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[发明专利]半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管-CN201710265559.0有效
发明人： 酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优;佐佐木善和 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社和广武
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nmdf150nm的范围以适于微细化，可进行写入电压的绝对值为3.3V以下的数据的写入。半导体强电介质存储元件的制造方法的特征在于，其是在半导体基体上按以下顺序形成了绝缘体、由铋层状钙钛矿结晶的强电介质的构成元素构成的膜、和金属后进行强电介质结晶化退火而制造的由半导体基体和绝缘体和强电介质和金属构成的元件的制造方法，上述膜由Ca和Sr和Bi和Ta和氧原子构成，上述金属由Ir或Pt或Ir和Pt的合金或Ru构成，上述强电介质结晶化退火在氮中加入了氧的混合气体中或者在氩中加入了氧的混合气体中进行。
半导体电介质存储元件制造方法晶体管

[发明专利]离子束照射装置-CN201610838817.5有效
发明人：高桥直也;藤田秀树;吉村洋祐;酒井滋树 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束照射装置，与以往相比能够使包含在离子束中的不需要的离子减少。该离子束照射装置包括：离子源(2)；质量分离器(3)，从由离子源(2)引出的离子束(IB)中挑选并导出确定的质量和价数的掺杂离子；以及能量过滤器，形成离子束(IB)通过的束通过区域，并且通过被施加过滤器电压(V_F)而成为规定的过滤器电位(V_fil)，利用离子的能量差，区分通过所述束通过区域的通过离子和不通过所述束通过区域的非通过离子，以使所述通过离子中包含所述掺杂离子并且使所述非通过离子中包含在质量分离器(3)中不能与所述掺杂离子区分的不需要的离子的至少一部分的方式设定过滤器电位(V_fil)。
离子束照射装置

[发明专利]半导体存储元件、其他元件及其制造方法-CN201780041826.4在审
发明人：高桥光惠;酒井滋树;楠原昌树;都田昌之;梅田优;佐佐木善和 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社华哥姆研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。
存储体底面半导体存储元件半导体基板导体层叠构造高纵横比任何位置侧面上表面堆叠隔壁制造包围

[发明专利]强介电体装置及其制造方法-CN201480041965.3有效
发明人： 酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社华哥姆研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr‑Bi‑Ta‑O为主成分的强介电体的强介电体装置相比、存储器窗口更广且适合于微细化。在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr‑Ca‑Bi‑Ta‑O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。
强介电体绝缘体氧化物成膜有机金属气相沉积耐受性非挥发性存储存储器热处理导体成膜原料强介电性蚀刻加工栅极堆栈微细化半导体制造改写侧面

[发明专利]半导体铁电存储晶体管及其制造方法-CN201380030192.4有效
发明人： 酒井滋树;张*;高桥光惠 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：提供即使是200nm以下的铁电体膜厚存储窗也大且具有优异的数据保持特性和优异的脉冲重写耐性等的FeFET(铁电场效应晶体管)。所述FeFET具有在有源极区(12)和漏极区(13)的半导体基体(10)上依次层叠有绝缘体(11)和栅电极导体(4)的结构，绝缘体(11)是在基体(10)上依次层叠第一绝缘体(1)、第二绝缘体(2)而构成，第二绝缘体(2)的主成分为锶和钙和铋和钽的氧化物。
半导体存储晶体管及其制造方法

[发明专利]离子束辐射装置以及制造半导体器件的方法-CN200780021880.9无效
发明人：石川顺三;丹·尼古拉斯库;后藤康仁;酒井滋树 -专利权人：国立大学法人京都大学;日新离子机器株式会社
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种具有场发射电子源(10)的离子辐射装置，其中，所述场发射电子源(10)设置在离子束(2)的路径的附近并且发射电子(12)。场发射电子源(10)以一个方向设置，沿着该方向，由从电子源(10)发射的电子(12)与平行于离子束(2)的行进方向的方向所形成的入射角处于-15度至+45度的范围内(离子束(2)的内向方向是“+”，以及其外向方向是“-”)。
离子束辐射装置以及制造半导体器件方法

[发明专利]半导体集成电路-CN200680020593.1有效
发明人：高桥光惠;酒井滋树 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：为了能够不需要分别设置非易失性存储保持用途的场效应晶体管和逻辑运算用途的场效应晶体管的制造工序，将上述2个用途的场效应晶体管以同一结构制作在同一半导体衬底上，由栅绝缘结构体12中含有存储保持材料的n及p沟道型场效应晶体管构成半导体集成电路的存储电路和逻辑电路，通过控制栅绝缘结构体中含有存储保持材料的n及p沟道型场效应晶体管的栅极－衬底区域间施加的电压大小和施加定时，电切换逻辑运算状态和存储写入状态和非易失性存储保持状态。
半导体集成电路

[发明专利]衬底上薄膜的制作方法-CN200380106434.X无效
发明人： 酒井滋树 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：在预备步骤中，在测试衬底与激光束在靶(12)上的入射点的空间位置之间存在着固定的位置关系的状态下，在将激光束(LB)照射在靶(12)上的同时，或在将激光束(LB)照射在靶(12)上并旋转测试衬底的同时，预先得到有关淀积在用来在固定的辐照时间内收集信息的测试衬底(11)上的膜厚度的信息。在主要步骤中，根据预先在预备步骤中得到的膜厚度分布信息，调整各个相对位置关系处的淀积时间，同时相对于激光束(LB)到靶(12)的入射点空间移动或绕特定的旋转中心轴旋转衬底(1)或衬底夹具(21)，或同时执行所述相对旋转和所述相对移动二者。
衬底薄膜制作方法

[发明专利]半导体－铁电体存储器设备以及制造该设备的工艺-CN03824441.1有效
发明人： 酒井滋树 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2003-08-19 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：此前的MFIS晶体管存在的问题的是，在数据写入之后，数据会根据存储晶体管的操作在大约最多一天的时间里消失。这主要是因为：缓冲层与铁电体具有很高的漏电流，因此，电荷积聚在铁电体与缓冲层之间的界面周围，从而屏蔽了由铁电体存储的电极化，使铁电体的电极化无法控制晶体管中的源极与漏极之间的电导。在本发明中，通过构造由HfO_2+u或Hf_1－xAl_2xO_2+x+y制成的绝缘体缓冲层2，可以减少流经绝缘体缓冲层2以及铁电体3中的每一个的漏电流，并且可以实现具有真正的充分长的数据保持时间的存储晶体管。
半导体铁电体存储器设备以及制造工艺

[发明专利]用于离子束照射装置的等离子体产生装置-CN01142968.2有效
发明人：滨本成显;酒井滋树 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子束辐射装置被装备有等离子体产生装置30，该等离子束产生装置通过射频放电产生等离子体12并将所产生的等离子体供给到基片4附近。该等离子体产生装置30包括沿着轴33延伸的等离子体产生室32，该轴33沿着离子束被移动的扫描方向X延伸；被装备在其上一侧的等离子发射孔34；以及被装备在等离子体产生室32外面的磁体36，用于产生具有沿着轴33方向的磁场。由磁体36产生的磁场包含一个具有沿着轴33方向且将包含在等离子体12中的离子弯转向基片的磁场，等离子体由等离子发射孔34发射出。
用于离子束照射装置等离子体产生

[发明专利]充电测定装置-CN00118812.7无效
发明人： 酒井滋树 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2000-04-26 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供可以模拟地并且按高精度测定基片充电的充电测定装置。该充电测定装置(20)包括排列在与离子束(12)交叉的面上并接受离子束(12)的多个测定导体(22)；与各测定导体(22)分别连接的多个双向稳压元件(28)；和分别测定流过各双向稳压元件(28)电流I的极性和大小的多个电流测定器(30)。
充电测定装置

[发明专利]等离子体源-CN00104533.4无效
发明人： 酒井滋树;高桥正人 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置),该电磁铁在等离子体室容器内,在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。
等离子体

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