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- [发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202111587888.X在审
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侯信铭
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联华电子股份有限公司
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2021-12-23
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2023-06-27
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H01L29/739
- 本发明公开一种绝缘栅双极型晶体管，其包含一P型III‑V族氮化物层，一N型III‑V族氮化物层接触P型III‑V族氮化物层的一侧，一高电子迁移率晶体管设置在N型III‑V族氮化物层上，高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族氮化物层和一第二III‑V族氮化物层，第一III‑V族氮化物层设置在N型III‑V族氮化物层上，第二III‑V族氮化物层设置在第一III‑V族氮化物层上，一源极埋入于第二III‑V族氮化物层和第一III‑V族氮化物层中，其中源极包含一N型III‑V族氮化物主体和一金属结，一漏极接触P型III‑V族氮化物层的另一侧以及一栅极设置在第二III‑V族氮化物层上。
- 绝缘栅双极型晶体管
- [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111542882.0在审
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林宏展
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联华电子股份有限公司
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2021-12-16
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2023-06-20
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H10N50/01
- 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为先提供一包含MRAM区域与逻辑区域的基底，然后形成第一金属间介电层于基底上，形成第一金属内连线与第二金属内连线于MRAM区域的第一金属间介电层内，形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于第一金属内连线与第二金属内连线上，形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于SOT层上，形成一硬掩模于MTJ堆叠结构上，利用该硬掩模图案化MTJ堆叠结构以形成MTJ，形成一遮盖层于SOT层与硬掩模上，再图案化遮盖层以及SOT层。
- 半导体元件及其制作方法
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