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[发明专利]一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置-CN202310839649.1在审
发明人：王小周;李梅溶;张梦龙;韩理想;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及气体均匀设备技术领域，具体公开了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：均流盒、均流板、均流孔、进气室、均流框、均流进气孔、分流腔一、通孔、分散孔、分流腔二、均流出气孔和出气室；本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比；在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，经过进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。
一种改善工艺气体气流均匀方法装置

[发明专利]一种碳化硅外延炉载盘气浮装置-CN202310873815.X在审
发明人：王小周;汤赛君;韩理想;张梦龙;李京波;郑筌升;雷剑鹏;李梅溶 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属外延炉载盘气浮装置技术领域，提供了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置，包括炉腔，炉腔内部设置有圆形基座，还包括转动安装在圆形基座上表面的圆形载盘，在圆形基座外表面设置有氢气进气口，在圆形基座上表面均匀设置有若干通气孔，若干通气孔对称分布且距离圆形基座中心距离相等，炉腔一侧设置有工艺进气口。本发明通过碳化硅外延生长炉为石墨构件，但是高温下充入的氢气会对石墨产生刻蚀，容易给碳化硅外延生长带来大量缺陷，因此需要将各个部件的外表面涂覆碳化钽涂层，避免高温下氢气对石墨进行刻蚀，影响碳化硅外延生长以及影响炉体及其各部件的使用寿命，同时能够降低石墨粉的析出而导致的腔室颗粒污染问题。
一种碳化硅外延炉载盘气浮装置

[发明专利]一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置-CN202310871184.8在审
发明人：张梦龙;韩理想;郑筌升;王小周;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅外延炉气源进气技术领域，提供了一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置，包括进气槽，进气槽后侧固定连通有混合槽，进气槽内部均匀固定安装有若干第一遮挡板，混合槽内部均匀固定安装有若干第二遮挡板以及若干第三遮挡板；本发明通过在进气槽内部安装有若干第一遮挡板，若干第一遮挡板能够减缓各路工艺气体流速，从而提高混合度，再进入混合槽内，混合槽内部设置有若干第二遮挡板以及第三遮挡板，从而进一步对工艺气体进行混合，第二遮挡板以及第三遮挡板减缓工艺气体进入分流槽速度，提高工艺气体在混合槽中停留的时间，继而提高工艺气体的混合均匀度，从而提高碳化硅外延生长的质量。
一种提高碳化硅外延炉气源均匀过渡装置

[发明专利]一种提升P型4H-SiC同质外延薄膜生长质量的方法-CN202310887341.4在审
发明人： 韩理想;刘志远;张梦龙;王小周;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，具体公开了一种提升P型4H‑SiC同质外延薄膜生长质量的方法，包括以下步骤：选用一种偏11‑20方向4°的6寸4H‑SiC衬底，对衬底进行标准清洗后放入托盘中；通入氢气，对反应腔内的碳化硅衬底进行10～15min刻蚀；升温；进行Buffer层生长；进行P‑SiC外延层生长；关闭反应源和掺杂源，降温至室温进行吹扫，获得P型掺杂的碳化硅外延片；本发明中4H‑SiC外延炉的进气管分为主路和副路，对样品生长质量影响较大，本发明通过确定腔体进气处的TMA流量，对主管路和副管路的TMA流量配比进行探究，确定最优配比，大大提升了样品掺杂浓度和厚度均匀性。
一种提升 sic 同质外延薄膜生长质量方法

[发明专利]一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法-CN202310839721.0在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N‑SiC缓冲层，厚度0.3～1.5μm；沉积U‑SiC外延层，厚度10μm～15μm；本发明通过改变氮气旁路和主路的气体流量比例可以在提升掺杂浓度均匀性，且简便易操作，生产成本较低，不会破坏晶体质量，保障制备出浓度均匀，质量较好的碳化硅外延片。
一种改善 sic 外延浓度均匀制备方法

[发明专利]一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置-CN202310859141.8在审
发明人：李梅溶;张梦龙;韩理想;王小周;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，涉及碳化硅外延片制备装置技术领域，本发明包括反应炉壳体、石墨托盘以及收集环，石墨托盘安装于反应炉壳体内部下表面，收集环设置于石墨托盘外部，收集环内表面设有若干收集圆孔，收集环外表面设有若干排气孔，石墨托盘外部设有第一挡板、第二挡板、第三挡板以及第四挡板。本发明一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，收集圆孔等间距安装于收集环内表面，继而收集环可以均匀收集外延时产生的颗粒物，能有效减少碳化硅外延的掉落物缺陷，同时能减少碳化硅外延炉的保养频率，增加石墨元件和外延炉的使用寿命。
一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒反应装置

[发明专利]一种SiC反应炉原位清洗的方法-CN202310839726.3在审
发明人：张梦龙;钱昊;韩理想;王小周;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明涉及外延反应炉清洗技术领域，具体公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法，包括：正常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻蚀气体敏感的传输盘移回反应室；本发明利用两步法，即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分段式不同刻蚀速度清理反应室，加上离子束轰击反应室表面，去除附着的污染物并提供表面激活，以促进反应室下一步的再生和生长，利用加装光谱仪作为监测手段，及时发现腔体内SiC微粒水平超标情况，降低损失，并且可以对清理过程进行更精确的控制，不依赖经验值，且可推广性高。
一种 sic 反应炉原位清洗方法

[发明专利]一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法-CN202310859106.6在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及SiC晶圆领域，具体公开了一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法，具体包括以下步骤：S1、将Si源与C源放在反应腔室的Si面4H碳化硅衬底上，进行反应生成4H‑SiC外延层，同时充入N2作为N型掺杂气源；S2、调整工艺气源以及进气端的主旁路气体流量值进行外延生长实验；S3、根据外延层厚度均匀性和载流子浓度均匀性确定合适的Si源与C源生产比值；本发明通过调整晶圆生产中外延生长时的主旁路工艺气体比例，同时改变反应时C/Si比等生长条件参数，实现对4H‑SiC外延层的质量控制，提高厚度和掺杂均匀性，以此制备具有高质量外延层的晶圆。
一种提升 sic 外延厚度载流子浓度均匀方法

[发明专利]一种适用于地铁工程支护与开挖的模型试验装置及方法-CN202310682221.0在审
发明人：冯啸;董继国;杨梅;周超;韩理想;张庆松;崔灿;徐博;齐大洪;马恒;李良浩;陶振宇;王洪涛 -专利权人：山东建筑大学;徐州地铁集团有限公司;徐州地铁基础设施工程有限公司;山东大学;上海市隧道工程轨道交通设计研究院;济南城建集团有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明涉及模型试验技术领域，尤其是一种适用于地铁工程支护与开挖的模型试验装置及方法，包括模型架，其由多个单元框架上下组装而成，各单元框架具有设定的尺寸规格，所述单元框架内填充试验土层材料，其中一所述单元框架侧面设有隧道开挖预留口，所述模型架顶部设有基坑开挖预留口；本发明可通过隧道开挖预留口进行区间隧道的开挖模拟，通过基坑开挖预留口进行基坑开挖模拟，同时可模拟多种支护工艺，如微型钢管柱注浆、高压旋喷桩、地下连续墙等并监测工艺关键参数。
一种适用于地铁工程支护开挖模型试验装置方法

[实用新型]一种可循环使用的浅层地层沉降监测装置-CN202320652414.7有效
发明人：朱茂国;黄东;刘卫国;蒋振原;李路;韩理想;赵伟;孙晓峰;岳远刚;李铭记;许锋 -专利权人：中铁第六勘察设计院集团有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可循环使用的浅层地层沉降监测装置，包括监测杆件、承重装置、球头装置、杆件回收装置，监测杆件为圆柱状结构，顶部有开口朝上的凹槽a，底端为锥状结构；承重装置下部为柱状结构，在该装置安装时承重装置的下部嵌入监测杆件的顶部凹槽a中；球头装置上部为球面结构，下部为柱状结构，底部中心有开口朝下的凹槽b，在该装置监测使用时监测杆件顶部与凹槽b连接；杆件回收装置为柱状结构，底部中心有开口朝下的凹槽b，在该装置回收时监测杆件顶部与凹槽b连接。本实用新型所述的一种可循环使用的浅层地层沉降监测装置不仅可以保证球头装置的稳定，还能加快工作效率，保证了监测点埋设的存活率，减少地面污染，降低成本。
一种循环使用地层沉降监测装置

[发明专利]一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法-CN202310859127.8在审
发明人：王小周;张梦龙;韩理想;郑筌升;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体公开了一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法，包括：沉淀薄膜、旋涂正光刻胶、刻蚀、去除光刻胶、去除残余SiO2、旋涂负光刻胶、电极蒸镀、退火和蒸镀；本发明中PIN二极管通过复合同质外延制备材料，可避免由离子注入或物理气相沉积导致的晶格损伤和污染；P型SiC复合接触电极结构可通过短时间(3min以内)，低温(700‑850℃)快速退火实现欧姆接触，降低生产成本；PIN二极管外延层总厚度为6μm，可在2.5V左右达到1A的开启电流，且在3.5V左右达到36A的大电流，同时在650V正向电压下，漏电流仍在30nA以内，具有良好的耐压能力。
一种基于碳化硅同质外延 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]一种大电流耗尽型HEMT器件及其制备方法-CN202310182731.1在审
发明人：李京波;王小周;龚彬彬;韩理想;刘传凯 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种大电流耗尽型HEMT器件及其制备方法，其中，大电流耗尽型HEMT器件，包括：衬底；GaN缓冲层，位于衬底的上表面；U‑GaN层，位于GaN缓冲层的上表面；AlN插入层，位于U‑GaN层的上表面；AlGaN层，位于AlN插入层的上表面；栅介质层，位于AlGaN层的上表面，栅介质层上具有延伸至AlGaN层的第一接触孔和第二接触孔，栅介质层为Al2O3；源电极，形成在第一接触孔上；漏电极，形成在第二接触孔上以及栅电极，形成在栅介质层上；AlGaN层包括位于下方的非掺杂层以及位于上方的掺杂层，掺杂层进行Si原子掺杂。本申请U‑GaN层和AlGaN层形成2DEG，AlN插入层可以一定程度提高电子气浓度；针对欧姆接触和大电流的需求，在AlGaN的外延生长中进行掺杂，在提高2DEG浓度的同时改善电极的接触特性。
一种电流耗尽 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种声学超表面及声涡旋波发生器-CN201810898025.6有效
发明人：吴福根;曾俊锋;张欣;韩理想;杨杭;张文强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G10K11/26 文献下载
摘要：本申请实施例的声学超表面，通过圆柱腔体结构，且由至少4个扇形柱体结构的相位单元基于圆柱腔体结构的中心轴围成，同时至少4个相位单元的按照相位梯度递增的方式在0至2π上环线排列，实现了当入射声波入射进由声学超表面具有绕传播方向环形排列的相位阵列，且结构简单。本申请实施例还公开了声涡旋波发生器，实现了声平面波到声涡旋波的转换，实现了对声波相位的调控。
一种声学表面涡旋发生器

[实用新型]一种具有较高密度及强度且同时具有较强弹性的百洁布-CN202223587181.1有效
发明人：何振凤;韩理想;何强 -专利权人：佳研新材料科技（重庆）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B32B25/02 文献下载
摘要：本实用新型属于尼龙轮技术领域，具体涉及一种具有较高密度及强度且同时具有较强弹性的百洁布，包括基层，所述基层上开设有通孔，所述基层内设置有金属丝，所述基层上设置百洁布层，所述基层上设置有梯形块，所述百洁布层上开设有梯形槽，所述梯形槽内滑动连接有梯形块，所述梯形槽内设置有胶层，所述百洁布层内编织有加强层。本实用新型的有益效果在于：通过设置基层、通孔、百洁布层等结构，通过基层和通孔配合，增加结构整体弹性，通过将百洁布层设置为气流成网生产而成的x交叉结构的百洁布并在其内部设置聚氨酯胶水，结构具有高切削力和较长寿命，同时具备较强弹性，可用于特殊角度的抛光。
一种具有高密度强度同时弹性百洁布

[发明专利]紫外光电探测器及其制备方法-CN202310356611.9在审
发明人：李京波;汪禹;王小周;韩理想;刘传凯;钱昊;刘航瓒 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请公开了紫外光电探测器及其制备方法，其中，紫外光电探测器包括：衬底；缓冲层，位于衬底表面；高阻GaN层，位于缓冲层表面；p‑GaN埋层，位于高阻GaN层表面；n‑‑GaN沟道层，位于p‑GaN埋层表面；AlN插入层，位于n‑‑GaN沟道层表面；Al0.25Ga0.75N隔离层，位于AlN插入层表面；n‑Al0.25Ga0.75N层，位于Al0.25Ga0.75N隔离层表面；p‑GaN帽层，位于n‑Al0.25Ga0.75N层表面，p‑GaN帽层、n‑Al0.25Ga0.75N层和Al0.25Ga0.75N隔离层形成有第一凹口；栅介质层，位于n‑‑GaN沟道层的上表面、p‑GaN帽层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、p‑GaN帽层以及n‑Al0.25Ga0.75N层形成有两个第二凹口；栅电极，位于第一凹口上；漏电极，位于其中一个第二凹口上；源电极，位于另一个第二凹口上。本申请能够降低暗态电流，增加器件的光开关比，且具有优秀的快速光响应性能。
紫外光电探测器及其制备方法

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