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[发明专利]TSTA3与LAMP2作为靶标物在食管鳞癌细胞转移检测、药物筛选中的应用-CN202010797744.6有效
发明人：张玲;刘峰;崔永萍;成晓龙;孔鹏洲;阎婷;马燕春;钱钰;杨健;高迎真 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，首先提供了TSTA3与LAMP2作为靶标物在检测食管鳞癌细胞转移中的应用，其次提供了TSTA3与LAMP2作为靶标物在筛选抑制或减缓食管鳞癌细胞转移药物中的应用。所述TSTA3在食管鳞癌细胞中过表达，LAMP2过表达，LAMP2的核心岩藻糖基化修饰，该食管鳞癌细迁移和侵袭。所述TSTA3与LAMP2作为靶标物在筛选抑制或减缓食管鳞癌细胞转移药物中的应用。在食管鳞癌中，TSTA3作为GDP‑L‑岩藻糖合成途径中的限速酶，参与岩藻糖基化修饰，通过增加LAMP2的核心岩藻糖基化修饰，促进食管鳞癌的侵袭迁移，发挥癌基因作用。
tsta3 lamp2 作为靶标食管癌细胞转移检测药物筛选中的应用

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN201810651175.7有效
发明人：杨震;马燕春;郭兵;王孝远;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：衬底，所述衬底包括漂移区；场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。本发明所述LDMOS器件的场极板包括多个伪栅结构，伪栅结构之间留有空隙，可以降低靠近漏端一侧的场极板与漂移区之间电场强度，优化LDMOS器件的电学性能。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]一种细胞划痕装置和方法-CN201810480694.1有效
发明人：崔永萍;杨洁;阎婷;王琦;孔鹏洲;杨健;钱钰;马燕春;王芳;李泓漪;成晓龙 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明属于细胞表型学、光热学技术领域，提出了一种细胞划痕装置和方法。该装置包括激光源、温度传感器、移动装置、控制器，所述激光源固定设置移动装置上，用于垂直照射细胞培养板形成划痕，所述移动装置的控制端与控制器连接，所述温度传感器的信号输出端与控制器连接，所述温度传感器设置在细胞培养板上，所述控制器用于通过控制所述移动装置来控制所述激光源的移动速度。本发明可以严格精确的控制细胞划痕的宽度，提高了培养板中各小室的细胞划痕的一致性，可以广泛应用于细胞迁移实验领域。
一种细胞划痕装置方法

[发明专利]细胞密度控制仪及其方法、应用-CN201810424968.5有效
发明人：崔永萍;杨洁;阎婷;杨玲珍;付小红;孔鹏舟;杨健;钱钰;马燕春;张玲;王芳;李泓漪;成晓龙 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种细胞密度控制仪及其方法、应用，所述的细胞密度控制仪包括激光光源和沿着激光光路依次设置的准直透镜、筛网及细胞培养平台，细胞培养平台上设置温度控制装置，能够感应细胞培养平台的温度，当温度达到设定温度后关闭激光光源；细胞培养平台设置有容纳传统细胞培养板或培养皿的凹槽及固定装置，激光光源投射到准直透镜后，准直透镜将激光平行出射，平行激光经过筛网后，将激光遮挡为间隔相同的大量的平行光带投射在培养板上。利用高温导致细胞受损死亡的原理，将细胞密度控制在设定水平，为进一步明确细胞增殖能力、提高细胞质粒转染成功率提供更加可靠的手段和依据。
细胞密度控制及其方法应用

[发明专利]静电防护器件及半导体器件-CN201910831219.9在审
发明人：马精瑞;许杞安;马燕春;江文涌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本发明中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
静电防护器件半导体器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910336108.0在审
发明人：张进书;马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；在所述第二栅介质层上形成第二栅极层。所述方法简化了形成所述半导体器件的制程。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]静电防护器件及半导体器件-CN201921459776.4有效
发明人：马精瑞;许杞安;马燕春;江文涌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本实用新型中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
静电防护器件半导体器件

[发明专利]高压晶体管及其形成方法-CN201810298006.X在审
发明人：杨震;马燕春;郭兵;赵晓燕;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种高压晶体管及其形成方法，其中高压晶体管包括：基底；位于所述基底中的漂移区；位于所述基底中的源端阱区，所述源端阱区和所述漂移区邻接且位于所述漂移区的侧部；位于所述漂移区中的场氧化层；位于部分源端阱区上的栅极结构，且源端阱区上的栅极结构还延伸至部分漂移区和部分场氧化层上；位于所述栅极结构和场氧化层的一侧漂移区中的漏区；位于所述漏区上的漏插塞，所述漏插塞和所述漏区电学连接；位于部分场氧化层上的附加栅极结构，所述附加栅极结构覆盖所述场氧化层中朝向漏区的边缘区域，所述附加栅极结构和所述漏插塞电学连接。所述高压晶体管的性能得到提高。
栅极结构漂移区场氧化层高压晶体管漏区源端阱区插塞基底电学连接边缘区域邻接延伸覆盖

[发明专利]锌指蛋白750基因在制备食管鳞癌诊断试剂中的用途-CN201910025535.7在审
发明人：崔永萍;孔鹏洲;毕炀辉;张玲;阎婷;崔鹤洋;杨健;成晓龙;马燕春;钱钰 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，提供了一种锌指蛋白750基因在制备食管鳞癌诊断试剂中的用途，所述的用途解决了现有技术中食管鳞癌患者诊断和预后信息的分子靶标非常少，评判标准不一的技术问题。ZNF750基因编码区突变和基因拷贝数缺失作为诊断食管鳞癌患者的分子标志物。提供了锌指蛋白750基因在制备预后评价食管鳞癌患者预后试剂中的用途，ZNF750编码区突变和基因拷贝数缺失作为食管鳞癌患者预后预测的分子标志物。ZNF750突变以及拷贝数缺失食管鳞癌患者判断为临床预后差，ZNF750无突变以及无拷贝数缺失食管鳞癌患者为临床预后好。
食管鳞癌突变锌指蛋白预后制备分子标志物基因拷贝数诊断试剂拷贝数基因生物医药技术基因编码区分子靶标患者诊断评判标准预后评价预后信息预后预测编码区诊断

[发明专利]ZNF750在筛选用于治疗食管鳞癌靶向药物中的用途-CN201910025551.6在审
发明人：崔永萍;孔鹏洲;张玲;阎婷;毕炀辉;崔鹤洋;刘祥辰;杨健;成晓龙;钱钰;马燕春 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，提供ZNF750在筛选用于治疗食管鳞癌靶向药物中的用途，提供阻断食管鳞癌细胞转移或抑制食管鳞癌细胞变化的新靶点，对具有ZNF750变异的食管鳞状细胞癌患者提供治疗线索。提供了ZNF750在筛选用于治疗食管鳞癌靶向药物中的用途。所述食管鳞癌为ZNF750基因突变、缺失、失活变异或ZNF750低表达的食管鳞癌。靶向药物通过抑制或阻断ZNF750的下游靶基因血管生成相关基因表达来治疗食管鳞癌。ZNF750突变检测可将食管鳞癌患者分为突变型和野生型两组，靶向作用于KDR的药物能为具有ZNF750失活变异的患者提供有效的治疗选择，改善其临床预后。
食管鳞癌靶向药物治疗鳞癌细胞食管筛选失活食管鳞状细胞癌生物医药技术靶向作用基因突变突变检测相关基因血管生成靶基因低表达突变型野生型预后靶点两组线索

[发明专利]ESD器件、ESD器件的制作方法及EEPROM-CN201410542504.6有效
发明人：王孝远;郭兵;金凤吉;马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种ESD器件、ESD器件的制作方法及EEPROM。其中，该ESD器件包括：半导体基体和设置于半导体基体中的阱；栅极结构，设置于阱的表面上；源极和漏极，源极设置于阱中并位于栅极结构的一侧，漏极设置于阱中并位于栅极结构的另一侧，且源极和漏极的导电类型与阱的导电类型相反；离子注入区，设置于漏极中，且离子注入区的导电类型与漏极的导电类型相反。该离子注入区能够降低漏极中掺杂浓度，使得漏极和半导体基体之间的载流子和中性原子发生碰撞电离的几率增大，从而减少了漏极和半导体基体之间发生雪崩击穿所需的反向电压，进而降低了ESD器件的开启电压。
esd 器件制作方法 eeprom

[发明专利]沟槽隔离结构、其制作方法及半导体器件和图像传感器-CN201410129079.8有效
发明人： 马燕春;宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽隔离结构、其制作方法及半导体器件和图像传感器。其中，该沟槽隔离结构包括设置于衬底中的浅沟槽，设置于浅沟槽中的隔离物质层，以及设置于浅沟槽与隔离物质层之间的外延结构，其中外延结构包括至少一层由原位掺杂形成的外延层。上述外延层由浅沟槽的内壁向外沉积而成，其能够与浅沟槽的内表面形成紧密的结合界面，从而避免了在浅沟槽的内壁与外延层之间的结合处产生漏电流，同时通过原位掺杂的方式能够使外延层的成分或结构发生变化，从而进一步减少载流子在外延层中的迁移，并进一步减少半导体器件中存在的漏电流。
沟槽隔离结构制作方法半导体器件图像传感器

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201310454314.4有效
发明人： 马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成介质栅层、多晶硅栅层及栅极侧墙；2）对多晶硅栅层及栅极侧墙两侧的半导体衬底进行N型离子注入及退火，形成N型多晶硅栅层、源区及漏区；3）形成覆盖N型多晶硅栅层、源区及漏区的光刻胶，并于N型多晶硅栅层上方的光刻胶中形成注入窗口；4）对N型多晶硅栅层进行P型离子注入，使N型多晶硅栅层部分反型为P型多晶硅栅层，并去除光刻胶。本发明通过于N型多晶硅栅层中注入高浓度浓度P型离子使栅极形成P‑N二极管结构，通过离焦曝光工艺制作具有注入窗口的光刻胶以保护源区及漏区，从而大大提高器件的性能及稳定性。
栅层光刻胶漏区源区半导体器件多晶硅栅层栅极侧墙注入窗口制作半导体衬底表面退火二极管结构曝光工艺栅极形成介质栅衬底反型离焦去除半导体覆盖

[发明专利]肿瘤特异性移植抗原蛋白TSTA3在制备食管鳞癌诊断试剂中的用途-CN201710316413.4有效
发明人：崔永萍;孔鹏洲;杨洁;阎婷;杨健;成晓龙;翟元芳;程彩霞;马燕春;钱钰 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，提供了一种肿瘤特异性移植抗原蛋白TSTA3在制备食管鳞癌诊断试剂中的用途，所述的这种用途解决了现有技术中食管鳞癌患者诊断和预后信息的分子靶标非常少，评判标准不一的技术问题。通过TSTA3蛋白表达情况进行免疫评分，然后通过TSTA3蛋白的表达量确定与患者诊断和预后的关系，用于辅助食管鳞癌患者的诊断和预后评价。本发明通过免疫学指标TSTA3蛋白表达量辅助食管鳞癌患者的诊断和对预后进行评价，为解决食管鳞癌患者诊断和预后评价手段缺乏的现状提供一种准确、快速的预测方法。
食管鳞癌患者诊断肿瘤特异性抗原蛋白预后评价诊断试剂预后制备生物医药技术蛋白表达量移植蛋白表达分子靶标评判标准预后信息诊断表达量免疫学蛋白预测

[发明专利]CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法-CN201310461748.7有效
发明人：魏琰;宋化龙;马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器像素结构及其形成方法，包括半导体衬底，所述半导体衬底中掺杂有第一杂质离子；位于半导体衬底内的凹槽；位于凹槽的两侧侧壁表面的隔离层；位于凹槽内的外延硅层，所述外延层覆盖所述隔离层并填充满凹槽，所述外延硅层中掺杂有第二杂质离子，第二杂质离子的导电类型与第一杂质离子的导电类型相反，所述外延硅层和半导体衬底构成光电二极管；位于外延硅层一侧的半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的远离外延硅层的一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。所述CMOS图像传感器像素结构的暗电流较小。
cmos 图像传感器像素结构及其形成方法

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