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[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011040882.6有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层均掺杂有n型杂质，用于提供用于复合的电子。电子在第一石墨烯层与第二石墨烯层中也具有较高的迁移速率。电子的迁移速率得到增加，进入有源层的电子的速率增加，因此可以将n型层中的n型杂质的浓度减小至6E17～8E18/cm‑3。电子迁移速率加快，弥补第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层中因n型杂质的减少而带来的电子总量的减少，不会影响发光二极管的发光效率。而n型杂质的减少会使得第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层的晶体质量提高，最终有效提高有源层的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的生长方法-CN202010802174.5有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、低温P型层和高温P型层；在所述高温P型层生长完后，对所述高温P型层的表面进行预处理，在所述高温P型层上形成粗化表面；在所述高温P型层的粗化表面上形成MgN岛状物；在所述MgN岛状物上生长P型GaN填平层。该生长方法可以形成两层粗化结构，降低光子在高温P型层与空气的界面之间的全反射，提高高温P型层的出光效率。
发光二极管外延生长方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN202010612595.1有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底上生长作为基础的三维成核层时，则先向反应腔内通入Ga源与N源，生长GaN晶粒薄层。关闭Ga源与N源并持续5～60s，同时升高反应腔内的温度。GaN晶粒薄层在升温的条件下进行再结晶反应，GaN晶粒的状态更稳定。再结晶反应后的GaN晶粒薄层内的热应力会在低温条件下进行释放，质量进一步提高。重复以上步骤直至在衬底上得到三维成核层，三维成核层每一层的质量均得到保证，使得在三维成核层上生长的非掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、p型GaN层也可以得到提高，最终提高外延片整体的晶体质量，提高外延片制备得到的发光二极管的发光效率。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]高亮发光二极管芯片及其制造方法-CN202110601592.2在审
发明人：卫婷;尹灵峰;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种高亮发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的P型电极包括P型焊盘和P型手指，P型手指的一端与P型焊盘连接，P型手指的另一端向远离P型焊盘的方向延伸，P型手指包括交替连接的多段第一手指和多段第二手指，相邻两段第一手指之间通过一段第二手指连接；N型手指和P型手指在衬底上的正投影，位于N型焊盘和P型焊盘在衬底上的正投影之间，且多段第一手指在衬底上的正投影与N型手指在衬底上的正投影平行，从P型焊盘至N型焊盘方向，多段第一手指在衬底上的正投影至N型手指在衬底上的正投影之间的距离逐渐增大。该芯片可以缩短P型手指与芯片边缘间距，增大芯片边缘发光效率。
发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的生长方法-CN202011040907.2有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片的生长方法，生长方法包括：在衬底上生长外延层；在衬底上生长外延层时，在反应腔腔盖通入吹扫气体，将反应腔内产生的副产物吹扫到反应腔的尾气端，使副产物排到反应腔外；吹扫气体的使用量与各层生长所需的MO源使用量、各层生长所需的反应气体的流量、各层的生长厚度、各层掺杂浓度均呈正相关；吹扫气体的使用量还与外延层各层的生长阶段相关，外延层各层的生长阶段分为初始生长阶段、中间生长阶段和结束生长阶段，吹扫气体在中间生长阶段时的使用量大于在初始生长阶段和结束生长阶段时的使用量。该生长方法可以减少外延片生长过程中表面颗粒物的产生，形成优良表面，保证微型发光二极管的发光效果。
微型发光二极管外延生长方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的制备方法-CN202010936345.3有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了微型发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长n型层时，以较低的生长压力生长n型层，MO源可以充分反应得到质量较好的n型层。发光层的生长压力整体的生长压力相对n型层更低，发光层中的In原子也有足够的时间渗入发光层中，提高发光层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。p型层的生长压力高于n型层与发光层的生长压力，保证发光层的质量。p型层的生长压力大于n型层与发光层的生长压力还可以起到p型层快速生长。整体提供微型发光二极管的出光均匀度的同时也不会过度提高微型发光二极管的成本。
微型发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202010226988.9有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。发光二极管外延片的缓冲层包括沿外延片的生长方向层叠的：第一GaN子层作为后续第一SINx子层等结构的生长基础，第一SINx子层上形成部分微孔，位错被截断在第一SINx子层与第二GaN子层之间。在第二GaN子层上生长第二SINx子层，避免位错延伸至N型GaN层及有源层内。最终在第二SINx子层上生长第三GaN子层，作为过渡层保证后N型GaN层及有源层的质量。延伸至N型GaN层及有源层的位错较少，可以有效提高外延层的整体质量，有源层内会形成的缺陷较少，有源层内的非辐射复合减少，有效提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011061541.7有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。多量子阱层的垒层中，第一InGaN子层可实现与InGaN阱层之间的良好过渡，保证垒层在InGaN阱层上的生长基础，第一InN子层则作为过渡层，实现第一InGaN子层到SiN子层的良好过渡与生长，提高SiN子层的晶体质量。而SiN子层本身可起到阻挡位错延伸的作用，避免位错向上延伸，进一步提高在SiN子层上生长的外延结构的晶体质量。最后生长的非掺杂GaN子层则起到常规的GaN垒层作用，保证多量子阱层可正常发光。多量子阱层的晶体质量可得到大幅度提高，最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管外延片及其制造方法-CN202011214180.5有效
发明人：洪威威;商玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开公开了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。微型发光二极管外延片的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，第一量子阱层和第三量子阱层均为InxGa1‑xN层，第二量子阱层为In组分为零的GaN层，第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，第三量子阱层中In组分的变化方式与第一量子阱层中In组分的变化方式相同。采用上述结构的量子阱层，可以改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，从而可以提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
微型发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202010898127.5有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；缓冲层和N型半导体层依次层叠在衬底上；N型半导体层的顶面具有均匀分布的多个凹坑，每个凹坑的底面平行于N型半导体层的底面，同一个凹坑的侧面上每个点的切平面与凹坑的底面之间的第一夹角相同；有源层层叠在N型半导体层的顶面上；有源层的顶面具有多个凸块，多个凸块与各自对应的凹坑相对；每个凸块的顶面平行于凹坑的底面，同一个凸块的侧面上每个点的切平面与凸块的顶面之间的第二夹角相同，且凸块的第二夹角与凹坑的第一夹角之差小于1°；P型半导体层的底面层叠在有源层的顶面上。本公开可提高亮度。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011042951.7有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型GaN层与p型接触层之间增加插入层，插入层包括依次层叠在p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层。Mg量子点层包括多个分布在p型GaN层上的多个Mg量子点，多个Mg量子点与p型GaN层及第一GaN层之间的界面会较为粗糙，可以增加光线在p型GaN层的界面处的漫反射，而减小光线在p型GaN层的界面处可能出现的全反射，从而提高光线的出射率。第一GaN层可以覆盖Mg量子点层较为粗糙的表面，保证在第一GaN层上生长的p型接触层的质量。最终得到的发光二极管外延片的出光率可以得到提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201911337984.1有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。应力释放层的生长温度从N型GaN层的生长温度降低至第一生长温度，应力释放层内积累的热应力的方向与N型GaN层内热应力的方向相反，应力释放层内的热应力与N型GaN层内热应力相互抵消部分，应力释放层内会积累的应力较少。后续再使应力释放层的生长温度从第一生长温度逐渐升高至第二生长温度，应力释放层的生长温度从第二生长温度逐渐降低至有源层的生长温度，应力释放层内部的热应力可以自我抵消部分，使得应力释放层内最终积累的应力较少，应力释放层释放应力的效果较好，后续生长有源层时会延伸至有源层的应力少，可以提高有源层的晶体质量。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN201911049401.5有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将发光二极管外延片中的InGaN/GaN多量子阱层设置为包括多个交替层叠的第一复合单元与第二复合单元。第一复合单元包括层叠的第一InGaN阱层与第一GaN垒层，第二复合单元包括层叠的第二InGaN阱层与第二GaN垒层，第一InGaN阱层的厚度小于第二InGaN阱层的厚度，第二InGaN阱层保证InGaN/GaN多量子阱层的发光效率，厚度小于第二InGaN阱层的第一InGaN阱层，则可以在保证发光效率的同时减小第二InGaN阱层中的In含量，减小第一InGaN阱层会带来的极化效应。设置厚度大于第一GaN垒层的第二GaN垒层起到阻挡电子的作用，保证在InGaN/GaN多量子阱层中复合的电子与空穴的数量，整体提高InGaN/GaN多量子阱层的发光效应。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110072179.1有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。将缓冲层包括第一子层与第二子层，第一子层起到过渡作用。层叠在第一子层上的第二子层包括有交替层叠的第二GaN层和BGaN层，一方面缓解晶格失配，并为后续外延结构的生长提供一个良好的基础，而BGaN层由于B原子体积较小，可以插入或填充位错造成的空白位置，减少缓冲层内部所存在的缺陷，且B原子可以起到一定的定位作用，避免位错继续移动至n型GaN层与多量子阱层中，有效提高最终得到的发光二极管外延片的晶体质量。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝模板、深紫外发光二极管外延片及其制备方法-CN201811287339.9有效
发明人：胡红坡;董彬忠;张奕;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝模板、深紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一平片衬底；采用磁控溅射技术在平片衬底上沉积氮化铝成核层；采用光刻技术和蚀刻技术对氮化铝成核层进行图形化，氮化铝成核层变成多个间隔设置在平片衬底上的周期结构；对多个周期结构进行1300℃～1600℃的退火处理；采用物理沉积技术在多个周期结构和各个周期结构之间的平片衬底上形成用于抑制外延生长的介质；采用光刻技术和蚀刻技术去除多个周期结构上的介质；采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在多个周期结构上外延生长氮化铝外延层，氮化铝外延层在介质上横向聚合，形成氮化铝模板。本发明可提供高质量的氮化铝模板。
一种氮化模板深紫发光二极管外延及其制备方法