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[发明专利]发光二极管的转移方法-CN202110841750.1在审
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管的转移方法，包括：将多个发光二极管任意放置在所述接受基板上；将所述接受基板置于超声波驻波场中，使所述超声波驻波场的多个驻波点附近的所述多个发光二极管定位在所述多个驻波点；以及将所述多个发光二极管与所述接受基板绑定，从而使所述多个发光二极管具有阵列排布图案。
发光二极管转移方法

[发明专利]蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法-CN202110313616.4在审
发明人： 赵芬利 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供一种蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法。所述蚀刻液包括占所述蚀刻液总质量百分比为15％‑25％的过氧化氢、2％‑10％的有机酸、0.2％‑2％的过氧化氢稳定剂、0.001％‑0.25％的抑制剂、1.1％‑5％酸碱度调节剂以及1％‑5％的无机盐，其余为水。本申请所提供的蚀刻液不含氟化物，对环境和器件都不会产生负面影响，且具有蚀刻速率适中、稳定性好、蚀刻角度适宜、线宽损失小以及无金属残留等优势。
蚀刻金属线方法

[发明专利]刻蚀液及刻蚀装置-CN201910332935.2有效
发明人： 赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀装置

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910336342.3有效
发明人： 赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、有机酸、无机酸、调节剂、稳定剂、抑制剂、醇类物质、消泡剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液以及补给液；所述补给液包括溶解剂、第二有机酸、第二稳定剂、第二抑制剂以及第二消泡剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀组合以及方法

[发明专利]一种高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法-CN201811015118.6有效
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种高寿命铜钼蚀刻液，包括：蚀刻液母液以及蚀刻液子液；所述蚀刻液母液的主要成分包括过氧化氢、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂以及pH调节剂，余量为去离子水；所述蚀刻液子液的主要成分包括溶解剂、所述有机酸、所述抑制剂以及所述稳定剂；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法，通过向一定铜离子浓度的蚀刻溶液中加入溶解剂、有机酸、抑制剂以及稳定剂的组合物，进一步延长了蚀刻液的使用寿命，更进一步提高了蚀刻品质的稳定性。
一种寿命蚀刻方法

[发明专利]用于转移微发光二极管的转移头以及转移方法-CN201711488568.2有效
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于转移微发光二极管的转移头以及转移方法。所述转移头包括：抓取部，由记忆合金形成，包括指状部分；温度控制元件，被构造为连接到抓取部，且控制抓取部的温度。根据所要转移的微发光二极管，所述指状部分被构造为：在第一温度下舒展，足以与微发光二极管分离；在第二温度下收缩，足以抓取微发光二极管。
用于转移发光二极管以及方法

[发明专利]微型发光二极管显示装置及其制作方法-CN201711206341.4有效
发明人：徐海乐;沈顺杰;宋江江;赵芬利 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管显示装置，包括基板、阵列设置在基板上表面且用于发出蓝光的微型发光二极管、设于微型发光二极管出光侧的黄色荧光粉层以及设于黄色荧光粉层出光侧的彩色滤光层，彩色滤光层包括红色滤光区域、绿色滤光区域以及透光区域，黄色荧光粉层表面间隔地开设有透光孔，透光孔与透光区域正对。本发明还公开了一种微型发光二极管显示装置的制作方法。本发明的微型发光二极管均发出蓝光，通过将其一次性地转印在基板上，然后利用该微型发光二极管激发黄色荧光粉层，再与出光方向上的彩色滤光层配合，即可实现彩色显示的目的，减少了发光二极管转移次数，工艺制程更加简化，降低了Micro LED的转移技术难度。
微型发光二极管显示装置及其制作方法

[发明专利]刻蚀液及刻蚀方法-CN201910338221.2在审
发明人： 赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液及刻蚀方法，该刻蚀液包括去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀双氧水双氧水稳定剂弱酸弱碱盐胺类物质醇类物质去离子水显示面板对基板良品率有机酸腐蚀

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910342868.2在审
发明人： 赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液和补给液，其中补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀组合补给液缓冲液抑制剂螯合剂刻蚀双氧水醇类物质去离子水显示面板调节剂对基板良品率溶解剂腐蚀

[发明专利]转移装置及微型发光二极管的转移方法-CN201710704461.0有效
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种转移装置及微型发光二极管的转移方法。在所述微型发光二极管的转移过程时，通过控制磁流变液的状态实现所述微型发光二极管与转移头之间进行物理连接，从而增加所述微型发光二极管与所述转移头之间的作用力，进而防止所述微型发光二极管转移过程中的损坏，从而降低所述微型发光二极管的转移难度。并且，通过简单的电磁装置控制所述微型发光二极管与所述转移头的连接与分离，简化所述微型发光二极管的转移操作，提高所述微型发光二极管的转移效率。
转移装置微型发光二极管方法

[发明专利]用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置-CN201811013179.9在审
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置，所述刻蚀方法包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能，另外，也能够减少刻蚀液的用量，进而降低刻蚀液的成本。
刻蚀装置膜层铜钼刻蚀刻蚀液光刻胶基板紫外线照射刻蚀效率预定图案产能臭氧

[发明专利]一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法-CN201811013298.4在审
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种高效铜钼蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为7～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～3％的稳定剂、占蚀刻液总质量百分比为3～10％的有机酸、占蚀刻液总质量百分比为0.001～1％的抑制剂以及占蚀刻液总质量百分比为1～10％的pH调节剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前通过微波辐射保持特定温度不变，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。
蚀刻液蚀刻质量百分比铜钼金属膜层过氧化氢的过氧化氢去离子水微波辐射氧化能力调节剂稳定剂抑制剂有机酸

[发明专利]一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用-CN201810795063.9在审
发明人：吴豪旭;赵芬利;梅园 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻液组合物，包括如下重量分数的各组分：过氧化氢5～30％，过氧化氢稳定剂0.1～5％，蚀刻抑制剂0.001～0.2％，蚀刻添加剂5～20％，pH调节剂0.1～5％，蚀刻形状控制剂2～15％，以及余量的去离子水，所述蚀刻形状控制剂为醇胺类化合物。该蚀刻液组合物不含氟化物，对环境友好，可降低对操作人员的危害，降低废液处理成本，且蚀刻过程稳定、蚀刻速率适中，能有效避免掏空现象的产生，最终得到形状良好的金属布线结构。本发明还提供了该铜/钼蚀刻液组合物在显示面板制备中的应用。
蚀刻蚀刻液组合物形状控制剂过氧化氢稳定剂醇胺类化合物废液处理成本金属布线结构蚀刻添加剂蚀刻抑制剂过程稳定过氧化氢环境友好去离子水显示面板重量分数氟化物掏空制备应用

[发明专利]用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法-CN201811003455.3在审
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为3～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前进行紫外灯照射，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。
蚀刻液蚀刻质量百分比金属膜层铜钼过氧化氢的紫外灯照射过氧化氢缓冲溶液去离子水氧化能力调节剂抑制剂螯合剂

[发明专利]铜/钼膜层用蚀刻液组合物-CN201811013118.2在审
发明人： 赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：一种铜/钼膜层用蚀刻液组合物，包括混合均匀的氧化剂、有机酸、蚀刻调节剂、无机盐、螯合剂、蚀刻抑制剂、以及溶剂；其中，相对于整体组合物的质量，所述氧化剂的质量分数为5％～15％，所述有机酸的质量分数为4％～13％，所述蚀刻调节剂的质量分数为0.1％～5％，所述无机盐的质量分数为0.1％～5％，所述螯合剂的质量分数为0.5％～9％，所述蚀刻抑制剂的质量分数为0.001％～1％，余量为所述溶剂。有益效果：本发明提供的铜/钼膜层用蚀刻液组合物，降低了药液对环境和器件的影响，提高了刻蚀效率和刻蚀稳定性。
质量分数蚀刻液组合物钼膜蚀刻无机盐氧化剂蚀刻抑制剂调节剂有机酸螯合剂溶剂刻蚀稳定性整体组合物刻蚀效率

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