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[发明专利]一种修复外延层缺陷的方法-CN202211244493.4在审
发明人：旷明胜;郑洪仿;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种修复外延层缺陷的方法，涉及半导体外延技术领域，包括以下步骤：在带缺陷的外延层上沉积第一金属薄层；退火处理，使第一金属薄层中的金属颗粒在外延层的缺陷处形成金属团聚物，并使第一金属薄层保持对外延层的非缺陷区域的覆盖形成缓冲层；等离子体轰击，使金属团聚物的金属颗粒与缺陷处紧密嵌合成一体，并且通过缓冲层将轰击能量间接传递到外延层的表面，使外延层的表面粗糙化；金属团聚物和缓冲层被等离子体轰击后在外延层的表面成型有第二金属薄层；采用化学药液去除外延层表面的所述第二金属薄层。本发明的方法通过修复外延层表面的缺陷，能有效地改善LED芯片的欧姆接触，提高芯片的出光效率，增强芯片的亮度性能。
一种修复外延缺陷方法

[发明专利]一种低翘曲度键合片的键合方法-CN202211314579.X在审
发明人： 郑洪仿;旷明胜;陈慧秋 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
一种曲度键合片方法

[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法-CN202110845853.5在审
发明人：单志远;郑洪仿;杨杰;谭伟翔;陈国津 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其的制备方法，所述制备方法包括：S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以形成图型化氧化膜；S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层，形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。本发明的制备方法简单，可防止应力过大的问题，有效提高芯片的良率高，所述制得的芯片亮度高。
一种亮度倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极、光探测器芯片及其制备方法-CN202110640050.6在审
发明人：单志远;郑洪仿;陈凯;范凯平;陆绍坚;崔永进 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法，该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面，为肖特基接触的合金电极层，该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上，该叉指电极由高纵横比的双沟道三指头和一对方形pad图形组成，其中第一和第二指头分别连接至第一方形pad图形的两端侧，第三指头连接至第二方形pad图形的中部，第一方形pad图形和第二方形pad图形相对设置，第三指头设置于第一、第二指头之间。金属层的设置提升了其与GaN微米线之间的粘附力，器件的成品率高，且高的纵横比提升了器件响应度和响应速率，降低了暗电流。
一种基于 gan 微米阵列探测器芯片电极及其制备方法

[实用新型]一种垂直结构LED芯片-CN201920017286.2有效
发明人：颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。本实用新型的芯片，翘曲度低，良率和稳定性高。
绝缘层衬底刻蚀阻挡层边缘键合中心键合电极层外延层凹部凸部垂直结构LED芯片背面金属层本实用新型电流扩散层依次设置反射层键合层翘曲度良率芯片贯穿

[实用新型]一种垂直结构LED晶圆-CN201822123477.5有效
发明人：杨振大;郑洪仿;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直结构LED晶圆，包括蓝宝石衬底；设置在蓝宝石衬底上的发光结构，所述发光结构还包括沟道槽，所述沟道槽刻蚀至第一半导体层，其宽度为10‑100μm；设置在沟道槽侧壁上的绝缘层；设置在沟道槽内的第一金属层，所述第一金属层与第一半导体层连接；设置在第一金属层上的第二金属层；设置在第二金属层和电流扩展层上的第三金属层；设置在硅衬底上的焊料层，其中，所述焊料层与第三金属层共晶形成一整体，以将硅衬底连接在发光结构上。本实用新型的垂直结构LED晶圆，通过沟道槽、第一金属层、第二金属层的相互配合，以提高剥离衬底的良率，降低生产成本。
沟道槽第一金属层垂直结构LED 第二金属层发光结构晶圆本实用新型蓝宝石半导体层硅衬底焊料层金属层衬底绝缘层电流扩展层剥离衬侧壁共晶刻蚀良率配合

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN201910003899.5在审
发明人：颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片的制作方法。本发明的芯片，翘曲度低，良率和稳定性高。
绝缘层衬底垂直结构LED芯片刻蚀阻挡层边缘键合中心键合电极层外延层凹部凸部背面金属层电流扩散层依次设置反射层键合层翘曲度良率制作芯片贯穿

[实用新型]一种垂直结构LED芯片-CN201821584630.8有效
发明人： 郑洪仿;杨振大;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括第二键合缓冲层、依次设于第二键合缓冲层上的第二键合金属层、设于第二键合金属层上的第一键合金属层、设于第一键合金属层上的第一键合缓冲层、设于第一键合金属层上的金属反射层、设于金属反射层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的有源层、设于有源层上的第一半导体层以及设于第一半导体层上的第一电极。本实用新型的垂直结构LED芯片不仅可以消除键合绑定时产生的应力，防止金属溢出，还可以降低芯片的电压。
键合金属层半导体层垂直结构LED芯片缓冲层键合本实用新型金属反射层源层第一电极消除键溢出芯片金属

[实用新型]一种用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底-CN201821589204.3有效
发明人：杨振大;郑洪仿;徐亮 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，用于制作垂直结构LED芯片，包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底上的激光剥离缓冲层和设于激光剥离缓冲层上的生长缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括设置在蓝宝石上的脱附层、设置在脱附层上的激光吸收层以及设置在激光吸收层上的应力缓冲层。本实用新型通过脱附层、激光吸收层、应力缓冲层的叠加作用，一方面使GaN和蓝宝石衬底可以更好的分离，降低激光剥离时所需要的能量，提高工艺窗口，另一方面可以缓冲掉激光剥离过程带来的表面冲击，减少了GaN材料在激光剥离过程中所受到的物理性损伤，从根本上提高激光剥离良率，从而提高垂直结构LED芯片的生产良率，实现了量产化，提高了经济效益。
激光剥离垂直结构LED芯片蓝宝石缓冲层衬底激光吸收层脱附层应力缓冲层良率制作复合本实用新型物理性损伤表面冲击叠加作用工艺窗口缓冲量产生长生产

[发明专利]一种垂直结构LED晶圆及剥离方法-CN201811539293.5在审
发明人：杨振大;郑洪仿;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED晶圆，包括蓝宝石衬底；设置在蓝宝石衬底上的发光结构，所述发光结构还包括沟道槽，所述沟道槽刻蚀至第一半导体层，其宽度为10‑100μm；设置在沟道槽侧壁上的绝缘层；设置在沟道槽内的第一金属层，所述第一金属层与第一半导体层连接；设置在第一金属层上的第二金属层；设置在第二金属层和电流扩展层上的第三金属层；设置在硅衬底上的焊料层，其中，所述焊料层与第三金属层共晶形成一整体，以将硅衬底连接在发光结构上。相应地，本发明还提供了一种剥离方法。本发明的垂直结构LED晶圆，通过沟道槽、第一金属层、第二金属层的相互配合，以提高剥离衬底的良率，降低生产成本。
沟道槽第一金属层垂直结构LED 第二金属层发光结构晶圆蓝宝石半导体层硅衬底焊料层金属层衬底绝缘层剥离电流扩展层剥离衬侧壁共晶刻蚀良率配合

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN201811131735.2在审
发明人：杨振大;郑洪仿;徐亮 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上形成激光剥离缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括脱附层、激光吸收层和应力缓冲层；在激光剥离缓冲层上形成生长缓冲层和外延层；在外延层上依次形成电流扩展层、反射层和第一键合层；在第二衬底上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层进行键合、共晶，形成共晶层；激光剥离蓝宝石衬底。本发明改善了蓝宝石衬底激光剥离效果，提高垂直结构LED芯片的生产良率。相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片。
激光剥离垂直结构LED芯片缓冲层键合层衬底蓝宝石外延层电流扩展层激光吸收层应力缓冲层反射层共晶层脱附层共晶键合良率制作生长生产

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN201811135614.5在审
发明人： 郑洪仿;杨振大;黄经发 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属层；将第一键合金属层和第二键合层金属键合绑定在一起形成连接；去除第一衬底；将硬质掩膜置于第一半导体层的表面，采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在第一半导体层上形成第一电极；形成单颗的垂直结构LED芯片。相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片。本发明的制作方法不需要使用光刻工艺，提高生产效率和制作成本，减少了光刻过程中产生的有机物对环境的污染。
垂直结构LED芯片半导体层键合金属层衬底金属反射层发光结构制作缓冲层键合电子束蒸发磁控溅射第一电极光刻工艺光刻过程金属键合生产效率硬质掩膜键合层有机物绑定源层去除污染

[发明专利]一种具有反射电流阻挡层的LED芯片及其制作方法-CN201611173096.7在审
发明人： 郑洪仿;何键云 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2016-12-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种具有反射电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，在P型氮化镓层的上方，绝缘的电流阻挡层的下方，采用电子束蒸发或者磁控溅射工艺形成一层具有反射作用的金属反射层，同时金属反射层在绝缘的电流阻挡层的覆盖下具有较高的稳定性。当P、N电极通电后，从有源层发出的光大部分从芯片的正上方出光，而位于P型电极下方的这部分光会通过位于电流阻挡层下方的金属反射层反射回来，再与位于芯片下方的布拉格反射镜的共同作用，从P型电极的周边发出，而不会受到金属电极吸光的影响，从而提高芯片的出光效率，提高芯片的亮度。
一种具有反射电流阻挡 led 芯片及其制作方法

[发明专利]倒装LED芯片及其制作方法-CN201510351127.2在审
发明人：徐亮;郑洪仿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括：制作倒装LED芯片的半成品，所述半成品至少包括透明衬底和位于所述透明衬底一侧的氮化镓外延层，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；将所述半成品固定在切割台上，所述半成品的透明衬底一侧背离所述切割台；对所述透明衬底进行图形化切割，以使所述透明衬底具有凹凸不平的表面，从而能够部分消除透明衬底与空气相接触的表面的全反射现象，进而能够提高倒装LED芯片的出光效率，提高倒装LED芯片的亮度。
倒装 led 芯片及其制作方法

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