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[发明专利]灰色调掩模坯、灰色调掩模及制品加工标识或制品信息标识的形成方法-CN201210412083.6有效
发明人：深谷创一;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
色调掩模坯制品加工标识信息形成方法

[发明专利]溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法-CN201110455404.6有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
溅射形成用硅靶薄膜方法

[发明专利]光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法-CN201110348752.3有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二;金子英雄;原口崇;小岛洋介;广濑智一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
光掩模坯料制造方法图案曝光过渡金属基材设计

[发明专利]二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法-CN201110310117.6有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;西川和宏;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
二元光掩模坯料制造方法

[发明专利]蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法-CN201010270048.6有效
发明人：五十岚慎一;稻月判臣;金子英雄;吉川博树;木名濑良纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
蚀刻方法光掩模坯料加工

[发明专利]光掩模制造方法-CN201010274835.8有效
发明人：五十岚慎一;稻月判臣;金子英雄;吉川博树;木名濑良纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
光掩模制造方法

[发明专利]用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法-CN201010158156.4有效
发明人：稻月判臣;金子英雄;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开了一种用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法。通过下述步骤来检查衬底上有膜的光掩模坯：(A)测量具有待检查应力的膜的光掩模坯的表面形貌，(B)从所述光掩模坯去除所述膜以提供经处理的衬底，(C)测量去除所述膜之后经处理的衬底的表面形貌，以及(D)比较光掩模坯或中间体的表面形貌和经处理的衬底的表面形貌，由此评估膜中的应力。
用于检查判定光掩模坯中间体方法

[发明专利]检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法-CN201010158168.7有效
发明人：稻月判臣;金子英雄;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
检查制造光掩模基坯中间确定高能辐射量方法

[发明专利]光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法-CN201010148960.4有效
发明人：渡边聪;金子英雄;小板桥龙二;五十岚慎一;河合义夫;白井省三 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
光掩模坯料加工方法蚀刻

[发明专利]灰色调掩模坯、灰色调掩模及制品加工标识或制品信息标识的形成方法-CN200910160207.4有效
发明人：深谷创一;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30％，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
色调掩模坯制品加工标识信息形成方法

[发明专利]光掩膜基板的制造方法-CN200610136330.9有效
发明人：福岛慎泰;吉川博树;金子英雄;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种具有最基本结构的基座(11)，具有包括第一和第二透明石英部分(11a)以及夹在它们之间的不透明石英部分(11b)的三层结构。例如，不透明石英部分(11b)由“泡沫石英”制成。另外，考虑在衬底(10)上所形成的薄膜的组分或厚度以及在闪光照射期间关于照射光能量的各种条件等，将不透明石英部分(11b)对闪光的不透明度确定在基于不透明石英部分(11b)材料或厚度的适当范围内。叠置结构可以包括具有不同透明度的多个不透明石英层的叠置。
光掩膜基板制造方法

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