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[发明专利]对准方法及校准方法-CN201911334523.9有效
发明人： 黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种对准方法及校准方法，通过设定一母程式，获取第一标记点和第二标记点对应的晶圆的位置，由此通过第一标记点和所述第二标记点调整晶圆的位置，实现晶圆与电子束检测机台的位置对准。以及通过设定一子程式，在所述子程式中设置第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置，进而得到第一芯片标记点和第二芯片标记点；进一步获取所述第一芯片标记点和所述第二芯片标记点的坐标，并通过所述坐标计算出所述芯片的尺寸，然后，比较所述芯片和所述虚拟芯片的尺寸，确定是否校准多个所述虚拟芯片的尺寸，以校准多个所述虚拟芯片的位置，由此校准与多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置。
对准方法校准

[发明专利]晶圆缺陷监控系统及其监控方法-CN202010414919.0有效
发明人：盛利霞;黄莉晶;韩超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷监控系统及其监控方法，所述晶圆缺陷监控方法包括：提供多个晶圆；将每个所述晶圆的晶面划分为若干检测区，所有所述晶圆的检测区的位置一一对应，对所述晶圆上的检测区顺次编号为1…n，n≥2；对多个所述晶圆的检测区进行缺陷扫描，并统计出现缺陷的检测区；当同一编号的检测区出现缺陷的次数大于第一阈值时，进行报警。本发明的技术方案能够对多个晶圆的固定位置缺陷进行实时监控，并及时地报警，避免晶圆良率的损失。
缺陷监控系统及其方法

[发明专利]一种检查光刻工艺微小失焦的方法-CN202111437342.6在审
发明人： 黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检查光刻工艺微小失焦的方法，包括：提供具有测试键的晶圆，测试键包括间隔设置的第一结构测试键和第二结构测试键；在金属填充完成后，采用负电势模式对具有测试键的晶圆进行检测；在负电势模式下，通过电子束扫描的方法监控第一结构测试键和第二结构测试键的明态或暗态之数量变化判定光刻工艺的失焦程度。本发明通过至少在晶圆的边部设置具有第一测试结构和第二测试结构的测试键，以在负电势模式下，通过电子束扫描的方法监控第一结构测试键和所述第二结构测试键的明态或暗态之数量变化判定光刻工艺的失焦程度，不仅解决了光刻机机台对于晶圆边缘失焦无法监控的问题，而且为晶圆超远边缘失焦监控提供了方案，值得业界推广使用。
一种检查光刻工艺微小方法

[发明专利]电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构及测试方法-CN201811607200.8有效
发明人： 黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构，对晶圆的缺陷进行扫描，所述电子束孔径调整结构包含有多个围成圆形的弧形挡片，中心形成供电子束通过的孔径，中心的孔径能进行大小无级调节。所述电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构的测试方法，机台内置扫描程序，在正式扫描前，在通过对晶圆的特定区域进行预扫描，寻找到最佳的扫描条件，以达到最好的扫描效果，形成一标准图像数据，记录其解析度；然后启动扫描程序，晶圆载入机台先运行预扫描程序，在预设区域得到解析度，然后跟标准图像数据的解析度进行比对，出现一定偏差时，机台自动调整电子束孔径大小，直到解析度与标准图像数据的解析度接近，实现动态调整解析度。
电子束扫描机台孔径动态调整结构测试方法

[发明专利]金属填充缺陷的检测结构及其方法-CN201910808932.1有效
发明人： 黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了本发明提供一种金属填充缺陷的检测结构，包括：衬底、第一多晶硅层、第一金属层、第二金属层、第二多晶硅层、第三金属层及第四金属层，其中，所述衬底包括对照区域、监控区域及外围区域，所述第一多晶硅层中形成有第一接触孔及第二接触孔；所述第二多晶硅层中形成有第三接触孔及第四接触孔，所述第一接触孔、第一金属层、第三接触孔及第三金属层电性连接且位于所述对照区域，所述第三接触孔、所述第二金属层、第四接触孔及第四金属层电性连接且位于所述监控区域和/或外围区域，利用所述检测结构，能够对第二接触孔和第四接触孔底部金属填充缺陷进行在线监控，从而在批量生产中能够有效监控接触孔底部金属填充缺陷。
金属填充缺陷检测结构及其方法

[发明专利]一种电子束扫描程式参数自调整方法-CN201711393038.X有效
发明人： 黄莉晶;何广智;胡向华;成智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种电子束扫描程式参数自调整方法，包括下列步骤：建立工艺流程，并加入预扫描程式；选定进行预扫描的区域，并且保存当层最佳影像图片；设定工艺参数调整范围；根据预扫描程式进行小范围扫描，通过对比在设定的工艺参数调整范围内找到最佳参数值；根据预扫描得到的最佳参数值，反馈到工艺中，修改工艺参数，达到预设扫描效果。本发明提出的电子束扫描程式参数自调整方法，通过预扫描方式解决目前E‑beam扫描参数不稳定的问题。
一种电子束扫描程式参数调整方法

[发明专利]一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法-CN201710613874.8有效
发明人：成智;何广智;柳祚钺;黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。本发明提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，针对不同工艺层图形变化较大的情况下重新精确定义扫描区域的方法，避免扫描区域不够精确发生缺陷反馈不准确，导致问题判断失误。
一种自适应定义缺陷扫描方程式区域方法

[发明专利]缺陷检测方法和系统-CN201910969577.6在审
发明人：袁健思;黄莉晶;韩超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷检测方法和系统，所述缺陷检测方法包括：获取缺陷位置信息；根据缺陷位置信息得到JDV图形数据；根据JDV图形数据得到缺陷检测图像；对缺陷检测图像进行图像处理，得到二维仿真图像；将二维仿真图像与JDV图形数据进行对比，得到缺陷信息。本发明能够检测极小缺陷，提高了缺陷检测精度。
缺陷检测图形数据图像缺陷位置信息二维仿真缺陷信息图像处理检测极

[发明专利]一种晶圆表面颗粒的脱机检测方法-CN201811369318.1在审
发明人： 黄莉晶;何广智;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆表面颗粒的脱机检测方法，包括以下步骤：步骤S1、在脱机状态下，提供一非生产性晶圆，在所述非生产性晶圆的半导体衬底上形成一膜层；步骤S2、模拟正常生产工艺，复数个颗粒散落设置在所述膜层的上表面；步骤S3、刻蚀所述膜层，形成复数个塔形结构，每个所述塔形结构的上表面覆盖有一个所述颗粒；步骤S4、对经步骤S3处理得到的所述塔形结构进行检测，获取所述塔形结构的电信号；步骤S5，根据所述电信号，计算得到所述颗粒在所述半导体衬底上的位置、每个所述颗粒的尺寸和所述颗粒的数量；步骤S6、对正常生产工艺进行改进。其优点在于，通过模拟晶圆产品的生产工艺，在NPW上形成塔形结构，有效提高微小颗粒的信号强度。
塔形结构膜层正常生产工艺上表面圆表面衬底复数晶圆脱机种晶检测半导体晶圆产品脱机状态微小颗粒刻蚀生产工艺散落覆盖改进

[发明专利]一种扫描程式建立方法、扫描机台及扫描方法-CN201711244397.9在审
发明人：何广智;胡向华;黄莉晶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种扫描程式建立方法、一种扫描机台及扫描方法，当基底的不同工艺层的位置出现偏差和/或单一模板图像在工艺过程中受到损坏或变形时，选取至少一个模板图像，对所述基底进行转角调整至固定方向，降低了基底转角调整失败的概率；进一步，本发明可以通过光强调试，针对基底的不同的工艺层自动选择该工艺层所需的光强，解决了不同工艺层的光强差异无法自动变更的问题；进一步，本发明提出的扫描机台及扫描程式建立方法可以自动对当前基底进行扫描并获取所述基底的缺陷数据信息，建立扫描程式，避免了现有技术中，因产品的过货时间无法控制，研发人员不能及时地建立扫描程式，提高了扫描程式建立的时效性。
一种扫描程式建立方法机台

[发明专利]一种用于白光LED显示的红色荧光粉的制备方法-CN201310173536.9无效
发明人：雷芳;黄莉晶;施鹰;谢建军 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明属于稀土发光材料领域，具体涉及一种可用于白光LED显示的红色荧光粉的制备方法。采用水热法合成出化学性能稳定，发光亮度高，尺寸在纳米级的红色荧光粉。其组成为Cd（1-x）WO4：Eu3+x，0＜x＜1，较佳的x取0.02～0.10。具体步骤为：将可溶性镉盐及可溶的三价Eu盐溶于去离子水中，配制成A溶液,再将可溶钨酸盐溶于去离子水中，配制成B溶液。在搅拌下，将B溶液加入到A溶液中，并继续搅拌10～30min至沉淀反应完全。然后装入聚四氟乙烯反应釜中150~220℃水热反应24h，所得产物经水洗、离心除去杂质，然后在烘箱中85℃干燥24小时即得最终产物。本发明方法简单易行，易于工业化生产，所得产物颗粒尺寸小，重现性好。
一种用于白光 led 显示红色荧光粉制备方法

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