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[发明专利] 高电子迁移率晶体管器件 -CN202210374281.1 在审
发明人：
陈纪孝 ;郑子铭 ;陈威任 ;李凯霖
- 专利权人：
联华电子股份有限公司
申请日：
2022-04-11
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公布日：
2023-10-24
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主分类号：
H01L29/778 文献下载
摘要： 本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。电子 迁移率 晶体管 器件
[发明专利] 半导体元件及其制作方法 -CN202210298345.4 在审
发明人：
林宏展
- 专利权人：
联华电子股份有限公司
申请日：
2022-03-24
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公布日：
2023-10-10
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主分类号：
H10N50/10 文献下载
摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先形成第一金属间介电层于基底上，然后形成沟槽以及两个接触洞于第一金属间介电层内，形成一金属层于该两个接触洞以及沟槽内以形成一金属内连线以及一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层，形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于SOT层上，形成第一硬掩模于MTJ上，形成第二硬掩模于第一硬掩模上，形成遮盖层于MTJ旁，再形成第二金属间介电层环绕遮盖层。半导体 元件 及其 制作方法
