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[发明专利]一种低交调混频器-CN202211361724.X在审
发明人：王文娟;张晓朋;邢浦旭;张欢;张昭阳;丁理想;赵子昊 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种低交调混频器。该低交调混频器包括：本振匹配单元、阻性变频单元、巴伦线圈、两个谐振单元、中频匹配单元和射频匹配单元；阻性变频单元包括pHEMT模块，pHEMT模块包括pHEMT管和第一电阻，pHEMT管栅极连接本振匹配单元的输出端，pHEMT管源极接地，当栅压低于开启电压时，pHEMT管不导通；当栅压不低于开启电压时，pHEMT管有线性导通特性；第一电阻的第一端与pHEMT管栅极连接，第一电阻的第二端接地。本发明能够实现较好的交调特性。提高了混频器电路的线性度，从而获得了宽本振功率动态范围，并获得了较小的变频损耗。
一种低交调混频器

[实用新型]混频器测试装置-CN202222195745.0有效
发明人：张晓朋;王文娟;邢浦旭;赵子昊;耿双利;赵亚 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：本实用新型适用于自动化测试技术领域，提供了一种混频器测试装置。该混频器测试装置包括：矢量网络分析仪、中频收发切换模块、射频收发切换模块和本振源模块；矢量网络分析仪分别与中频收发切换模块和射频收发切换模块连接，用于产生中频信号，并对接收到的射频信号进行参数测试，或，产生射频信号，并对接收到的中频信号进行参数测试；中频收发切换模块、射频收发切换模块、本振源模块分别与待测混频器连接，并分别用于放大或衰减中频信号、放大或衰减射频信号、产生本振信号。本实用新型提供的混频器测试装置能够降低测试装置复杂度，简化测试流程，提高测试效率。
混频器测试装置

[发明专利]混频器测试装置及方法-CN202210998272.X在审
发明人：张晓朋;王文娟;邢浦旭;赵子昊;耿双利;赵亚 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：本申请适用于自动化测试技术领域，提供了一种混频器测试装置及方法。该混频器测试装置包括：矢量网络分析仪、中频收发切换模块、射频收发切换模块、本振源模块和控制器，矢量网络分析仪分别与中频收发切换模块和射频收发切换模块连接，用于产生中频信号或射频信号，并对接收到的射频信号或中频信号进行参数测试，中频收发切换模块、射频收发切换模块、本振源模块分别与待测混频器连接，并分别用于放大或衰减中频信号、放大或衰减射频信号、产生本振信号，控制器分别与中频收发切换模块、射频收发切换模块和本振源模块连接，用于控制上述模块。本申请提供的混频器测试装置能够提高对混频器的测试稳定性，缩短测试时间，提高测试效率。
混频器测试装置方法

[实用新型]放大器芯片封装结构-CN201921947466.7有效
发明人：曲韩宾;张晓朋;吴兰;高博;邢浦旭;崔培水;谷江 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种放大器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板以及封盖；封装基板设有至少两层介质层，且位于顶层的介质层上设有凹槽，封装基板上设有顶部金属层、中间金属层和底部金属层，封盖设置于封装基板上。本实用新型提供的放大器芯片封装结构，实现了多层布线，将芯片设置于凹槽内，有效的缩短了芯片与封装基板的顶部金属层之间的连接长度，提高了二者之间的传输能力，降低了射频传输的损耗，带有内腔的封盖使芯片的上方有一层低介电损耗的空气层，避免了传统封装芯片需要直接接触塑封料造成的介电损耗，有效的降低了封装结构造成的毫米波波段的性能损耗。
放大器芯片封装结构

[实用新型]毫米波频段放大器芯片封装结构-CN201921947625.3有效
发明人：张晓朋;吴兰;高博;曲韩宾;邢浦旭;崔培水;谷江 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板和封盖；封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板，封盖设有开口向下的内腔。本实用新型提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳，有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度，便于降低寄生电感，提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流端口与封装基板的连接直接接触空气，降低了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性能。
毫米波频段放大器芯片封装结构

[发明专利]毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法-CN201911101347.4在审
发明人：张晓朋;吴兰;高博;曲韩宾;邢浦旭;崔培水;谷江 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板和封盖；封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板，封盖设有开口向下的内腔。本发明提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳，有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度，便于降低寄生电感，提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流端口与封装基板的连接直接接触空气，降低了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性能。
封装基板封盖芯片放大器芯片毫米波频段封装结构介质层内腔芯片封装技术第二金属层第一金属层层叠设置传输能力高频波段寄生电感开口向下射频性能直流端口金属层容纳槽容纳制作

[发明专利]放大器芯片封装结构及制作方法-CN201911101359.7在审
发明人：曲韩宾;张晓朋;吴兰;高博;邢浦旭;崔培水;谷江 -专利权人：河北新华北集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板以及封盖；封装基板设有至少两层介质层，且位于顶层的介质层上设有凹槽，封装基板上设有顶部金属层、中间金属层和底部金属层，封盖设置于封装基板上。本发明提供的放大器芯片封装结构，实现了多层布线，将芯片设置于凹槽内，有效的缩短了芯片与封装基板的顶部金属层之间的连接长度，提高了二者之间的传输能力，降低了射频传输的损耗，带有内腔的封盖使芯片的上方有一层低介电损耗的空气层，避免了传统封装芯片需要直接接触塑封料造成的介电损耗，有效的降低了封装结构造成的毫米波波段的性能损耗。
封装基板封装结构芯片封盖顶部金属层放大器芯片介质层芯片封装技术低介电损耗底部金属层毫米波波段中间金属层传输能力多层布线封装芯片介电损耗射频传输性能损耗空气层塑封料顶层两层内腔制作

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