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[发明专利]化学机械研磨的方法-CN200810041827.1有效
发明人：蒋莉;邵颖;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种化学机械研磨的方法，包括，在研磨层上无需研磨的区域形成研磨保护层；选用对研磨层研磨速率大于对研磨保护层研磨速率的研磨浆，对所述研磨层进行化学机械研磨。所述化学机械研磨的方法避免了无需研磨区域的过度研磨，从而避免研磨工艺影响器件性能。
化学机械研磨方法

[发明专利]掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法-CN200810105616.X有效
发明人：黎铭琦;蒋莉;邵颖;邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法，其中所述掺杂多晶硅的平坦化方法包括：提供本征态的多晶硅，进行化学机械抛光，对多晶硅进行掺杂。其中，所述多晶硅的掺杂浓度大于5.0E+20cm^-2。采用所述方法形成的多晶硅的表面平整度高。
掺杂多晶平坦方法以及硅浮栅制作方法

[实用新型]小型发动机电控系统-CN200820202809.2有效
发明人：李汉伟;于英桓;蒋莉;黄建宏;李建春 -专利权人：湛江德利化油器有限公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： F02D41/26 文献下载
摘要：本实用新型属于发动机技术领域，具体是公开了小型发动机电控系统，包括电子控制单元ECU，以及与电子控制单元ECU电连接的传感器和执行器；其中传感器包括安装在发动机缸盖或缸体上的温度传感器、发动机自身的触发线圈、安装在发动机缸体排气口或消声器上的氧传感器；执行器包括安装在化油器上的电磁阀、连接在炭罐和化油器之间的炭罐电磁阀、安装在仪表板上的系统状态指示灯。本实用新型的小型发动机电控系统结合尾气后处理技术，可使尾气排放满足国家三期摩托车排放法规、欧III、欧IV摩托车排放法规、燃油蒸发污染物排放法规，同时还可以保持或提高摩托车的经济性、动力性、驾乘舒适性。
小型发动机电系统

[发明专利]一种面向医学数据的分层剥离体绘制方法及其系统-CN200910096421.8有效
发明人：梁荣华;李诚;谭国珍;包佳蕊;吴福理;黄鲜萍;蒋莉;毛剑飞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G06T15/00 文献下载
摘要：一种面向医学数据的分层剥离体绘制方法，包括以下步骤：1)导入医学体数据；2)利用光线投射算法，沿光线方向对体数据采样，通过计算相邻的不透明度极小值和极大值之间的斜率，并根据用户指定的斜率阈值和累积不透明度阈值确定分层点；3)从每条光线上不同组织的分层点处开始，利用光线投射算法进行直接体绘制。以及提供了一种面向医学数据的分层剥离体绘制系统。本发明有效解决不同组织间的遮挡问题、计算简单、准确性高、能满足临床应用的要求。
一种面向医学数据分层剥离绘制方法及其系统

[发明专利]一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法-CN200710170744.8有效
发明人：黎铭琦;蒋莉;邵颖;邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法，该多晶硅淀积在用于制作非易失性存储器的硅衬底上，该硅衬底包含浅槽隔离结构以及通过该浅槽隔离结构分隔开的存储阵列区和外围控制电路区，该多晶硅用于充当存储阵列区的浮栅。现有技术中仅通过化学机械抛光粗抛工艺抛光多晶硅以在存储阵列区形成浮栅，而易在外围控制电路区的多晶硅上产生凹陷缺陷且在存储阵列区和浅槽隔离结构上产生多晶硅残留。可提高抛光性能的本发明首先在该多晶硅上淀积辅助氧化层；接着依次进行化学机械抛光的粗抛工艺和细抛工艺。采用本发明可大大提高多晶硅的抛光性能，进而大大提高非易失性存储器的性能。
一种提高抛光性能多晶方法

[发明专利]一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法-CN200710170745.2有效
发明人：蒋莉;黎铭琦;姜立维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在去除氮氧化硅前进行热处理致使氮氧化硅致密而无法彻底去除，从而影响有源区上的元件和半导体器件的性能。本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作衬垫氧化层以及由氮氧化硅层和氮化硅层上下层叠而成的保护阻挡层；接着光刻并蚀刻出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积填充该隔离沟槽；接着进行化学机械抛光工艺以去除氮氧化硅层而形成沟槽隔离结构，最后去除氮化硅层和衬垫氧化层。采用本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法可避免氮氧化硅残留，从而大大提高半导体器件的性能。
一种避免氧化残留沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]清洗金属层、形成导电插塞及硅基液晶显示器的方法-CN200710046489.6无效
发明人：臧伟;蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种清洗金属层的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成金属层；对金属层进行研磨；用包含金属腐蚀抑制剂的清洗溶液去除研磨残留物；用水清洗金属层表面，去除清洗溶液残留。本发明还提供一种形成导电插塞及硅基液晶显示器的方法。本发明用包含金属腐蚀抑制剂的清洗溶液去除研磨残留物；用水清洗金属层表面，去除金属层清洗溶液残留，用清洗溶液去除经化学机械研磨工艺后残留的研磨液的时候不会与金属层发生反应，并且在用水清洗金属层表面时，水也不会与金属层反应，因此不会产生颗粒缺陷。
清洗金属形成导电液晶显示器方法

[发明专利]小型发动机电控系统-CN200810218857.5无效
发明人：李汉伟;于英桓;蒋莉;黄建宏;李建春 -专利权人：湛江德利化油器有限公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： F02D41/26 文献下载
摘要：本发明属于发动机技术领域，具体是公开了小型发动机电控系统，包括电子控制单元ECU，以及与电子控制单元ECU电连接的传感器和执行器；其中传感器包括安装在发动机缸盖或缸体上的温度传感器、发动机自身的触发线圈、安装在发动机缸体排气口或消声器上的氧传感器；执行器包括安装在化油器上的电磁阀、连接在炭罐和化油器之间的炭罐电磁阀、安装在仪表板上的系统状态指示灯。本发明的小型发动机电控系统结合尾气后处理技术，可使尾气排放满足国家三期摩托车排放法规、欧III、欧IV摩托车排放法规、燃油蒸发污染物排放法规，同时还可以保持或提高摩托车的经济性、动力性、驾乘舒适性。
小型发动机电系统

[发明专利]一种计算机辅助的三维颅面复原方法-CN200810063464.1无效
发明人：梁荣华;王银燕;陈矛;黄体楠;吴福理;黄鲜萍;蒋莉;毛剑飞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：一种计算机辅助的三维颅面复原方法，包括以下步骤：1)扫描头骨获得3D数字颅骨模型；2)把存在孔洞的3D数字颅骨模型先进行颅骨孔洞的获取和孔洞区域离散点的插入，再采用空间多边形的三角剖分进行孔洞的填充，最后采用最小二乘法拟合和径向基函数插值来进行局部和全局优化进行曲面的平滑优化得到一个完整的数字颅骨模型；3)采用手工标识特征点法和基于曲面的法线方向添加法向软组织厚度的计算方法获得颅面特征点，并对该离散的特征点进行基于径向基函数插值和三角剖分，获得颅骨的面部复原雏形；4)把复原的面部雏形通过约束性纹理映射算法生成具有真实感的3D人脸模型。本发明快速性好、准确性高、可靠性强。
一种计算机辅助三维复原方法

[实用新型]晶圆研磨定位环-CN200720144362.3有效
发明人：蒋莉;邵颖 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种晶圆研磨定位环，包括：环体，环体包含内缘和外缘，所述环体内缘相对外缘有凹口。本实用新型环体内缘相对外缘有凹口，在将晶圆固定至研磨衬垫时，环体的外缘部分会对研磨衬垫产生压应力使研磨衬垫凹陷，凹陷侧壁有倾斜角度，而内缘部分覆盖凹陷的倾斜侧壁，且与研磨衬垫不接触或接触而不产生应力，使晶圆边缘能与研磨衬垫接触，在研磨过程中研磨液对晶圆边缘起作用，提高了晶圆边缘芯片的研磨良率。
研磨定位

[发明专利]抛光垫以及化学机械抛光方法-CN200610118833.3有效
发明人：蒋莉;臧伟;季华;小池正博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： B24D17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。
抛光以及化学机械抛光方法

[发明专利]抛光垫以及化学机械抛光方法-CN200610118834.8有效
发明人：蒋莉;臧伟;季华;小池正博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： B24D17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。
抛光以及化学机械抛光方法

[发明专利]形成器件隔离区的方法-CN200710126588.5有效
发明人：蒋莉;邹陆军;李绍彬;吴佳特 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成器件隔离区的方法，首先在硅衬底上依次形成垫氧化层和第一氮化硅层；蚀刻垫氧化层、第一氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；在第一氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；在绝缘氧化层上形成第二氮化硅层；研磨第二氮化硅层及绝缘氧化层至第一氮化硅层；去除第一氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤后，由于在氧化硅层上沉积了一层氮化硅层，在对氧化硅层和氮化硅层进行研磨时，对氮化硅的研磨速度比对氧化硅的研磨速度慢，因此在研磨结束后，浅沟槽内氧化硅凹陷情况得以改善。
形成器件隔离方法

[实用新型]新型电控化油器-CN200720051560.5无效
发明人：李汉伟;于英桓;蒋莉 -专利权人：湛江德利化油器有限公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： F02M7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型电控化油器，包括化油器本体、主油系、低速油系及节气门机构；节气门机构的节气门轴一端设有由其驱动的节气门位置传感器(TPS)；怠速旁通气道上设一低速油系占空比电磁阀，且所述主油系主通气道上设一与其相通的带主油系占空比电磁阀的主油系旁通气道；所述节气门位置传感器(TPS)、低速油系占空比电磁阀及主油系占空比电磁阀通过数据线与摩托车的电控装置(ECU)连接。本实用新型的新型电控化油器，能感知发动机所处工况，且对于每一工况点，利用电子控制占空比，使进入发动机内的油气达到最佳混合比，提高燃烧效率，起到节油的功效，减少废气对环境的污染。
新型化油器

[发明专利]化学机械抛光设备的清洗装置和方法-CN200610029902.3有效
发明人：臧伟;蒋莉;李杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种化学机械抛光(CMP)设备的清洗装置和方法，其中清洗装置包括可以与化学机械抛光设备的转到清洗位置的抛光头相接触的刷子；相应的清洗方法是采用去离子水清洗化学机械抛光设备的抛光头的同时采用可以与转到清洗位置的抛光头相接触的刷子进行擦洗。通过在CMP设备的抛光头上增加刷子，能够有效的清除抛光头上以及隐藏在抛光头背面边缘的通槽内的残留物，避免残留物中的颗粒晶化沾污和划伤晶片。
化学机械抛光设备清洗装置方法