“董彬忠”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果151个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法-CN202111023442.4有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和第三子层均为掺Mg的GaN层，所述第二子层为不掺杂的GaN层，且所述第二子层的与所述第三子层接触的一面均布有多个纳米颗粒。该发光二极管外延片可以降低P型接触层的欧姆接触电阻，提高LED的发光效率。
用于降低欧姆接触电阻发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110305662.X有效
发明人：洪威威;王倩;董彬忠;梅劲;张奕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层和AlGaN电子阻挡层之间增加复合层，复合层包括依次层叠在多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层。第一子层中交替层叠的InN层与掺有p型杂质的GaN层，提高GaN层中空穴数量。第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，提高复合层的质量的同时起到一定的阻挡电子的作用。最后通过生长包括AlGaN层的第三子层，复合层及复合层后的AlGaN电子阻挡层的质量均可以得到提高，进入多量子阱层内的空穴数量也可以得到提高，最终发光二极管的发光效率可以得到大幅度提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110180925.9有效
发明人：洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。掺杂Si的第一GaN子层可以将电子扩散的通道变窄，电子可以均匀分布，未掺的第二GaN子层则可以增大电阻，并加强电子横向分布，实现电子的均匀横向扩展，降低发光二极管外延片的工作电压。第一复合层上层叠的第二复合层包括多个交替层叠的InGaN子层与AlGaN子层，在电子得到横向扩展的基础上，可以有效限制电子的移动速率，减少电子的溢流作用，促使更多的空穴进入多量子阱层中进行发光。最终可以提高发光二极管外延片发光均匀度的同时提高发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的制造方法-CN202111203972.7有效
发明人：王群;葛永晖;龚逸品;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括：提供一基底，所述基底为AlN/GaN超晶格结构；在所述基底上生长非掺杂氮化镓层；在纯氮气气氛下，向反应腔内通入设定气体量的氨气，对所述非掺杂氮化镓层进行第一次退火处理；在所述非掺杂氮化镓层上依次生长N型波导层、多量子阱层、P型波导层和P型接触层；在氩气和氮气的混合气氛下，对外延片进行第二次退火处理。采用该微型发光二极管外延片的制造方法，可以提高外延片的生长质量，最终提高微型显示器件的工作效率。
微型发光二极管外延制造方法

[发明专利]碳化硅外延结构及其制造方法-CN202111004799.8有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本公开提供了一种碳化硅外延结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述碳化硅外延结构包括基底以及依次层叠在所述基底上的界面处理层、成核层和SiC厚层，所述基底包括多个周期交替生长的GaN层和AlN层，所述界面处理层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为未掺杂的SiC层，所述第二子层为掺Si的SiC层，所述成核层为表面具有多个三角锥状凸起的SiC层，所述SiC厚层的厚度为80～100um。采用该碳化硅外延结构可以生长较厚的SiC层，并保证生长出的SiC外延结构的质量。
碳化硅外延结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片制备方法-CN202110282376.6有效
发明人：洪威威;王倩;董彬忠;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。生长多量子阱层中的各个阱层，在n型GaN层依次生长第一InGaN子层、InN子层、第二InGaN子层与第三InGaN子，在每两个子层之间，均通入一段时间的氨气。氨气提高阱层中的N和In的比，减小In在界面存在的析出的可能性，以提高阱层的内部质量。氨气导致的富N环境可以减少In元素的析出，有效减少In富集或者团簇的概率，提高In元素分布的均匀度以提高发光二极管的发光均匀度。同时氨气与杂质碳反映转化为气体排出反应腔，减小阱层中会残留的杂质碳以提高阱层的晶体质量，阱层的晶体质量的提高进一步会带来发光二极管发光效率的提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]微型发光二极管外延片及其制造方法-CN202111019658.3有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述微型发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和电极接触层，所述复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为表面具有纳米颗粒的氮化镓层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层。该微型发光二极管外延片可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
微型发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]微型发光二极管外延片及其制造方法-CN202110866752.6有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述微型发光二极管外延片包括基底、以及依次层叠在所述基底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层，所述基底包括依次层叠的衬底、成核层和多孔氮化镓层，所述基底还包括位于所述成核层和所述多孔氮化镓层之间的愈合层，所述愈合层为掺C和H的GaN层。该微型发光二极管外延片可以减少Ga空位从底层扩散到多量子阱层中，保证多量子阱层中In组分的均匀分布，最终可以提高发光二极管的发光效率。
微型发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110474333.8有效
发明人：王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层、以及复合P型接触层；所述复合P型层包括第一P型层和经过氧等离子体处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为氧化镓层；所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氧等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为氧化镓层。采用该发光二极管外延片可以使得更多的电子与空穴在多量子阱层辐射复合发光，提高LED的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN202110330162.1有效
发明人：王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。依照循环流程生长多量子阱层中的至少一个InGaN阱层。向反应腔通入的有机金属源中的镓源与铟源会较为均匀地层铺在GaN材料上，提高InGaN阱层的晶体质量。之后通入的阱层氨气进入反应腔后，在GaN材料上形成铟组分的分布较为均匀的InGaN膜，向反应腔交替通入金属有机源与阱层氨气，则可以在GaN材料上依次层叠多个内部In组分分布较为均匀的InGaN膜，多个InGaN膜层叠得到的InGaN阱层。得到的InGaN阱层内部的In组分分布的均匀程度得到提高，最终得到的发光二极管的发光均匀度也可以得到提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法-CN202110476207.6有效
发明人：王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层、以及复合P型接触层；所述复合P型层包括第一P型层和经过氟等离子体处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为掺氟的氮化镓层；所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氟等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为掺氟的氮化镓层。采用该发光二极管外延片可以在提高空穴浓度的同时，减少Mg的掺杂，保证有源层的晶体质量，提高外延片的发光效率。
提高晶体质量发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管的制备方法-CN202011042953.6有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种高电子迁移率晶体管的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在Si衬底上生长漏电屏蔽层，所述漏电屏蔽层包括至少一个周期结构，每个所述周期结构采用如下三步形成：第一步，横向生长AlGaN，形成二维结构层；第二步，在300torr～500torr的压力下进行退火处理；第三步，纵向生长GaN，形成三维结构层；在所述漏电屏蔽层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层。本公开在Si衬底上生长包括至少一个周期结构的漏电屏蔽层，可以将外延缺陷密度降低为106/cm2以下，有效抑制漏电通道的形成，降低加HEMT发生隧道击穿的概率，提高HEMT的抗静电能力，保证HEMT的可靠性满足需要。
电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN202110338965.1有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在AlN层上生长非掺杂的第一GaN膜层，将第一GaN膜层浸泡在碱性溶液或酸性溶液中，第一GaN膜层中存在的质量差且较不稳定的GaN材料，会被碱性溶液与酸性溶液去除，第一GaN膜层也被减薄一部分。留下的第一GaN膜层的质量较好，内部的缺陷与应力较少，在干燥之后的第一GaN膜层上沉积的非掺杂的第二GaN膜层的质量也会更好。而底层GaN缓冲层的质量的提高，则可以有效保证后续得到的n型GaN层与多量子阱层的质量较好，最终得到的发光二极管的发光效率也会得到提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法-CN202110340677.X有效
发明人：丁涛;董彬忠;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的应力释放层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述应力释放层包括层叠的至少两个多孔AlN层，所述多孔AlN层分布有孔洞，且沿所述外延片生长的方向，各个所述多孔AlN层中的孔洞分布的密度逐层减小。这样分布的孔洞能够促进AlN材料的横向外延生长，使得AlN材料中的位错缺陷合并或者弯曲湮灭，还能够释放异质外延产生的应力，进一步降低AlN中的位错密度，提高晶体质量。孔洞还能够通过散射，提高光子沿垂直于衬底的方向射出的几率，从而提高光提取效率，提高深紫外发光二极管的发光效率。
深紫发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘-CN202110675459.1有效
发明人：从颖;姚振;董彬忠;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本公开公开了一种用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘，属于外延生长技术领域。呈圆柱体的外延托盘的端面具有的凹槽圈都包括多个支撑结构，支撑结构包括圆形凹槽和第一支撑凸起。衬底凸起的区域与支撑于第一支撑凸起上，提高传热速度，衬底凹陷的区域位于多个第一支撑凸起的间隙之间，气体传热慢，降低凹陷区域的传热速度，使得衬底表面的温度更为均匀。而每个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，使衬底的凸起区域可以大部分支撑在第一支撑凸起上，而衬底的凹陷的区域可以支撑于第一支撑凸起之间的间隙内进行气体传热，有效调节衬底的温度较为均匀，以提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。
用于提高外延生长均匀托盘

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
下一页»
尾页
共 151 条