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[发明专利]射频功率放大器及射频功率放大芯片-CN202310942844.7在审
发明人：郭跃伟;孔令旭;段磊;卢啸;于长江;秦龙;吴秉琪;黎荣林;张家祺 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波电路技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器及射频功率放大芯片，本发明射频功率放大器实施方式，采用谐波控制电路接入基波匹配电路的方式，为谐波搭建一个低阻的通道，从而控制晶体管管芯的波形为近似于矩形波的波形，由于矩形波的波形对于晶体管而言效率更高，发热量更小，因此，提高了晶体管的效率，减少了晶体管的发热和损耗。本发明射频功率放大芯片的实施方式从晶体管管芯引出一条连接线，连接输入匹配电路，并将谐波控制电路通过连接线连接在输入匹配电路上，相比传统方式所采用的在晶体管管芯上引出两条连接线，分别连接输入匹配电路和谐波控制电路上的方式，更加节省晶体管的面积。
射频功率放大器功率放大芯片

[发明专利]键合丝键合方法和Shunt-L结构封装-CN202310159016.6在审
发明人：郭跃伟;孔令旭;段磊;卢啸;黎荣林;崔健 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请适用于键合丝键合技术领域，提供键合丝键合方法和Shunt‑L结构封装，该方法包括：获取键合丝，并将键合丝划分为第一键合丝组和第二键合丝组，第一键合丝组中的每条键合丝的长度相同，第二键合丝组中的每条键合丝的长度相同；通过第一键合丝组将裸晶体管输出端和输出引脚进行键合，且第一键合丝组中的键合丝的形状为M型曲线；通过第二键合丝组将裸晶体管输出端和射频隔直电容进行键合，第二键合丝组与射频隔直电容的键合点的位置为M型曲线的凹点的位置相同。本申请可以保证键合丝的键合效果，避免键合密度抑制点的出现。
键合丝键合方法 shunt 结构封装

[发明专利]异构集成数控延时器芯片及其制备方法-CN202310095169.9在审
发明人：常萌;郭跃伟;段磊;卢啸;黎荣林;孔令旭 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请适用于集成电路技术领域，提供了异构集成数控延时器芯片及其制备方法，该异构集成数控延时器芯片包括：上层芯片和下层芯片；上层芯片为硅基MEMS芯片，上层芯片中设置有延时电路和参考电路；下层芯片为GaAs芯片，下层芯片中设置有开关电路和驱动电路；上层芯片和下层芯片连接，上层芯片位于下层芯片的正上方。本申请缩小了数控延时器芯片的尺寸的同时减小了功耗。
集成数控延时器芯片及其制备方法

[实用新型]一种碳化硅功率半导体高压器件的封装结构-CN202222229469.5有效
发明人：崔健;王静辉;黎荣林;郭跃伟;段磊;刘鹏 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅功率半导体高压器件的封装结构，涉及半导体高压器件封装技术领域。包括陶瓷基板、碳化硅功率器件、金属正电极、金属负电极及外部引脚，所述陶瓷基板顶端固定有基板和封装盒，基板侧面与封装盒的内侧形成有间隙，基板顶端设置有导热金属片，导热金属片位于金属负电极的底部，封装盒顶端通过封装部连接有封装盖，陶瓷基板底端通过粘接胶粘接有散热器。本实用新型利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现碳化硅功率器件与石墨烯膜的低温低压烧结互连，形成的纳米银互连层具有优良耐高温性能及高热导率能力，从而使得碳化硅功率器件散发的热量可以得到尽快散发，实现其内部金属器件处于较低的工作环境。
一种碳化硅功率半导体高压器件封装结构

[实用新型]一种高功率密度的微组装芯片电源-CN202222257800.4有效
发明人：王静辉;黎荣林;郭跃伟;崔健;段磊;刘鹏 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高功率密度的微组装芯片电源，涉及微组装芯片电源封装技术领域。包括底层DBC板，所述底层DBC板顶部固定连接有顶层DBC板，顶层DBC板为框架板，中部镂空设置，顶层DBC板中部固定连接有内嵌芯片，顶层DB板和内嵌芯片顶部固定连接有封盖，其中，底层DBC板顶部两侧开设有内嵌槽。本实用新型通过底层DBC板、顶层DBC板和内嵌芯片位置的安装，使得该微组装芯片能够以一种全新的封装工艺进行封装，将芯片内嵌到DBC板内，能够有效降低芯片结壳热阻，并优化层叠母排端子结构降低端子电感，能够在有效降低体积的同时，提高功率密度，效率高，并与DBC板接触面积大，能够有效分散热量，降低内部热量降沉情况。
一种功率密度组装芯片电源

[实用新型]一种大功率半导体功率器件的低热阻封装结构-CN202222266419.4有效
发明人： 黎荣林;王静辉;段磊;崔健;郭跃伟;刘鹏 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率半导体功率器件的低热阻封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括底座，所述底座的顶端固定连接有一号DBC层，所述一号DBC层的顶端焊接有二号DBC层，所述二号DBC层外壁固定连接有密封层，密封层的底端和底座的顶端固定，所述密封层的顶端固定连接有连接片，所述一号DBC层的顶端焊接有芯片，芯片的顶端和连接片底端固定，所述连接片的一端固定连接有引脚。本实用新型通过一号DBC层、二号DBC层和芯片的设置，使得芯片的封装方式为内嵌式安装，芯片因工作产生的热量会被一号DBC层和二号DBC层吸收，因此增加了散热面积，提高了散热速度，该安装方式降低产品的热阻，提高功率密度，减小封装电感，进一步降低开关损耗。
一种大功率半导体功率器件低热封装结构

[实用新型]一种芯片的纳米银封装结构-CN202222033713.0有效
发明人：郭跃伟;段磊;崔健;黎荣林;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片的纳米银封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括基板和芯片，所述基板顶部开设有安装槽，安装槽槽底壁固定有铜网格板，铜网格板顶端涂覆有纳米银焊膏层，芯片放置在纳米银焊膏层的顶部，基板顶端固定有封装盒，封装盒两侧开设有多个矩形槽，一侧的矩形槽外侧设置有第一外引脚，另一侧的矩形槽内壁固定有第二外引脚。本实用新型设置有铜网格板和纳米银焊膏层，纳米颗粒具有独特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度，利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。
一种芯片纳米封装结构

[实用新型]一种3D芯片封装散热结构-CN202221982459.2有效
发明人：王静辉;崔健;段磊;黎荣林;于长江;卢啸;刘鹏;郭跃伟 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3D芯片封装散热结构，涉及3D芯片技术领域。包括：线路板，所述线路板的顶部设置有安装槽；堆叠芯片，所述线路板的安装槽内安装有堆叠芯片；冷却组件，所述冷却组件设置在所述堆叠芯片的顶部和内部；漏水检测组件，所述漏水检测设置在所述冷却组件和所述堆叠芯片之间。本实用新型通过漏水检测组件的设置，能够在该结构出现漏水的情况下，为了保护水不会进入到芯片内部，由于微通道管为一体式结构，在微通道管和分水管的连接处或微通道管和聚水管的连接处漏水的可能性最大，在此设置线缆式水浸传感器，在出现漏水时，就立刻报警提醒用户，以保证芯片内部不会进水，从而保证芯片的使用寿命。
一种芯片封装散热结构

[发明专利]一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法-CN202210916605.X在审
发明人： 黎荣林;郭跃伟;段磊;崔健;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，涉及芯片加工技术领域。包括以下步骤：步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属；步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，步骤四、将电镀设备卡接槽内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向。本发明通过将砷化镓芯片放置固定在电镀设备内部的槽内，并使用锁止装置插入固定，使得砷化镓芯片在电镀液电镀时，能够时刻让背板处的位置保持恒定，减少了因砷化镓芯片因摆动而导致砷化镓芯片其他部位受到电镀的影响，间接的提高了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率。
一种用于砷化镓芯片背面镀金方法

[发明专利]芯片制造中单层金属交叉线的接线方法-CN202210939563.1在审
发明人： 黎荣林;郭跃伟;段磊;崔健;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了芯片制造中单层金属交叉线的接线方法，涉及芯片制造技术领域。包括：步骤一：涂光刻胶，在衬底的表面涂光刻胶；步骤二：掩模曝光处理，对光刻胶表面进行掩模曝光处理；步骤三：显影，去除受到曝光处理的光刻胶；步骤四：刻蚀，对衬底进行刻蚀以形成凹槽；步骤五：去除光刻胶层；步骤六：清洗，清洗表面；步骤七：金属沉积；步骤八：化学机械抛光。本发明通过刻蚀后形成凹槽的设置，刻蚀会使得衬底介质层的凹槽变大，在通过金属沉积的方式，使得金属能够填充凹槽，使得金属层的横截面变大，当芯片运行时，金属层的横截面变大，电阻变小，产生的热量变小，能够提高芯片的使用寿命。
芯片制造单层金属交叉接线方法

[发明专利]一种3D芯片的封装方法-CN202210885825.0在审
发明人：段磊;黎荣林;崔健;郭跃伟;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D芯片的封装方法，涉及半导体封装技术领域。包括以下步骤：步骤一、设计制造3D芯片封装模具；步骤二、在3D芯片封装模具的内部开设凹槽，并在凹槽内放置半导体芯片基板；步骤三、将3D芯片封装模具连带半导体芯片基板一同移动到光刻机处进行光刻工艺，并在半导体芯片基板上形成装配槽；步骤四、在半导体芯片基板上的装配槽内贴装电路元器件芯片。本发明通过向半导体芯片基板填充惰性气体，使得半导体芯片基板在3D芯片模具内发生反应，消除了半导体芯片基板内部的热应力，有效减少了半导体芯片基板在冷却过程中的热应力，并修复半导体芯片基板的在贴装过程中引入的应力缺陷，提高产品的整体强度，第二代半导体砷化镓、磷化铟等易碎的半导体芯片，其应用领域为微波射频芯片的3D封装和光纤通信的多芯片模块的立体封装，实现多功能、小型化及立体功能。
一种芯片封装方法

[发明专利]一种芯片的纳米银封装结构-CN202210928751.4在审
发明人：郭跃伟;段磊;崔健;黎荣林;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片的纳米银封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括基板和芯片，所述基板顶部开设有安装槽，安装槽槽底壁固定有铜网格板，铜网格板顶端涂覆有纳米银焊膏层，芯片放置在纳米银焊膏层的顶部，基板顶端固定有封装盒，封装盒两侧开设有多个矩形槽，一侧的矩形槽外侧设置有第一外引脚，另一侧的矩形槽内壁固定有第二外引脚。本发明设置有铜网格板和纳米银焊膏层，纳米颗粒具有独特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度，利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。
一种芯片纳米封装结构

[发明专利]一种3D化合物半导体芯片的检测方法-CN202210903887.X在审
发明人：崔健;黎荣林;郭跃伟;段磊;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N22/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D化合物半导体芯片的检测方法，涉及3D化合物半导体芯片结构检测技术领域。微波检测方法，包括一个检测台所述检测台中部开设有一条两端贯通的滑槽，滑槽两侧内壁均固定连接有直角侧板，两个直角侧板之间转动连接有一排滚轴，芯片装载底板通过机械臂放置于滚轴表面。本发明通过检测台、检测箱和检测箱内部结构的设置，其具有不与芯片接触，不破坏芯片、无污染和非金属应有的特点，与被检测的芯片不需要直接的接触，能够距离芯片一定的距离或间隙进行检测，不会破坏芯片本身机构，属于无损检测，并在在这个检测的过程中，不需要对芯片通电，不需要耦合剂，避免耦合剂对芯片造成的污染。
一种化合物半导体芯片检测方法

[发明专利]一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺-CN202011585802.5有效
发明人： 黎荣林;王静辉;崔健;郭跃伟;段磊;闫志峰 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺，包括壳体、金属热沉、GaN微波功率芯片、电容、电极支架和管帽，GaN微波功率芯片包括SiC衬底，SiC衬底上生长GaN HEMT外延结构，GaN HEMT外延结构包括氮化铝层、非掺杂GaN层、铝镓氮层多层结构，GaN HEMT外延结构上通过蒸发和剥离形成栅极，栅极两侧设置有源极和漏极，源极和漏极与GaN HEMT外延结构形成欧姆接触，源极、漏极、栅极之外的GaN HEMT外延结构上淀积SiN薄膜。本发明具有禁带宽度大，耐压能力高和电子饱和速度高等优势，对5G基站的性能有全面的提升，在微波通信方面的应用具有很大前景。
一种通信专用 gan 微波功率器件及其封装工艺

[发明专利]一种3D芯片封装散热结构-CN202210905817.8在审
发明人：王静辉;崔健;段磊;黎荣林;于长江;卢啸;刘鹏;郭跃伟 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D芯片封装散热结构，涉及3D芯片技术领域。包括：线路板，所述线路板的顶部设置有安装槽；堆叠芯片，所述线路板的安装槽内安装有堆叠芯片；冷却组件，所述冷却组件设置在所述堆叠芯片的顶部和内部；漏水检测组件，所述漏水检测设置在所述冷却组件和所述堆叠芯片之间。本发明通过漏水检测组件的设置，能够在该结构出现漏水的情况下，为了保护水不会进入到芯片内部，由于微通道管为一体式结构，在微通道管和分水管的连接处或微通道管和聚水管的连接处漏水的可能性最大，在此设置线缆式水浸传感器，在出现漏水时，就立刻报警提醒用户，以保证芯片内部不会进水，从而保证芯片的使用寿命。
一种芯片封装散热结构

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