“阿部真一郎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果32个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]控制器和控制方法-CN202310673549.6在审
发明人：元山琢人;半田正树;阿部真一郎;豊吉政彦;李骏;多井坚一郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04N23/695 文献下载
摘要：控制装置(100)包括：获取单元(121)，其获取由位于移动体上的摄像图像捕获装置(10)摄像的图像数据；以及计算单元(127)，其基于图像数据中包括的被摄体来计算在移动体上设置的多个测距图像捕获装置(20‑1、20‑2、20‑3、20‑4)之间所检测的被摄体的位置的相对位置。
控制器控制方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810246905.5有效
发明人：山越英明;桥本孝司;阿部真一郎;大水祐人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本文公开了半导体器件及其制造方法。在具有ONO膜的MONOS存储器中，防止在ONO膜上方的控制栅电极的下表面的端部与ONO膜下方的半导体衬底之间发生电介质击穿和短路。当形成在ONO膜ON上方的多晶硅膜被处理以形成控制栅电极时，ONO膜不被处理。随后，形成覆盖控制栅电极的侧表面的第二偏移间隔物。然后，使用第二偏移间隔物作为掩模，处理ONO膜。这产生了ONO膜的端部在控制栅电极的栅极长度方向上分别从控制栅电极的侧表面向外突出的形状。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710560757.X有效
发明人：山越英明;桥本孝司;阿部真一郎;大水祐人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：提供一种制造半导体器件的方法，实现了半导体器件的稳定性的提高。得到以下结构：在位于存储区中的半导体衬底上方形成用于存储元件的栅绝缘膜的第一绝缘膜，在位于较低击穿电压MISFET形成区中的半导体衬底上方形成用于较低击穿电压MISFET的栅绝缘膜的第二绝缘膜和在位于较高击穿电压MISFET形成区中的半导体衬底上方形成用于较高击穿电压MISFET的栅绝缘膜的第三绝缘膜。随后形成用于栅电极的膜，然后对膜进行图案化，以形成存储元件、较低击穿电压MISFET和较高击穿电压MISFET的相应栅电极。在形成第一绝缘膜的步骤之后，执行形成第二绝缘膜的步骤。在形成第一绝缘膜的步骤之前，执行形成第三绝缘膜的步骤。
制造半导体器件方法

[发明专利]控制装置、控制方法和控制程序-CN201980079871.8有效
发明人：元山琢人;半田正树;阿部真一郎;豊吉政彦;李骏;多井坚一郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04N23/54 文献下载
摘要：控制装置(100)包括：获取单元(121)，其获取由位于移动体上的摄像图像捕获装置(10)摄像的图像数据；以及计算单元(127)，其基于图像数据中包括的被摄体来计算在移动体上设置的多个测距图像捕获装置(20‑1、20‑2、20‑3、20‑4)之间所检测的被摄体的位置的相对位置。
控制装置方法控制程序

[发明专利]负荷时抽头切换器的抽头选择器-CN202180046867.9在审
发明人：江口直纪;阿部真一郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01F29/04 文献下载
摘要：实施方式的负荷时抽头切换器的抽头选择器具有日内瓦驱动器和马氏间歇齿轮。日内瓦驱动器能够旋转。马氏间歇齿轮与所述日内瓦驱动器的旋转连动地旋转。马氏间歇齿轮具备马氏间歇挡块和齿轮基座。马氏间歇挡块设置于所述马氏间歇齿轮的旋转方向的一部分。齿轮基座具有可装卸地安装所述马氏间歇挡块的挡块安装凹部。对于一个种类的所述齿轮基座的所述挡块安装凹部，能够更换互不相同的种类的所述马氏间歇挡块。
负荷抽头切换选择器

[发明专利]信息处理装置、信息处理方法、程序和飞行体-CN202080072994.1在审
发明人：丰吉政彦;漆户航平;李骏;阿部真一郎;元山琢人 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G05D1/10 文献下载
摘要：本发明实现飞行体的高速自主飞行。在本发明中，基于自身位置估计信息和三维距离测量信息生成三维实时观测结果。获取对应于三维实时观测结果的初步地图。执行三维实时观测结果与初步地图的位置对准。在执行对准之后，基于初步地图扩展三维实时观测结果。基于已扩展的三维实时观测结果来设定飞行路线。本发明使得可以通过全局行动计划一次全部地精确地计算诸如无人机的飞行体的相对长的飞行路线，并且实现飞行体的高速自主飞行。
信息处理装置方法程序飞行

[发明专利]带负载时抽头转换器-CN201980100732.9在审
发明人：田边知宏;阿部真一郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01F29/02 文献下载
摘要：实施方式的带负载时抽头转换器具有转换开关和容器。转换开关进行绕组的抽头转换动作。容器收容转换开关。容器具有供转换开关紧固的底部。
负载抽头转换器

[发明专利]负载时抽头切换器的切换开闭器以及负载时抽头切换器-CN201980096794.7在审
发明人：江口直纪;阿部真一郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01F29/04 文献下载
摘要：实施方式的负载时抽头切换器的切换开闭器具有第一抽头端子以及第二抽头端子、阀、第一限流电阻器以及第二限流电阻器。第一抽头端子以及第二抽头端子连接于负载时抽头切换器的抽头选择器。阀经由第一阀开关连接于第一抽头端子，经由第二阀开关连接于第二抽头端子。第一限流电阻器经由第一电阻开关连接于第一抽头端子，以与阀并联的方式连接于第一抽头端子。第二限流电阻器经由第二电阻开关连接于第二抽头端子，以与阀并联的方式连接于第二抽头端子。
负载抽头切换开闭以及

[发明专利]移动体、移动体的控制方法和程序-CN202080021996.8在审
发明人：丰吉政彦;漆户航平;李骏;佐藤竜太;阿部真一郎;元山琢人;半田正树 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G05D1/10 文献下载
摘要：本技术涉及一种移动体、一种移动体的控制方法和一种能够在移动中精确地检测和避开可能是障碍物的线状物体的程序。移动体检测由立体相机中的至少一个相机捕获的捕获图像中的线段，并在与线段正交的方向上移动固定有立体相机的机器主体。本技术可以应用于例如执行自主飞行的移动体等，诸如无人机。
移动控制方法程序

[发明专利]控制装置、控制方法和程序-CN201980070628.X在审
发明人：半田正树;阿部真一郎;豊吉政彦;元山琢人;李骏;多井坚一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G05D1/00 文献下载
摘要：提供了一种控制装置(100)，该控制装置具有：获取单元(121)，其获取通过利用成像单元(20)对利用自发发射光执行照射的移动体或以规定模式移动的移动体周围的对象进行成像而获得的成像数据；以及确定单元(122)，其在由获取单元(121)获取的成像数据具有特定模式的情况下确定对象是障碍物。
控制装置方法程序

[发明专利]信息处理装置、信息处理方法、程序和移动体-CN201880067729.7在审
发明人：李骏;福井启;阿部真一郎;丰吉政彦;山本启太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01C21/30 文献下载
摘要：本特征涉及一种信息处理装置、信息处理方法、程序和移动体，其被配置为使得能够提高移动体的自身位置估计的精度。该信息处理装置包括：特征点检测单元，其检测用于移动体的自身位置估计的参考图像中的特征点；不变性估计单元，其估计该特征点的不变性；以及地图生成单元，其基于该特征点和该特征点的不变性生成地图。本特征可以应用于例如用于估计移动体自身位置的设备或系统，或应用于车辆或各种其他这种类型的移动体。
信息处理装置方法程序移动

[发明专利]信息处理装置、信息处理方法、程序和移动体-CN201880067728.2在审
发明人：丰吉政彦;李骏;山本启太郎;阿部真一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01C21/28 文献下载
摘要：本发明涉及能够容易地提高移动体的自身位置估计的环境耐受性的信息处理装置、信息处理方法、程序和移动体。信息处理装置设置有：第一自身位置估计单元，通过使用可视图像来估计移动体的自身位置；第二自身位置估计单元，通过使用红外图像来估计移动体的自身位置；以及组合单元，基于移动体所处的状况来设定通过使用可视图像进行的自身位置估计的第一估计结果的第一权重和通过使用红外图像进行的自身位置估计的第二估计结果的第二权重，并且通过使用第一权重和第二权重来组合第一估计结果和第二估计结果。本发明可应用于例如移动体，诸如车辆。
信息处理装置方法程序移动

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510640606.6有效
发明人：山部和治;阿部真一郎;吉田省史;山越英明;工藤敏生;村中诚志;大和田福夫;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法。为了提供具有改善的性能的半导体器件同时改善半导体器件的制造步骤中的吞吐量。在半导体衬底上形成由第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜构成的绝缘膜部。所述第二绝缘膜是第一电荷存储膜并且所述第四绝缘膜是第二电荷存储膜。所述第一电荷存储膜含有硅和氮；所述第三绝缘膜含有硅和氧；并且所述第二电荷存储膜含有硅和氮。所述第三绝缘膜的厚度小于所述第一电荷存储膜的厚度并且所述第二电荷存储膜的厚度大于所述第一电荷存储膜的厚度。通过用含水的处理液对所述第一电荷存储膜的上表面进行处理来形成所述第三绝缘膜。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201810618493.3在审
发明人： 阿部真一郎;桥本孝司;山越英明;大水祐人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在包括非易失性存储器的半导体器件中，未选定位的存储器晶体管的信息在信息写入操作期间被意外擦除。阱区被提供在SOI衬底中限定的块体区的存储器区中。具有LDD区和扩散层的存储器晶体管被提供在所述阱区中。抬升的外延层被提供在所述阱区的所述表面上。所述LDD区从所述阱区的定位在栅电极的侧壁表面正下方的部分提供至所述阱区的定位在所述抬升的外延层正下方的部分。所述扩散层被提供在所述抬升的外延层中。
半导体器件阱区外延层抬升存储器晶体管扩散层非易失性存储器操作期间侧壁表面存储器区信息写入栅电极擦除衬底块体制造申请

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201810374912.3在审
发明人： 阿部真一郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：构成存储单元的栅极绝缘膜的最上层的绝缘膜包含氧化硅膜，并且是添加金属或金属氧化物的层。绝缘膜的形成步骤包括以下步骤：形成氧化硅膜；以及通过溅射工艺将金属或金属氧化物以原子或分子状态添加到氧化硅膜上。金属的氧化物的介电常数高于氧化硅的介电常数，并且金属氧化物的介电常数高于氧化硅的介电常数。高K添加层因此用作构成存储单元的栅极绝缘膜的绝缘膜，从而可以保持阈值电压的高饱和水平同时减小驱动电压(用于擦除或写入的施加电压)，这带来存储单元的可靠性的提高。
介电常数存储单元氧化硅膜绝缘膜金属或金属氧化物半导体器件栅极绝缘膜氧化硅金属氧化物分子状态驱动电压施加电压阈值电压高饱和添加层最上层氧化物擦除减小溅射写入金属制造

1
2
3
下一页»
尾页
共 32 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top