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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]光掩模坯以及光掩模的制备方法-CN201710120181.5有效
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。
光掩模坯以及光掩模制备方法

[发明专利]半色调相移掩模坯和半色调相移掩模-CN201710900085.2有效
发明人：稻月判臣;高坂卓郎;笹本纮平;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
色调相移掩模坯

[发明专利]反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法-CN202210690653.1在审
发明人：高坂卓郎;生越大河;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。
反射型掩模坯料制造方法

[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模-CN202210196580.0在审
发明人：三村祥平;金子英雄;寺泽恒男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、半金属或轻元素的吸收体膜。
反射型掩模坯料

[发明专利]反射型掩模坯料及其制造方法-CN202210196543.X在审
发明人：寺泽恒男;金子英雄;三村祥平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料及其制造方法。反射型掩模坯料的吸收体膜用金属和半金属元素选自分别包括在第一、第二和第三区域中的第一、第二和第三元素，其由每种金属和半金属元素的单质的折射率n和消光系数k限定，并且通过所选择的金属和半金属元素形成吸收体膜从而具有反射率比为0.05至0.25和相位偏移为180至260°。
反射型掩模坯料及其制造方法

[发明专利]用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法以及EUV掩模坯料-CN202111052690.1在审
发明人：稻月判臣;寺泽恒男;高坂卓郎;金子英雄;西川和宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法以及EUV掩模坯料。具体地，提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，该衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括Si/Mo层叠部和保护层，该保护层含有Ru并包括由Ru组成的下层和由含有Ru和选自除Ru以外的金属和准金属中的至少一种的材料组成的上层。
用于 euv 坯料具有多层反射衬底制造方法以及

[发明专利]用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法和EUV掩模坯料-CN202111052720.9在审
发明人：稻月判臣;寺泽恒男;高坂卓郎;金子英雄;西川和宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，其制造方法和EUV掩模坯料。具有多层反射膜的衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括其中Si层与Mo层交替层叠的Si/Mo层叠部，在Si/Mo层叠部的Si层与Mo层之间的一个或多个部分插入有含有Si和N的层，其与Si层和Mo层都接触。
用于 euv 坯料具有多层反射衬底制造方法

[发明专利]基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置-CN202110969576.9在审
发明人：寺泽恒男;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：提供一种基板的缺陷检查方法及缺陷检查装置，在利用来自被检查基板的散射光的暗视场检查中，能够适当设定确定检测灵敏度的阈值而实现可靠性高的相位缺陷检查。一种基板的缺陷检查方法，具有：在第一聚光光学系统中向被检查基板照射来自EUV光源的EUV光的工序；在第二聚光光学系统中向传感器的受光面引导从被检查基板反射的反射光中的除去正反射光的散射光的工序；当接受的散射光的强度超过规定的阈值时，判断为在被检查基板的EUV光的照射处存在缺陷的工序，该方法具有：反射率获取工序，在向被检查基板照射EUV光之前预先获得被检查基板的EUV光的反射率；阈值运算工序，基于在该反射率获取工序中获得的反射率确定规定的阈值。
缺陷检查方法装置

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法-CN202110723451.8在审
发明人：笹本纮平;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料及其制造方法。在包括透明基板和含有过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，以及含有过渡金属及硅中的一者或两者的任选第二无机膜的光掩模坯料中，当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的TOF‑SIMS在透明基板和无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在透明基板和无机膜的界面或无机膜的界面处检测的含碳二次离子强度高于分别在远离界面侧检测的含碳二次离子强度两者。
光掩模坯料及其制造方法

[发明专利]半色调相移光掩模坯和制造方法-CN201710052066.9有效
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。
色调相移光掩模坯制造方法

[发明专利]用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料-CN202110458020.3在审
发明人：寺泽恒男;金子英雄;稻月判臣;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料。提供一种用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料，该用于反射型掩模坯料的带膜的基板包括：基板、Mo层和Si层的多层反射膜、以及Ru保护膜。基板和坯料包括在Mo层和Si层之间存在的含有Mo和Si的混合层，和在最上层Si层和Ru保护膜之间生成的含有Ru和Si的另一混合层；该膜和层具有满足限定的表达式的厚度。
用于反射型掩模坯料

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN201510458035.4有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模-CN201710898801.8有效
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
色调相移光掩模坯制造方法光掩模

[发明专利]反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法-CN202010951398.2在审
发明人：寺泽恒男;金子英雄;稻月判臣;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法。具体涉及一种反射性掩模坯料，其包括衬底、从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜以及导电膜。在衬底的其他主表面上形成坐标参比标记时，在另一主表面上形成坐标参比标记。
反射性掩模坯料制造方法

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