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[发明专利]集成增强型与耗尽型场效应管的结构及其制造方法-CN201811631597.4有效
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及集成增强型与耗尽型场效应管结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；在所述势垒层上形成光刻胶层，并在所述第一欧姆接触区与第二欧姆接触区之间的光刻胶层上形成垂直于栅极的多个凹槽；去除无光刻胶区域所对应位置的势垒层，形成鳍；在第一欧姆接触区形成第一电极，在第二欧姆接触区行形成第二电极，在第三欧姆接触区上形成第三电极；在所述第一电极和第二电极之间的势垒层上形成第一栅极，在所述第二电极和第三电极上的势垒层上形成第二栅极。在本发明将增强型晶体管和耗尽型晶体管集成在一个场效应管中，为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。
集成增强耗尽场效应结构及其制造方法

[发明专利]HEMT结构及其制造方法-CN201910603666.9有效
发明人：倪贤锋;范谦;孙培浩;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种HEMT结构，包括：衬底；位于所述衬底上的带有铁掺杂的缓冲层；位于所述缓冲层上的掺杂控制层；位于所述掺杂控制层上的非故意掺杂层；以及依次位于所述非故意掺杂层上的沟道层和势垒层。本申请所提出的HEMT结构及其制造方法，通过引入掺杂控制层，增加掺杂元素的衰减速率，减小掺杂层的厚度，改善缓冲层的绝缘效果。
hemt 结构及其制造方法

[发明专利]金刚石基氮化镓器件制造方法-CN201810667077.2有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上生长氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上粘合临时载片；去除所述衬底，并倒置形成的临时载片‑氮化镓缓冲层结构；在倒置后的氮化镓缓冲层上形成介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；去除所述临时载片，并将形成的氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置。综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化。
金刚石氮化器件制造方法

[发明专利]金刚石基氮化镓器件制造方法-CN201810651735.9有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层和介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；将形成的衬底‑氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置；去除所述衬底。综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化。
氮化镓器件金刚石金刚石层介质层衬底氮化镓缓冲层尺寸金刚石金刚石形核图案化制造晶圆生长预设图案倒置产业化氮化镓去除申请

[实用新型]深紫外LED-CN201920461069.2有效
发明人：华斌;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻，即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。
图案化介质深紫外LED 量子阱层衬底横向电阻均匀性申请发光

[实用新型]半导体器件-CN201920578179.7有效
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提出一种半导体器件，包括：衬底、所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层，其中，所述势垒层为阶梯状，所述势垒层的每个台阶上设有源极、漏极和栅极。本申请所提出的半导体的器件，通过形成阶梯状的势垒层从而提高器件的线性度。
势垒层半导体器件缓冲层阶梯状衬底线性度漏极源极申请半导体

[实用新型]一种鳍型场效应管-CN201822247692.6有效
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鳍型场效应管，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的势垒层；位于所述势垒层上的源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和漏极之间；所述势垒层包括平行且间隔设置的多个鳍，所述鳍位于所述源极与漏极之间的区域且与所述栅极垂直；所述鳍的宽度(单位nm)为a1、a2、a3、a4、...、an，所述宽度为a1的鳍的数量为b1，所述宽度为a2的鳍的数量为b2，所述宽度为a3的鳍的数量为b3，依此类推，所述宽度为an的鳍的数量为bn，其中，a1、a2、a3、a4、...、an为10‑200之间的任意整数，b1、b2、b3、b4、...、bn为任意正整数。本申请所提出的鳍型场效应管，通过组合多种宽度的鳍，提高器件的线性度。
场效应管势垒层漏极源极鳍型缓冲层衬底本实用新型间隔设置线性度正整数平行垂直申请

[发明专利]制造高质量和高均匀性III族氮化物外延结构的方法-CN201910421365.4在审
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种在HEMT器件内制造高结晶质量和高均匀度AlN层的方法，包括：将基板的温度升高到超高的生长温度；在超高生长温度下在衬底上以脉冲形式提供Al源和N源，其中超高生长温度至少为1300℃；其中，在所述脉冲的每个周期中的第一预定时间段，当N源关闭时，Al源被接通。本申请所提出的在HEMT器件内制造高结晶质量和高均匀度AlN层的方法，可用于显着改善高质量III族氮化物基HEMT器件中的AlN层均匀性和晶体质量，从而显着改善DC和RF性能以及器件可靠性。
高均匀度高结晶生长制造器件可靠性预定时间段高均匀性脉冲形式外延结构均匀性源关闭脉冲衬底基板可用接通申请

[发明专利]集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法-CN201910003343.6有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。同时，利用缓冲层的再生长以及掺杂需求，将杂质产生的电子变为掺杂层的一部分，提高掺杂浓度的同时防止多余的电子对器件产生干扰。
增强型耗尽型掺杂氮化镓HEMT器件耗尽型晶体管模拟混合信号单片集成高速数字射频电路掺杂层缓冲层再生长制造电路

[实用新型]集成增强型和耗尽型的HEMT-CN201822240713.1有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一势垒层和位于第一势垒层上并覆盖部分第一势垒层的第二势垒层，其中，所述第一势垒层的厚度为1nm‑30nm；位于所述第一势垒层上的第一源极、第一漏极和第一栅极以及位于所述第二势垒层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。
势垒层增强型耗尽型缓冲层衬底漏极源极氮化镓HEMT器件耗尽型晶体管模拟混合信号本实用新型单片集成高速数字射频电路申请电路覆盖

[实用新型]集成增强型和耗尽型的HEMT-CN201920004165.4有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一沟道层上的第一源极、第一漏极和第一栅极，位于所述第二沟道层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。本实用新型所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。
沟道层缓冲层势垒层增强型耗尽型衬底漏极源极氮化镓HEMT器件耗尽型晶体管模拟混合信号本实用新型单片集成高速数字射频电路电路申请

[发明专利]深紫外LED-CN201910278211.4在审
发明人：华斌;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻，即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。
深紫外LED 图案化介质量子阱层衬底横向电阻均匀性申请发光

[发明专利]T型栅制备方法-CN201910348147.2在审
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种T型栅制备方法，包括：提供一外延结构，在所述外延结构上依次形成刻蚀阻挡层和第一介质层；对部分所述第一介质层进行刻蚀，使刻蚀停止在刻蚀阻挡层，以形成凹槽；在所述凹槽内和所述第一介质层上形成第二介质层，并对所述第二介质层进行干法刻蚀，直到刻蚀到刻蚀阻挡层而停止，使所述凹槽形成为栅极凹槽；在所述栅极凹槽内沉积金属层，形成T型栅。本申请所提出的的T型栅制备方法，通过刻蚀阻挡层和两次对介质层刻蚀定义出栅根线宽，使栅根线宽能够满足器件的要求，有利于提高T型栅的制备效率和降低T型栅的制备难度。
介质层制备刻蚀阻挡层刻蚀外延结构栅极凹槽线宽沉积金属层凹槽形成干法刻蚀申请

[发明专利]T型栅制备方法-CN201910346827.0在审
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本申请提出一种T型栅制备方法，包括：在所述介质层上形成第一光刻胶层,并在所述第一光刻胶层形成凹槽；使用物理气相沉积的方法,对晶圆表面进行倾斜蒸镀，在所述第一光刻胶层上形成掩膜层金属，并在所述凹槽底部形成部分没有掩膜层覆盖的区域；对所述没有掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，在所述介质层形成栅根凹槽后去除所述第一光刻胶层和掩膜层；在晶圆表面上旋涂形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，使所述栅根凹槽形成为栅极窗口；采用金属蒸镀的方法在所述栅极窗口内沉积金属层，形成T型栅。本申请所提出的T型栅制备方法，无论采用哪种光刻胶，均能使T型栅的栅根线宽能够满足器件对线宽需求。
光刻胶层掩膜层制备晶圆表面介质层物理气相沉积沉积金属层凹槽形成金属蒸镀倾斜蒸镀光刻胶对线光刻刻蚀上旋线宽覆盖去除申请金属

[发明专利]半导体结构制造方法-CN201810754483.2有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人： 苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构制造方法，包括：在衬底上生长介质层；在所述介质层上定义出外延区域和间隙区域；刻蚀外延区域的介质层，以暴露出所述衬底；在暴露出的衬底上依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层。本申请所提供的半导体结构制造方法，将铝镓氮势垒层分隔成多个独立的部分，使外延区域内生长的铝镓氮势垒层，可以在提高铝组份的同时，防止铝镓氮薄膜产生微裂纹，提高器件的良率和可靠性。
铝镓氮势垒层半导体结构外延区域衬底介质层制造氮化镓缓冲层铝镓氮薄膜间隙区域生长介质生长铝组份微裂纹暴露分隔刻蚀良率申请