。该离子注入方法包括如下步骤：提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；在多晶硅层上面生成保护氧化层；在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀刻、显影步骤；进行预掺杂步骤，注入离子穿过保护氧化层注入多晶硅层内；移除光刻胶；移除保护氧化层。与现有技术相比，本发明离子注入方法通过在多晶硅层上设置保护氧化层，避免或至少减少了注入离子掺入半导体衬底内，从而减小了半导体器件性能的衰减。
半导体器件离子注入方法

[发明专利]形成超浅结的方法-CN200610147797.3有效
发明人：郭佳衢;何永根;戴树刚;刘云珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种形成超浅结的方法，包括：对半导体衬底进行离子注入；对所述半导体衬底进行预退火操作，将所述半导体衬底由室温升温至中间温度值；通入氧气，对所述半导体衬底进行退火操作，将所述半导体衬底由所述中间温度值升温至退火温度峰值；对所述半导体衬底进行降温操作，将所述半导体衬底由退火温度峰值降至室温。在形成超浅结的过程中采用峰值退火方法，可在一次热处理过程中同时完成掺杂材料的激活及晶格损伤的修复；在峰值退火过程中通入氧气，减少了掺杂离子的扩散。
形成超浅结方法

[发明专利]评估栅极介质层电性参数及形成栅极介质层的方法-CN200610116856.0有效
发明人：刘云珍;何永根;郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种评估栅极介质层电性参数的方法，包括：测量栅极介质层的膜层物理特性参数与所述栅极介质层形成的器件的电性参数；拟合所述物理特性参数与电性参数之间的相关曲线并计算相关系数；找出与电性参数相关系较大的物理特性参数；在线测量栅极介质层物理特性参数；通过与电性参数相关系数较大的物理特性参数预估电性参数。本发明方法能够在线评估栅极介质层电性参数。
评估栅极介质层电性参数形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法-CN200610116877.2有效
发明人： 何永根;刘焕新;朴松源;方标 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体器件中浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成垫氧化层；在所述垫氧化层表面形成氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层、垫氧化层以及衬底，从而在衬底中形成沟槽；回拉所述沟槽两侧的氮化硅层；在所述沟槽底部和侧壁以及氮化硅层表面形成衬层氧化层；在所述沟槽中沉积绝缘物质；平坦化所述绝缘物质以形成浅沟槽隔离结构。本发明的方法能够有效地提高沟槽侧壁衬层氧化层的阶梯覆盖能力，从而提高沟槽的绝缘隔离性能。
沟槽隔离结构制造方法

[发明专利]控片回收再生方法以及其控片结构-CN200310122889.2有效
发明人：刘勇;何永根;朴松源 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种回收再生利用控片的方法，包含：沉积一氮化硅膜(SiN film)于控片之上；以及将披覆薄膜的控片浸泡于一混合溶液中以利于去除上述披覆的薄膜，该混合溶液包含HF、HNO₃、DIW(去离子水)。其中上述混合溶液成分为HF∶HNO₃∶DIW(去离子水)＝1∶6∶4，混合溶液的HF浓度为49％，的HNO₃浓度为70％。控片浸泡在200％过度蚀刻的条件下浸泡四分钟以及控片浸泡在在室温下操作。一种回收再生利用控片的控片结构，包含一衬底以及一氮化硅膜(SiN film)形成于衬底之上；以及该控片可被浸泡于一混合溶液中以利于去除披覆的薄膜，该混合溶液包含HF、HNO₃、DIW(去离子水)。采用上述方法可以降低控片回收利用的成本，提高速度。
回收再生方法及其结构

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