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[实用新型]一种多通道模块化便携式气体检测仪-CN202223561366.5有效
发明人：王晓纤;任心琮;苗敬松;董广智;陈泉如;姬利;徐祯超 -专利权人：王晓纤
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多通道模块化便携式气体检测仪，具体涉及气体检测仪技术领域，包括模块化气体检测仪本体，所述模块化气体检测仪本体的外壁且靠近其顶端位置处固定有固定环，所述固定环的下方设有收纳防护组件；所述收纳防护组件包括设置在固定环下方的两个磁铁。本实用新型通过设置收纳防护组件，可以竖直将模块化气体检测仪本体实现放置，在重力的作用下，模块化气体检测仪本体带动滑动块沿着防护外壳内壁导向下移，磁铁可以与定位槽完成磁吸固定，防护外壳对模块化气体检测仪本体起到全方位防护，同时可以对模块化气体检测仪本体上的四个通道传感器起到防尘、防水的作用。
一种通道模块化便携式气体检测

[实用新型]一种适用于陶瓷浆料的光固化3D打印机-CN202222555638.4有效
发明人：邢宏宇;刘志骐;董广智;陈诚;郑欣茹;魏世通;赵桂丽 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于陶瓷浆料的光固化3D打印机，成型面、升降单元均安装在壳体内隔板的上端面，成型平台装在升降单元的悬臂端部，升降单元能驱动着成型平台移动。于成型面呈U形分布的三侧分别设置刮刀架和两个滑轨槽。刮刀架的两端与滑轨槽匹配。滑轨槽端部设有的丝杠传动总成能驱动着刮刀架作直线往复移动。刮刀架的中部为条状板，在该条状板上设有安装刮刀的槽孔。条状板能在刮刀架往复移动过程中始终对应在成型面的上方。条状板的板面上设有的通孔经软管与供料单元相连。本专利能够在陶瓷浆料增材成型过程中，自动进行陶瓷浆料的供给与铺平，较好地克服了当前因膏料分布不均导致的打印无法正常进行的问题。
一种适用于陶瓷浆料光固化打印机

[发明专利]一种硅控整流器、芯片及电路-CN202111622482.0有效
发明人：赵东艳;陈燕宁;王于波;邵瑾;付振;王文赫;甄岩;李腾浩;董广智;李嘉睿;王树龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
一种整流器芯片电路

[发明专利]基于多媒体资源库的人脸快速匹配方法-CN202310152207.X有效
发明人：李刚;董广智;徐国锋;林瑜;沙琨 -专利权人：中国人民解放军海军潜艇学院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明涉及图像数据处理技术领域，具体涉及一种基于多媒体资源库的人脸快速匹配方法，该方法包括：在多媒体资源库中截取静态图像并获取对应的灰度图像，获取灰度图像的灰度直方图；标记灰度图像中的头部区域作为关注区域；根据灰度级是否属于关注区域自定义每个灰度级的调节系数，根据不同灰度级的调节系数以及灰度直方图构建映射函数，基于映射函数得到灰度直方图中的非重点灰度级；根据非重点灰度级的数量以及关注区域中相邻灰度级的灰度差异获取关注区域中每个灰度级的间隔宽度，基于间隔宽度对灰度图像进行增强得到增强图像；基于增强图像提取面部特征进行人脸匹配；本发明能够提高人脸匹配的准确性。
基于多媒体资源库快速匹配方法

[发明专利]导热绝缘复合材料及其制备方法-CN202011349297.4有效
发明人：赵东艳;王于波;邵瑾;李秀伟;甄岩;于秋生;彭业凌;黄海潮;赵扬;董广智;王文赫;朱艳吉;申小松;汪怀远 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;天津大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
导热绝缘复合材料及其制备方法

[实用新型]无滤芯式杀菌除尘空气净化机-CN202222319969.8有效
发明人：赵学晨;贾增杰;董广智;赵光辉;李绍志;郇利顺;段会震;潘天俊 -专利权人：石家庄铁道大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F24F6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了无滤芯式杀菌除尘空气净化机，属于空气净化设备技术领域，包括机壳，机壳内设有多个隔板，并将机壳内依次分隔为进风腔、杀菌腔、加湿腔以及排风腔，进风腔、杀菌腔、加湿腔以及排风腔依次连通，进风腔内安装有进风风扇，排风腔内安装有排风风扇，且进风腔与杀菌腔之间、加湿腔与排风腔之间均设有负离子发生器，以及设有用于静电除尘的静电场。该无滤芯式杀菌除尘空气净化机，相较于传统的空气净化机，采用能耗更低更环保的静电除尘，且经过流程开始时干式除尘以及流程后部水雾湿法除尘两次处理后经测可除去气体中几乎全部颗粒物，环保高效，杀菌除尘效果更佳，且结构简单，生产成本更低，适用于普通人群，受众市场更广。
无滤芯式杀菌除尘空气净化

[发明专利]输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质-CN202210944464.2有效
发明人：王于波;赵东艳;翟振;陈燕宁;董广智;张东 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。
输电线检测方法模型训练装置设备介质

[发明专利]基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法-CN202211292154.3有效
发明人：赵东艳;邵瑾;王帅鹏;付振;陈燕宁;胡忠强;董广智;周芝梅;胡毅;李阳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请涉及磁传感器领域，提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器，包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元，三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面，三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接，所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通；三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极，所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联，集成度高、可靠性强，同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成，体积小、功耗低。
基于长方体硅基通孔三维传感器及其制造方法

[实用新型]浸水实验测试工装-CN202221012975.2有效
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;董广智;钟明琛;单书珊;杨金虎 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种浸水实验测试工装，属于防水检测技术领域。应用于浸水箱中柔性电子标签浸水实验，所述浸水实验测试工装包括：由螺栓连接机构组成的工装结构架，所述螺栓连接机构包括螺柱和对应的紧固螺母；用于固定被测柔性电子标签的固定板；所述固定板通过所述紧固螺母固定在所述工装结构架上。本实用新型方案解决了现有方法中柔性电子标签进行长时间浸水实验容易脱落的问题，且可以同时容纳上百个柔性电子标签，而且不受标签厚度影响，提高了测试效率。
浸水实验测试工装

[发明专利]电压钳位的超结器件及制造方法-CN202211122807.3有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。
电压器件制造方法

[发明专利]集成栅漏电容的超结器件及制造方法-CN202211124223.X有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，提供一种集成栅漏电容的超结器件及制造方法。所述超结器件包括：有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构；所述平板电容结构与所述栅极以及所述截止环区相连，所述平板电容结构作为超结器件的栅漏电容。本申请在终端区集成与栅极和截止环区相连的平板电容结构，该平板电容结构作为栅漏电容，可以减小超结器件电容的非线性特性，从而增加栅极驱动对超结器件栅极的可控性，减缓超结器件的电压、电流振铃，防止电压击穿损坏器件，改善了器件的EMI品质。
集成漏电器件制造方法

[发明专利]横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法-CN202211124222.5有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊;杨毓龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
横向器件绝缘双极晶体管制造方法

[实用新型]一种可伸缩的机械手结构-CN202222435576.3有效
发明人：赵学晨;贾增杰;董广智;赵光辉;李绍志;郇利顺;段会震;潘天俊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A01D46/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可伸缩的机械手结构，属于果实采摘机械手技术领域，包括：底座，所述底座上表面沿长度方向水平安装有滑台，所述滑台的一端延伸出底座外，所述滑台上沿长度方向滑动安装有滑座，所述滑座顶部水平固定有支撑套筒，所述支撑套筒上水平限位穿设有套管，所述套管远离底座的一端安装有五爪机械手，所述底座上表面远离滑台的一端竖向转动安装有主轴，所述主轴底部设置有转向轴，所述转向轴底部套装有第一齿轮，所述底座底部安装有步进电机。该可伸缩的机械手结构，通过五爪机械手的伸缩以及旋转，模仿人工采摘时人手握住果实通过拽拉或者拧断的方式进行采摘，确保了果实采摘的稳定性。
一种伸缩机械手结构

[发明专利]功率半导体器件终端及制造方法-CN202211122924.X在审
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件终端及制造方法，属于芯片领域。超结MOS器件包括：形成在半导体衬底上的有源区和终端区，有源区和终端区内均设置有相互交替的N柱和P柱，终端区表面设置有场氧化层，场氧化层的上方设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板，多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，每段金属微场板与对应的一段多晶硅微场板通过接触孔相连，形成多级阶梯场板；N柱与下一级P柱相接面位于任意两段多晶硅微场板之间间隔区域的下方，所述P柱与下一级N柱相接面位于任一多晶硅微场板的下方。
功率半导体器件终端制造方法

[发明专利]双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片-CN202210875537.7有效
发明人：陈燕宁;赵东艳;王于波;董广智;付振;刘芳;余山;郁文;邓永峰;王凯 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构；栅极结构设置在半导体衬底上方，且栅极结构的下表面一端与第一体区相接，另一端与第一漂移区相接；栅极结构的上表面一端与第二体区相接，另一端与第二漂移区相接；第二体区位于第一体区上方；第二漂移区位于第一漂移区上方；第一漏极区形成在第一漂移区内，第二漏极区形成在第二漂移区内；第一源极区形成在第一体区内，第二源极区形成在第二体区内；第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通，第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。
沟道 ldmos 器件及其制备方法以及芯片

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