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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性存储器装置及其读出方法-CN201811019623.8有效
  • 刘忠昊;边大锡;方真培;李仟颜 - 三星电子株式会社
  • 2018-09-03 - 2023-10-20 - G11C16/26
  • 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括：在第一预充电间隔期间，对位线和感测输出节点进行预充电；通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态；将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压；以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平，从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
  • 非易失性存储器装置及其读出方法
  • [发明专利]非易失性存储器件-CN202310087810.4在审
  • 金胜渊;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-02 - 2023-08-22 - H10B43/40
  • 一种非易失性存储器件包括：第一半导体层，包括设置第一存储单元阵列的第一单元区、设置第二存储单元阵列的第二单元区，其中，第一存储单元阵列和第二存储单元阵列均包括多条字线、多个存储单元和多条位线；以及第二半导体层，包括设置连接到第一存储单元阵列和第二存储单元阵列的页缓冲器电路的页缓冲器电路区，其中，当从竖直方向观察时，第一单元区和第二单元区之间的边界区与页缓冲器电路区重叠。
  • 非易失性存储器
  • [发明专利]非易失性存储器装置-CN202310049804.X在审
  • 赵栢衡;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-01 - 2023-08-11 - G11C16/08
  • 在一些实施例中，一种非易失性存储器装置包括：第一半导体层，其包括设置在第一单元区上的第一存储器单元阵列、设置在第二单元区上的第二存储器单元阵列、以及第一金属焊盘。非易失性存储器装置还包括：第二半导体层，其包括设置在第一区上并且耦接至第一存储器单元阵列的第一外围电路、设置在第二区上并且耦接至第二存储器单元阵列的第二外围电路、以及第二金属焊盘。第一区包括在竖直方向上与第一单元区重叠的第一外围电路区和在竖直方向上不与第一单元区重叠的第二外围电路区，并且第二区在竖直方向上与第二单元区重叠。
  • 非易失性存储器装置
  • [发明专利]非易失性存储器件-CN202310087213.1在审
  • 赵栢衡;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-19 - 2023-08-08 - G11C16/04
  • 在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括栅电极、沟道结构、多个单元接触插塞、线性金属图案和多个上接合焊盘。所述第二半导体芯片包括多个下接合焊盘、与所述沟道结构交叠的第一外围电路元件、与所述多个单元接触插塞交叠的第二外围电路元件以及与所述多个单元接触插塞交叠的第三外围电路元件。所述外围电路元件耦接到对应的单元接触插塞。所述第二上接合焊盘和所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同，并且所述第二下接合焊盘和所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同。
  • 非易失性存储器
  • [发明专利]非易失性存储器件-CN202310059220.0在审
  • 赵栢衡;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-19 - 2023-08-08 - G11C5/02
  • 在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括存储单元阵列、第一上接合焊盘、第二上接合焊盘以及位于所述第一上接合焊盘与所述第二上接合焊盘之间的上虚设接合焊盘。所述第二半导体芯片在垂直方向上耦接到所述第一半导体芯片，并且包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘、下虚设接合焊盘以及耦接到所述第一下接合焊盘和所述第二下接合焊盘的外围电路。所述第一接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第一电压。所述第二接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第二电压。
  • 非易失性存储器
  • [发明专利]对充电节点进行充电的驱动器电路-CN201710243378.8有效
  • 朴贤国;李永宅;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2017-04-14 - 2023-07-04 - G11C5/14
  • 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
  • 充电节点进行驱动器电路
  • [发明专利]半导体装置-CN202210910073.9在审
  • 俞昌渊;郭判硕;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-29 - 2023-02-17 - H10B51/50
  • 一种半导体装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每一个包括选择晶体管和存储器单元；通过晶体管，其被配置为向连接到所选存储器块的选择线提供选择信号；以及接地晶体管，其被配置为向连接到未选存储器块的选择线供应第一电压。接地晶体管包括至少一个公共栅极结构、至少一个公共有源区域和个体有源区域，并且公共栅极结构和公共有源区域中的每一个由接地晶体管当中的两个或更多个接地晶体管共享。公共栅极结构在公共有源区域和个体有源区域之间，并且包括在第一方向上延伸的第一区域和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二区域。
  • 半导体装置
  • [发明专利]竖直半导体器件-CN202210629921.9在审
  • 俞昌渊;郭判硕;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-06 - 2022-12-16 - H01L27/11529
  • 一种竖直存储器件可以包括第一导线结构和地址解码器。第一导线结构可以在衬底上。第一导线结构可以包括在与衬底的表面垂直的方向上交替并重复堆叠的导线和绝缘层。地址解码器可以连接到第一导线结构中包括的导线中的每一条导线的第一端。地址解码器可以将电信号施加到导线。在导线中的每一条导线中，与第一端相邻的第一部分和与第二端相邻的第二部分可以具有不同的形状。第一部分中的第一电阻可以低于第二部分中的第二电阻。可以减小导线的RC延迟。
  • 竖直半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202111437577.5在审
  • 金雅廪;金成勋;边大锡 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-29 - 2022-06-03 - H01L27/092
  • 一种半导体器件包括衬底、形成在衬底中的N阱区、具有形成在N阱区中的有源区的第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、以及具有形成在衬底中的有源区的第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。第一NMOS晶体管包括第一N型有源区，当从平行于衬底的顶表面的平面上方观察时，该第一N型有源区与衬底和N阱区中的每个重叠。
  • 半导体器件
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