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[发明专利]一种介质阻挡放电低温等离子体污水处理单元-CN202011530833.0有效
发明人：李梦超;王兴权;郭勇;刘巧;陈维;黄骏;李军;梁屹;荣垂才;袁寿财;卢秀圆 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C02F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种介质阻挡放电低温等离子体污水处理单元装置，包括第一、二、三连接单元，第一、二地电极接板，气室，高压放电室，高压电极阵列，地电极阵列，石英介质管等。连接单元均为方形立体开孔结构；气室为开有通孔的空心方形室结构，通孔内置隔管及漏气单元；两地电极接板为固定有塑料圆管阵列的方形板；高压放电室为开有通孔的方形实心结构，通孔内圆形侧面中心位置处有环型凹槽；高压电极阵列由5*5重复单元组成，重复单元由金属圆环和8个针型放电极构成；地电极阵列由5*5根地电极线和相应的连接线构成。高压电极阵列放置于上述环形凹槽内，地电极阵列放置于地电极接板间，地电极线和高压电极重复单元间放置石英介质管。
一种介质阻挡放电低温等离子体污水处理单元

[发明专利]一种具有浸没式静电透镜的直流光阴极超快电子枪-CN202110027537.7有效
发明人：李梦超;刘巧;李小菊;陈维;黄骏;王兴权;郭勇;荣垂才;袁寿财;卢秀圆 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2021-01-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01J37/06 文献下载
摘要：本发明提供一种后置安装的具有浸没式静电透镜的直流光阴极超快电子枪，包括由电场和粒子仿真程序确定的阴极、阳极、静电透镜电极，以及适合后置安装的陶瓷圆盘、细陶瓷柱、静电透镜电极陶瓷支柱、电子枪支架。阴极包括空心圆柱筒、圆形顶面、弧形连接面。阳极包括两面光滑圆盘和背侧的圆柱形凸出，其中心开有通孔。静电透镜电极包括圆形顶面、圆柱形侧面、弧形连接面，其中心开有通孔。圆形顶面中心有圆柱形凸出，该凸出的顶部环面做倒圆角处理。电子枪支架为一双圆盘连接结构，顶部圆盘与细陶瓷柱、陶瓷圆盘相连，阴极固定在陶瓷圆盘上，阳极放置于顶部圆盘中的凹槽内。静电透镜电极固定在陶瓷支柱上，该支柱固定在支架底部圆盘上。
一种具有浸没静电透镜流光阴极电子枪

[发明专利]一种复合聚焦载网光阴极的直流超快电子枪-CN202010233703.4有效
发明人：李梦超;刘巧;李小菊;袁寿财;荣垂才;陈维;黄骏;王兴权;卢秀圆 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01J29/48 文献下载
摘要：本发明提供一种复合聚焦载网光阴极的直流超快电子枪，其中，所述光阴极为轴对称结构，包括底部球帽、圆柱形筒、顶部球帽，顶部球帽圆形顶面内侧有圆柱形凹槽，沉积有金属薄膜的载网安装在此凹槽中，并用压块固定。电子枪采用了真空电极重其底部插入的设计，电子枪体积得到缩小；电子枪阴极圆柱形筒内放置激光反射镜，侧面中心开有通光孔，激光入射至阴极内部后被反射镜反射至金属薄膜处。所述栅极为表面光滑圆盘，中心具有一边缘为圆形倒角的通孔，栅极与磁透镜对电子脉冲构成复合聚焦。所述阳极为一中心开有通孔的光滑圆盘。阴极、栅极等通过陶瓷圆环固定到电子枪支架筒上。
一种复合聚焦载网光阴极直流电子枪

[实用新型]一种具有静电单透镜的直流超快电子枪-CN202120151825.9有效
发明人：李梦超;刘巧;李小菊;陈维;黄骏;王兴权;荣垂才;袁寿财;郭勇;卢秀圆 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/065 文献下载
摘要：本实用新提供一种具有静电单透镜的直流光阴极超快电子枪，包括阴极、阳极、静电单透镜电极板、陶瓷支柱、单透镜支撑环，单透镜支架等。所述阳极为中心开有通孔、两表面光滑的圆盘。所述单透镜电极板为两表面光滑的双层盘面结构，包括圆形顶盘和圆形凸出底盘，所述圆形顶盘比圆形凸出底盘直径大，导致形成一台阶结构。所述静电单透镜电极板中心开有通孔，该通孔两侧的圆形边缘均做倒圆角处理。所述单透镜支架为双金属盘连接结构，其顶部圆盘上表面做光滑处理且中心开有通孔。所述单透镜支撑环为双圆环结构，包括顶环和底环，底环内径比顶环要小，从而在内部产生一台阶结构，支撑环侧面开有通孔。
一种具有静电透镜直流电子枪

[发明专利]一种具有静电单透镜的直流超快电子枪-CN202110075671.4在审
发明人：李梦超;刘巧;李小菊;陈维;黄骏;王兴权;荣垂才;袁寿财;郭勇;卢秀圆 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01J37/065 文献下载
摘要：本发明提供一种具有静电单透镜的直流光阴极超快电子枪，包括阴极、阳极、静电单透镜电极板、陶瓷支柱、单透镜支撑环，单透镜支架等。所述阳极为中心开有通孔、两表面光滑的圆盘。所述单透镜电极板为两表面光滑的双层盘面结构，包括圆形顶盘和圆形凸出底盘，所述圆形顶盘比圆形凸出底盘直径大，导致形成一台阶结构。所述静电单透镜电极板中心开有通孔，该通孔两侧的圆形边缘均做倒圆角处理。所述单透镜支架为双金属盘连接结构，其顶部圆盘上表面做光滑处理且中心开有通孔。所述单透镜支撑环为双圆环结构，包括顶环和底环，底环内径比顶环要小，从而在内部产生一台阶结构，支撑环侧面开有通孔。
一种具有静电透镜直流电子枪

[发明专利]一种嵌入多晶硅电阻的双面自对准刻蚀硅悬臂梁阵列热电变换器-CN201910840093.1在审
发明人： 袁寿财;武华;李梦超;王兴权;韩建强 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：采用正面刻蚀深槽，深槽底面和侧面采用先进的倾斜离子注入工艺掺杂浓硼刻蚀终止层。结合晶向刻蚀选择特性，实现刻蚀自对准。并在单晶硅悬臂梁的根部区域制作了应力感应测试多晶硅电阻。硅悬臂梁比其它材料有更大的形变应力特性。将待测电功率输入制作在悬臂梁应力敏感区域的多晶硅加热电阻，该电阻将把输入电功率转换成相应量值的热量，引起悬臂梁温度升高，导致悬臂梁产生谐振，并在其根部区域表现出极大的应力变化特性，引起多晶硅导电载流子迁移率的变化，导致多晶硅电阻阻值变化，通过检测流过该电阻电流的变化信息测算导致应力变化和谐振频率变化的温度参数，间接测量输入加热电阻电功率的值，实现高精度的热电转换功能。
悬臂梁刻蚀电功率多晶硅电阻根部区域应力变化深槽多晶硅加热电阻单晶硅导电载流子刻蚀终止层输入电功率谐振变化信息电阻电流硅悬臂梁加热电阻间接测量敏感区域频率变化倾斜离子热电转换温度参数形变应力应力感应阻值变化多晶硅迁移率自对准底面电阻晶向浓硼制作掺杂测试测算侧面转换检测表现

[实用新型]一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器-CN201920259413.X有效
发明人：武华;彭莉;徐美珍;袁寿财;陈康;赖运达 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器，涉及运算跨导放大器技术领域，解决了现有放大器存在增益低、输出极点频率低和电路稳定性较差的问题，其技术方案要点是：包括两级放大电路、阻尼因子控制模块电路和为电路结构提供偏置电压的偏置电路；两级放大电路的第一级为PMOS管差分输入放大电路，第二级为共源增益级的互补推挽驱动电路；阻尼因子控制模块电路与PMOS管差分输入放大电路的输出端连接；共源增益级的互补推挽驱动电路的输出端与输入端之间设有用于形成密勒补偿通路的第一电容C1，能够稳定电路，在整个电路处于低功耗的情况下，还具有提高电路的增益、共模抑制比和电源抑制比的效果。
两级放大电路输入放大电路阻尼因子控制互补推挽模块电路驱动电路增益级共源电路运算跨导放大器放大器技术方案要点本实用新型电路稳定性电源抑制比共模抑制比跨导放大器输出端连接电路结构交叉结构两级运算密勒补偿偏置电路偏置电压输出极点稳定电路电容低功耗第一级高增益输出端输入端

[发明专利]一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器-CN201910154186.9在审
发明人：武华;彭莉;徐美珍;袁寿财;陈康;赖运达 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器，涉及运算跨导放大器技术领域，解决了现有放大器存在增益低、输出极点频率低和电路稳定性较差的问题，其技术方案要点是：包括两级放大电路、阻尼因子控制模块电路和为电路结构提供偏置电压的偏置电路；两级放大电路的第一级为PMOS管差分输入放大电路，第二级为共源增益级的互补推挽驱动电路；阻尼因子控制模块电路与PMOS管差分输入放大电路的输出端连接；共源增益级的互补推挽驱动电路的输出端与输入端之间设有用于形成密勒补偿通路的第一电容C1，能够稳定电路，在整个电路处于低功耗的情况下，还具有提高电路的增益、共模抑制比和电源抑制比的效果。
两级放大电路输入放大电路阻尼因子控制跨导放大器互补推挽交叉结构两级运算模块电路驱动电路高增益增益级共源电路运算跨导放大器放大器技术方案要点电路稳定性电源抑制比共模抑制比输出端连接电路结构密勒补偿偏置电路偏置电压输出极点稳定电路电容低功耗第一级输出端输入端

[实用新型]一种液晶玻璃窑炉全自动监控观察装置-CN201720614062.0有效
发明人：袁新娣;袁寿财;谢晓春;刘江峰 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H04N7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶玻璃窑炉全自动监控观察装置，其结构包括无线发射器、设备防水罩、摄像头、LED灯、红外测温模块、监控面板、连接座、支撑座、转盘、监控壳体、连接杆、固定板、红外探测头、热电偶、低噪音放大器、电子板、模数转换器、数字信号处理器、储存器，本实用新型的有益效果在监控设备上使用上红外测温模块后，可以通过红外测温模块，达到让监控设备可以实现红外测温功能，可以通过监控装置知晓工作设备内的温度，能够实现远程检测设备的温度的目的。
一种液晶玻璃全自动监控观察装置

[发明专利]一种场效应管片上阵列热电转换器及其全自对准制造工艺-CN201410233557.X有效
发明人： 袁寿财;谢晓春;韩建强;袁新娣;廖昱博 -专利权人：赣南师范学院
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：本发明属体硅微机械制造技术与硅栅自对准CMOS集成电路工艺相结合的技术领域，具体涉及一种场效应管片上阵列热电转换器及其全自对准制造工艺。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种场效应管片上阵列热电转换器，包括有P型硅衬底、硅岛、浓硼掺杂硅层、深槽、深槽内浓硼掺杂硅层、多晶硅、场区氧化层，P型硅衬底上加工有两个硅岛，P型硅衬底对应于硅岛区域的底部注入有浓硼掺杂硅层，P型硅衬底四周边缘加工有方形深槽，深槽中注入有浓硼掺杂硅层，多晶硅填充在深槽内，深槽与硅岛、硅岛与硅岛通过场区氧化层连接在一起。本发明达到了响应速度快，测量频带宽、动态和过负载特性优良、结构新颖的效果。
一种场效应管片阵列热电转换器及其对准制造工艺

[发明专利]一种微生物的检测装置-CN201110045921.6无效
发明人：范小林;曾祥志;李勋;谢应茂;袁寿财 -专利权人：赣南师范学院
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种微生物的检测装置，属于资源环境领域。这种检测装置主要由化学极化场效应传感器及检测系统两部分构成，其工作原理主要是通过检测目标的化学极化作用，诱导作为基底的半导体层产生极化，从而调节半导体层内载流子的传输，达到控制源、漏电极之间输出信号的变化。这种检测装置可通过计算机进行控制，可对检测目标进行实时、连续监测。这种检测装置能够用于血吸虫、疟原虫、华支睾虫等微生物的监测、调查。
一种微生物检测装置

[发明专利]基于化学极化场效应的分子识别传感器的设计与制作-CN200910009399.9无效
发明人：范小林;袁寿财;李勋;汪志辉;王紫玉 -专利权人：赣南师范学院
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学极化场效应分子识别传感器的设计及制作工艺。除在器件结构、版图设计和制造工艺方面的创新外，把物理原理与分子自组装技术和工艺相结合，产生新的检测技术和方法。基于化学极性分子和生物分子具有极性并可诱导硅基底产生极性的特点，通过分子自组装技术和LB膜技术将极性分子或生物分子组装于场效应器件的栅介质上成为分子敏感膜栅，该分子敏感膜栅与栅介质材料交换电子，使栅介质材料发生极化，从而改变了栅介质材料中固定电荷的分布和数量。另外，这种自组装结构的分子敏感膜栅与半导体硅之间还存在功函数差。栅介质中固定电荷数量及材料功函数差的改变将引起硅电场效应器件表面沟道的导电特性发生变化。利用该变化可对极性分子、生物分子实现灵敏快速检测。
基于化学极化场效应分子识别传感器设计制作

[发明专利]一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法-CN200310118984.5无效
发明人：朱长纯;王颖;吴春瑜;袁寿财 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2003-12-11 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法，采用HF、HNO₃和CH₃COOH的混合液作为腐蚀液，利用硅片在腐蚀液中轻微搅拌或不搅拌情况下的腐蚀特点，合理设计腐蚀掩膜图形窗口尺寸和窗口间距，通过一次掩膜工序可在硅基底上形成双级台阶结构。采用本发明所提供的方法操作简单、成本低廉。所形成的双级台阶结构具有尺寸可随要求变化且层次分明的特点。
一种半导体器件台阶结构湿法化学腐蚀方法

[发明专利]一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法-CN02114674.8无效
发明人： 袁寿财;朱长纯 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2002-07-15 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法，全套工艺除了P⁺版和槽栅版两张光刻版以外，其余所有光刻都被省去，即只用两次光刻完成IGBT的器件制造，而且两次光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率，降低了制版费用和制造成本。本发明设计的一种IGBT多重沟道短路结构，有效的防止了IGBT闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现多晶硅刻蚀和金属接触全自对准，可使元包尺寸减小到2μm甚至更小，增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度，提高了电流。
一种硅化物全对准绝缘双极晶体管制备方法

[实用新型]制备碳纳米管的电弧放电装置-CN02224490.5无效
发明人：朱长纯;王琪琨;袁寿财;刘君华 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2002-01-31 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳纳米管电弧放电装置，包括设置在真空室内的阳极支架、阴极支架，阳极支架通过阳极移动臂与阳极相联接，阴极支架上设置有盘状阴极，阳极支架和阴极支架的下端分别设置有阳极转动手柄和阴极转动手柄。本实用新型结构简单，工作安全可靠，可实现半连续式工作，制备的碳纳米管产额高，因此，可用于电弧法大量制备碳纳米管。
制备纳米电弧放电装置

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