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[发明专利]执法记录仪防抖固定装置-CN202211498338.5在审
发明人： 裴智慧;夏田峰;原林杰;侯娅琼;申党新;宋德健;关玉帅;裴志超;王一琛 -专利权人：国网河南省电力公司鹤壁供电公司;国网河南省电力公司淇县供电公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： F16M13/04 文献下载
摘要：本发明公开了执法记录仪防抖固定装置，属于电力设备巡检技术领域，解决了巡检过程中执法记录仪易发生抖动倾斜的技术问题。其包括第一固定组件和第二固定组件，所述第一固定组件包括底板，所述底板的后侧壁上固定设有用于与所述第二固定组件卡接的弧形卡头；所述底板的前侧壁上滑动连接有用于卡接执法记录仪的左卡环，底板的前侧壁上滑动连接有与所述左卡环相对应的右卡环，底板的前侧壁上滑动连接有下卡环；所述左卡环、右卡环和下卡环之间通过驱动组件连接，底板的前侧壁上设有用于保护驱动组件的罩壳。利用第一固定组件和第二固定组件的相互作用，能有效避免作业人员爬高上低、爬坡等运动过程中执法记录仪发生抖动侧偏倾斜的问题。
执法记录仪固定装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201810938181.0有效
发明人：清水直树;裴智慧 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK海力士公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延迟电路，该第一延迟电路被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期对应的时间；第二延迟电路，该第二延迟电路包括串联的移位寄存器，并被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期和所述第二潜伏期之间的差值对应的时间；以及控制器，该控制器被配置为在执行所述第二模式时使用所述第一延迟电路和所述第二延迟电路。
半导体存储装置

[发明专利]能够对地址进行加扰的半导体系统-CN201911102194.5在审
发明人： 裴智慧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：提供一种能够对地址进行加扰的半导体系统。根据一个实施例的半导体系统包括模块控制器和被配置为从模块控制器接收逻辑地址的多个半导体芯片。该半导体系统还包括多个加扰电路，其为多个半导体芯片中的每个半导体芯片提供加扰电路，所述多个加扰电路被配置为接收逻辑地址并且针对多个半导体芯片输出对应物理地址。多个加扰电路中的每个加扰电路被配置为接收相同的逻辑地址并且输出与由多个加扰电路的其他加扰电路输出的物理地址不同的对应物理地址。
能够地址进行半导体系统

[发明专利]非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法-CN201910927388.2在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/443 文献下载
摘要：本发明涉及属于柔性器件领域，为提出一种柔性三层材料底栅结构晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能。为此，本发明，非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯PET衬底上形成氧化铟锡ITO底栅电极以及依次形成Al
晶体管柔性器件栅介质膜源层聚对苯二甲酸乙二醇酯大规模集成电路底栅结构晶体管磁控溅射工艺柔性电子器件电路元器件氧化锌薄膜真空电子束磁控溅射底栅电极光电器件三层材料氧化铟锡应用提供源漏电极衬底非晶光刻蒸镀铟镓制备薄膜制造应用

[发明专利]双层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201910927391.4在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于柔性器件领域，为提出一种柔性双层材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能，本发明双层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在PET衬底上形成ITO底栅电极以及TiO
柔性器件双层材料栅介质层掺杂区晶体管衬底光刻大规模集成电路底栅结构晶体管磁控溅射工艺硅薄膜晶体管电路元器件硅纳米薄膜真空电子束底栅电极光电器件光刻工艺离子刻蚀应用提供源漏电极栅介质膜硅纳米方孔刻蚀膜层湿法异质蒸镀制备离子制造图案应用

[发明专利]异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201910907789.1在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及柔性器件领域，提出并制备一种基于柔性PET衬底的三层金属氧化物材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上依次形成有ITO底栅电极以及SiO
底栅结构晶体管柔性器件栅介质层栅介质膜掺杂区衬底制备大规模集成电路金属氧化物材料柔性薄膜晶体管硅薄膜晶体管电路元器件磁控溅射低温工艺底栅电极光电器件光刻工艺应用提供柔性PET 晶体管三层异质离子制造图案驱动应用

[发明专利]双层材料的异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201910688705.X有效
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及柔性器件领域，为在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能，本发明，双层材料的异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，在沉积有ITO导电层的PET衬底上采用磁控溅射的方法涂上两层栅极介质层，分别为TiO₂和Al₂O₃，在绝缘体上硅SOI上通过光刻和离子注入技术形成N型掺杂区，通过硅薄膜转移技术将顶层硅薄膜转移到已经溅射有栅介质层的ITO/PET上，接下来通过设计制备好的掩膜版光刻在硅薄膜掺杂区制备源漏电极，实现晶体管的制备。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。
制备柔性器件栅介质层硅薄膜晶体管光刻大规模集成电路柔性薄膜晶体管硅薄膜晶体管离子注入技术电路元器件绝缘体上硅栅极介质层薄膜转移磁控溅射光电器件双层材料应用提供源漏电极掺杂区顶层硅掩膜版衬底溅射两层异质沉积制造驱动应用

[发明专利]多层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201910688302.5有效
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及柔性器件领域，为在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，多层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在柔性、可延性塑料或薄金属基板衬底上形成氧化铟锡ITO底栅电极以及TATAT栅介质膜，随后在SOI上形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成硅纳米膜层，通过转移技术将硅纳米薄膜转移到PET衬底上，最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在硅纳米薄膜掺杂区上形成源漏电极。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。
柔性器件硅纳米薄膜掺杂区衬底光刻大规模集成电路柔性薄膜晶体管延性磁控溅射工艺硅薄膜晶体管薄金属基板电路元器件真空电子束底栅电极多层材料光电器件离子刻蚀氧化铟锡应用提供源漏电极栅介质层栅介质膜硅纳米晶体管方孔刻蚀膜层湿法异质蒸镀制备制造驱动塑料应用

[发明专利]非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法-CN201910688728.0在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及柔性电子器件领域，为在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明采取的技术方案是，非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯PET衬底上形成氧化铟锡ITO底栅电极以及氧化硅SiO₂/氧化铝Al₂O₃栅介质膜，随后通过磁控溅射的方法形成有源层铟镓氧化锌IGZO薄膜，最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式形成源漏电极，这样就完成了晶体管的制备。本发明主要应用于柔性电子器件设计制造场合。
晶体管铟镓柔性电子器件氧化锌薄膜非晶制备聚对苯二甲酸乙二醇酯大规模集成电路制造柔性薄膜晶体管磁控溅射工艺电路元器件真空电子束磁控溅射底栅电极光电器件柔性器件氧化铟锡应用提供源漏电极栅介质膜氧化硅氧化锌氧化铝衬底光刻源层蒸镀薄膜驱动应用

[发明专利]氧化锶栅介质层柔性氧化物薄膜晶体管及其制造方法-CN201910138860.4在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及柔性器件领域，为设计并制备一种基于SrO_x栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，能够极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，氧化锶栅介质层柔性氧化物薄膜晶体管及其制造方法，聚酰亚胺PI柔性衬底自下而上依次为金属底栅层、SrO_x栅介质膜和氧化铟In₂O₃薄膜，金属底栅层引出栅极，顶部设置源、漏电极，源、漏电极分别与SrO_x栅介质膜和In₂O₃薄膜连通。本发明主要应用于柔性器件、晶体管设计制造场合。
柔性器件栅介质层氧化物薄膜晶体管栅介质膜底栅层漏电极氧化锶制备薄膜大规模集成电路制造底栅结构晶体管柔性薄膜晶体管金属电路元器件晶体管设计磁控溅射低温工艺顶部设置光电器件聚酰亚胺应用提供氧化铟晶体管衬底连通驱动应用

[发明专利]基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法-CN201910034420.4在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于a‑IGZO薄膜的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上自下而上依次为ITO底栅、二氧化铪HfO₂栅介质膜和a‑IGZO薄膜，ITO底栅引出底栅电极，在顶部设置有源、漏电极，源、漏电极分别与HfO₂栅介质膜和a‑IGZO薄膜联通。本发明主要应用于柔性晶体管设计制造场合。
柔性薄膜晶体管薄膜柔性器件栅介质膜漏电极锌薄膜底栅非晶铟镓制备高介电常数栅介质层制造大规模集成电路底栅结构晶体管电路元器件晶体管设计磁控溅射低温工艺底栅电极顶部设置二氧化铪光电器件应用提供晶体管衬底联通驱动应用

[发明专利]高介电常数栅介质层的柔性薄膜晶体管及其制造方法-CN201811621372.0在审
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及柔性器件领域，为提出柔性材料晶体管。本发明，高介电常数栅介质层的柔性薄膜晶体管，PET柔性材料衬底上通过磁控溅射的方式形成有氧化铟锡ITO底栅电极以及锆钛酸钡BZT栅介质膜，BZT栅介质层上部是一层单晶硅薄膜，这层单晶硅薄膜的来源是SOI的硅薄膜，通过在SOI的顶层硅上进行光刻工艺形成掺杂区图案，通过离子注入和退火的工艺形成两处掺杂区，再在顶层硅上通过光刻和反应离子刻蚀RIE的方式形成方孔层,在氢氟酸中进行湿法腐蚀，去掉中间的SiO₂,最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在两处掺杂区分别形成有源漏电极。本发明主要应用于柔性材料晶体管设计制造。
柔性材料掺杂区高介电常数栅介质层柔性薄膜晶体管单晶硅薄膜顶层硅光刻反应离子刻蚀RIE 退火晶体管设计真空电子束磁控溅射底栅电极光刻工艺柔性器件湿法腐蚀氧化铟锡源漏电极栅介质层栅介质膜锆钛酸钡硅薄膜氢氟酸晶体管衬底方孔蒸镀离子制造图案应用

[实用新型]锗纳米膜柔性金属型多沟道薄膜晶体管-CN201821009348.7有效
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型属于柔性电子器件领域，为降低生产成本，透光性能更加优良，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本实用新型，锗纳米膜柔性金属型多沟道薄膜晶体管，结构如下：柔性可弯曲聚对苯二甲酸乙二醇酯PET上方依次为金属薄膜、二氧化铪栅介质层，二氧化铪栅介质层上方为锗纳米膜层，锗纳米膜层中部为N型漏掺杂区及其上方金属漏电极，N型漏掺杂区外侧为未掺杂区，所述未掺杂区外侧布设有两个N型源掺杂区，两个N型源掺杂区经导线引出形成相应的两个金属源电极；所述未掺杂区上方为氧化锌栅介质层；金属栅极经穿透二氧化铪栅介质层的通孔与导电的金属薄膜形成欧姆接触。本实用新型主要应用于柔性电子器件设计制造场合。
栅介质层掺杂区本实用新型二氧化铪未掺杂区沟道薄膜晶体管柔性电子器件金属薄膜纳米膜层柔性金属纳米膜聚对苯二甲酸乙二醇酯大规模集成电路金属源电极光电器件金属栅极欧姆接触柔性器件透光性能应用提供可弯曲漏电极氧化锌导电通孔穿透金属应用制造

[发明专利]非易失性存储装置、操作方法和具有其的数据处理系统-CN201310206540.0有效
发明人：李仁秀;裴智慧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：提供了一种根据编程和验证（PNV）操作将数据写入存储器单元的非易失性存储装置，其中，所述非易失性存储装置在第一时间期间执行用于第一数据的PNV操作，以及在第一时间期间执行用于第二数据的多个PNV操作。
非易失性存储装置操作方法具有数据处理系统

[实用新型]锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管-CN201820660577.9有效
发明人：秦国轩;裴智慧 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及柔性器件领域，为制备一种基于柔性PEN衬底的多沟道结构的锗纳米膜晶体管，能够极大丰富电路元器件的用处，降低生产成本，为此，本实用新型锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管，PEN塑料衬底之上依次为氧化铟锡ITO薄膜、氧化锌栅介质层，氧化铟锡ITO薄膜上设置有N型源掺杂区从而形成两个ITO源电极，两个ITO源电极之间依次为未参杂区、N型漏掺杂区形成的ITO漏电极，在所述未参杂区上方是ITO沉积在氧化锌栅介质层形成的顶栅电极，氧化铟锡ITO薄膜经通孔引出有ITO底栅电极。本实用新型主要应用于柔性器件的设计制造。
本实用新型氧化铟锡纳米膜沟道薄膜晶体管柔性器件栅介质层参杂区掺杂区氧化锌源电极电路元器件底栅电极顶栅电极沟道结构透明漏电极塑料衬晶体管衬底通孔沉积制备制造应用

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