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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202210506337.4在审
发明人： 金文铉;崔道永;河大元;金旻奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源图案，在衬底上；多个源/漏图案，在有源图案上沿第一方向布置；第一沟道结构，在源/漏图案中的一对源/漏图案之间；第二沟道结构，在源/漏图案中的另一对源/漏图案之间；第一栅电极，与第一沟道结构相交并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸；以及第二栅电极，与第二沟道结构相交并且在第二方向上延伸。第一栅电极包括在第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分，并且第二栅电极包括在第二沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分。第二栅电极的第一部分的厚度大于第一栅电极的第一部分的厚度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法-CN202111651145.4在审
发明人： 金文铉;科恩·瑞姆;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；有源图案，在基底上沿第一水平方向延伸；栅电极，在有源图案上沿不同于第一水平方向的第二水平方向延伸；源区/漏区，位于栅电极的至少一侧上；源极/漏极接触件，延伸到源区/漏区中，并且包括填充层和沿着填充层的侧壁的阻挡层；以及硅化物层，位于源区/漏区与填充层之间，硅化物层包括与填充层接触的第一侧壁和与源区/漏区接触的第二侧壁，其中，阻挡层不位于填充层与源区/漏区之间。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210185336.4在审
发明人：朴容喜;金文铉;权义熙;柳主馨;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，与有源区交叉，并且在基底上沿第二方向上延伸；源区/漏区，位于其中有源区在栅极结构中的每个的两侧上凹陷的凹陷区域中；以及接触插塞，连接到源区/漏区，其中，源区/漏区中的每个源区/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层在与基底的上表面垂直的第三方向上在凹陷区域中顺序堆叠在有源区上，并且其中，在源区/漏区中的不同源区/漏区中，第一外延层在第三方向上的厚度与第二外延层在第三方向上的厚度的比是不同的。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111376489.9在审
发明人： 金文铉;金旻奎;崔道永;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括在基板上的有源图案、在有源图案上的源极/漏极图案、在每个源极/漏极图案的侧表面上的围栏间隔物、插设在源极/漏极图案之间的沟道图案、与沟道图案交叉并在第一方向上延伸的栅电极、以及在栅电极的侧表面上的栅极间隔物。围栏间隔物的上部的在第一方向上的第一厚度可以大于栅极间隔物的在与第一方向交叉的第二方向上的第二厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110651929.0在审
发明人： 金文铉;姜明吉;金完敦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底；有源图案，位于基底的上部中并且在第一方向上延伸；栅电极，与有源图案交叉并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一栅极间隔件，覆盖栅电极的侧表面；第一抑制层，位于栅电极与第一栅极间隔件之间；以及栅极绝缘层，位于栅电极与有源图案之间。栅极绝缘层可以包括高k介电层和栅极氧化物层。栅极氧化物层可以位于高k介电层与有源图案之间。高k介电层可以局部地设置在栅极氧化物层与栅电极之间。
半导体装置

[发明专利]具有多沟道有源区的半导体器件-CN202110455007.2在审
发明人： 金文铉;郑舜文;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种多沟道绝缘体上半导体(SOI)晶体管包括：衬底，所述衬底上具有电绝缘层和位于所述电绝缘层上的半导体有源层。还设置了掩埋在所述半导体有源层内的间隔开的绝缘栅电极的竖直堆叠。该竖直堆叠包括邻近所述电绝缘层延伸的第一绝缘栅电极和与所述半导体有源层的表面间隔开的第(N‑1)绝缘栅电极，其中，N是大于2的正整数。第N绝缘栅电极设置在所述半导体有源层的所述表面上。成对的源极/漏极区域设置在所述半导体有源层内。这些源极/漏极区域邻近所述间隔开的绝缘栅电极的竖直堆叠的相对两侧延伸。在这些方面中的一些方面，所述半导体有源层在所述成对的源极/漏极区域与所述电绝缘层之间延伸，而所述第一绝缘栅电极接触所述电绝缘层。
具有沟道有源半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110878115.0在审
发明人： 金文铉;郑荣采;金旻奎;金善培;朴鍊皓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN202110862128.9在审
发明人：金成玟;金文铉;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有彼此分开的第一区域和第二区域；层叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个有源层；第一隔离绝缘层，在第一区域上的层叠结构上；第二隔离绝缘层，在第二区域上的层叠结构上，第二隔离绝缘层具有与第一隔离绝缘层相同的厚度；第一上有源图案，与第一隔离绝缘层间隔开；第一栅电极，围绕第一上有源图案的至少一部分；第二上有源图案，与第二隔离绝缘层间隔开；以及第二栅电极，围绕第二上有源图案的至少一部分，其中第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层的顶表面处于不同的高度。
半导体器件制造方法

[发明专利]光学器件衬底、光学器件衬底制造方法及光学器件-CN201711071542.8有效
发明人：朴胜浩;金文铉;宋台焕 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种光学器件衬底，包括衬底主体，所述衬底主体具有形成在其上的安装空间；以及引导图案，所述引导图案层压在所述衬底主体上并且配置成引导用于覆盖所述安装空间的封盖。
光学器件衬底制造方法

[发明专利]紫外线杀菌器-CN202010494754.2在审
发明人：安范模;朴胜浩;金文铉 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外线(UV)杀菌器，涉及一种不制约杀菌产品的大小而对各种大小的产品的各种有害细菌进行杀菌的紫外线杀菌器。
紫外线杀菌

[发明专利]光学元件封装及使用其的装置-CN202010400115.5在审
发明人：安范模;朴胜浩;金文铉 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：提供一种光学元件封装及使用其的装置，在本发明的光学元件封装中，包括：主基板，包括多个金属主体、及包含在所述金属主体之间的垂直绝缘部；次级基板，包含在所述主基板的空腔中，并跨过所述垂直绝缘部而电连接到所述金属主体中的每一者；光学元件，安装在所述次级基板；以及光透过部件，包含在所述光学元件的上部，所述次级基板包括：绝缘主体；通孔，上下贯通所述绝缘主体且填充有金属物质；以及金属衬垫，与所述光学元件连接。
光学元件封装使用装置

[发明专利]半导体器件以及具有该半导体器件的反相器-CN201610873691.5有效
发明人： 金文铉;卢昶佑;赵槿汇;姜明吉;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS器件和CMOS反相器。CMOS器件包括：衬底，其具有在第一方向上延伸且由器件隔离层限定的有源线，所述衬底被划分为NMOS区、PMOS区以及介于NMOS区与PMOS区之间且具有器件隔离层而不具有有源线的边界区；栅线，其在第二方向上延伸与有源线交叉，并且具有位于NMOS区中的有源线上的第一栅极结构、位于PMOS区中的有源线上的第二栅极结构以及位于边界区中的器件隔离层上的第三栅极结构。第三栅极结构的电阻和寄生电容小于第一栅极结构和第二栅极结构的电阻和寄生电容。因此，可获得CMOS器件更好的AC性能和DC性能。
半导体器件以及具有反相器

[发明专利]包括窄有源图案的半导体装置-CN201910949506.X在审
发明人： 金文铉;朴炳国;赵槿汇;金时铉;李基太 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。
包括有源图案半导体装置

[发明专利]具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件-CN201610674649.0有效
发明人：董耀旗;金文铉;赵槿汇;前田茂伸;吴汉洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
具有第一栅极电极第二半导体器件

[发明专利]光学器件衬底、光学器件衬底制造方法及光学器件-CN201711070751.0有效
发明人：朴胜浩;金文铉;宋台焕 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光学器件衬底，包括衬底主体，所述衬底主体具有形成在其上的安装空间；以及层压层，所述层压层形成在衬底主体上。用于连接安装空间和衬底主体的外部的凹槽图案化在层压层中。
光学器件衬底制造方法

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