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[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN202211115057.7在审
发明人： 竹林雄二;越卷寿朗 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够提高基板的搬送效率的技术。提供一种技术，具备：能够进行基板的处理的至少一个处理室；能够支承所述基板的支承器具；能够搬送所述支承器具的搬送单元；能够进行所述基板的移载的移载室；与所述移载室和所述处理室相邻、并能够进行所述搬送单元的移动的搬送室；以及配置于所述搬送室并能够进行多个所述支承器具的交接的交接室。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202211093500.5在审
发明人：芦原洋司;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制在对载置有基板的载置台进行搬运时以及停止时基板产生错位的技术。基板处理装置具备：对基板进行处理的至少一个处理室；能够载置至少一个所述基板的载置台；搬运室，其具有在铅垂方向上至少在两处保持所述载置台且进行所述载置台的搬运的搬运装置；以及能够在所述搬运室进行所述搬运装置的搬运控制的控制部。
处理装置方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202180063519.2在审
发明人：森岳史;竹林雄二;平野诚;山口天和;冈岛优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少占用空间的技术。本发明提供一种技术，即一种基板处理装置，其具有：模块，其具备：气体供给部，其具有上游侧整流部和供给结构；反应管，其与所述气体供给部连通；以及气体排气部，其设置在与所述上游侧整流部对置的位置且具有下游侧整流部和排气结构；供给管，其与所述气体供给部连接；排气管，其与所述气体排气部连接；输送室，其与多个所述模块相邻；以及配管配置区域，其位于所述输送室的侧方且与所述模块相邻，能够配置所述供给管或所述排气管，所述反应管配设于在所述基板处理装置的长度方向的轴上与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述供给管的情况下，所述气体排气部配置在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述排气管的情况下，所述气体供给部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、清洁方法、基板处理装置和记录介质-CN201880017674.9有效
发明人：李根;山崎裕久;野野村一树;寿崎健一;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种清洁技术，能够将由含氟气体难以蚀刻的高介电常数氧化膜等膜高效地除去。解决手段是进行以下工序来将所述高介电常数氧化膜除去：(a)以第一压力向附着了高介电常数氧化膜的处理室供给氯系气体的工序，(b)从所述处理室排气的工序，(c)向所述处理室供给含氧气体的工序，(d)从所述处理室排气的工序，(e)以比所述第一压力低的第二压力向所述处理室供给所述氯系气体的工序，(f)从所述处理室排气的工序，和(g)向所述处理室供给还原气体来进行后处理的工序。
半导体装置制造方法清洁处理记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202211001536.6在审
发明人：神田达辉;冈岛优作;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开公开一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，在对基板进行处理时，能够向该基板的面内均匀地供给气体。基板处理装置具备：反应管，其收纳对基板进行支承的基板支承件；以及气体供给喷嘴，其从所述反应管的侧方沿所述基板的面内方向对被收纳于所述反应管的所述基板支承件支承的所述基板供给气体，所述气体供给喷嘴在所述基板的面内方向的端缘附近部和中央部具有第一气体喷出口，该第一气体喷出口形成为在所述端缘附近部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸比在所述中央部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸大。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质-CN202210863504.0在审
发明人：八田启希;竹林雄二;冈岛优作;田中翔太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，能够改善在基板上形成的膜的台阶覆盖性能。本发明的基板处理方法包括：(a1)以处理气体向着基板的边缘区域的输送速度比处理气体向着基板的中央区域的输送速度更快的方式来供给的工序，(a2)以处理气体向着基板的中央区域的输送速度比处理气体向着基板的边缘区域的输送速度更快的方式来供给的工序，和(b)向着基板供给反应气体的工序。
处理方法半导体装置制造记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质-CN201811053128.9有效
发明人：奥田和幸;南政克;中村吉延;高木康祐;加我友纪直;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N2气体，从而利用N2气体将DCS气体推升至沿上下方向延伸的喷嘴(249a)的上端。此外，通过从下方对处理室(201)内的气体进行排气，从而即使DCS气体被大量供给至在喷嘴(249a)内流动的DCS气体的上游侧即处理室(201)内的下方部，也仍可将其排气。由此，能够在处理室(201)的上下方向上均匀地供给DCS气体，能够使在衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间均匀。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置-CN201910865389.9有效
发明人： 竹林雄二;高木康祐;平野敦士;中川隆一;矶边纪之 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置，在将原料气体和反应气体交替地向多个基板供给而在基板上形成膜的情况下，抑制因气体分解而在供给原料气体的喷嘴的内壁上附着堆积物。将交替地各进行一次原料气体供给工序和供给反应气体的反应气体供给工序作为一个循环来执行一次或多次，且满足以下(1)～(4)的条件而在多个基板上形成膜，(1)各循环的原料气体供给工序中的原料气体的供给时间：20秒以下；(2)原料气体供给工序中的原料气体喷嘴内的原料气体的压力：50Pa以下；(3)原料气体供给工序中的处理室内的温度：500℃以下；(4)为了在基板上形成膜而持续进行的循环数：100次以下。
半导体装置制造方法存储介质处理

[发明专利]基板处理装置、升降机构、半导体器件的制造方法及程序-CN201980100442.4在审
发明人： 竹林雄二;平野诚;柴田刚吏;冈嶋优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：为了提高形成于多个基板的膜的厚度的均匀性而使基板处理装置的构成具备：基板保持件，其具有保持多个基板的基板支承件、和对配置在该多个基板之间的多个隔板进行支承的隔板支承部；容纳基板保持件的反应管；使基板保持件进出反应管的第一驱动部；使基板保持件旋转并沿上下方向驱动基板支承件和隔板支承部中的某一方的第二驱动部；加热基板的加热部；在反应管内部供给气体的气体供给部；将气体从反应管排出的排气部；和控制部，其在将基板保持件插入反应管内部的状态下控制气体供给部和第二驱动部，使得一边驱动第二驱动部以使多个基板或多个隔板与喷嘴的多个孔的上下方向上的相对位置根据预先设定的条件而变化一边供给气体。
处理装置升降机构半导体器件制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、程序以及记录介质-CN202080055607.3在审
发明人：平野诚;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在同时处理多个基板的情况下，为了能够提高在各个基板上形成的膜的厚度的均匀性，将基板处理装置构成为，具备：沿上下方向保持多张基板的基板保持具；收容支承了基板的基板保持具的反应管；上下驱动部，其相对于反应管的内部搬入搬出基板保持具；气体供给部，其具有与由收容在反应管的内部的基板保持具保持的多张基板对应的多个气体供给体；从反应管排出从气体供给部供给的气体的排出部；控制部，其构成为能够根据事先设定的条件对多张基板相对于多个气体供给体的高度进行调整，以向基板供给气体的方式对加热部、气体供给部和上下驱动部进行控制。
处理装置半导体器件制造方法程序以及记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094512.X在审
发明人：野野村一树;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有以下工序：在处理室内积载并容纳多个基板的工序；从第一喷嘴和第二喷嘴针对多个基板供给原料气体的工序，上述第一喷嘴在处理室内沿多个基板的基板积载方向设置且从基板积载方向的上部供给的气体的流量比从下部供给的气体的流量多，上述第二喷嘴在处理室内沿基板积载方向设置且从基板积载方向的下部供给的气体的流量比从上部供给的气体的流量多；以及针对多个基板供给反应气体的工序。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201980057965.5在审
发明人： 竹林雄二;寿崎健一;矶边纪之;中川隆一;平野敦士 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置-CN201980057139.0在审
发明人：李根;山崎裕久;寿崎健一;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供能够将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去的清扫技术。将(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序、(b)对处理容器内进行排气的工序、(c)向处理容器内供给含氧气体的工序、(d)对处理容器内进行排气的工序，(e)向处理容器内在比第一压力低的第二压力下供给含氯气体的工序、(f)对处理容器内进行排气的工序、(g)向处理容器内供给含氧气体的工序和(h)对处理容器内进行排气的工序分别进行1次以上，并且使得(c)中的含氧气体的供给量与(g)中的含氧气体的供给量不同，将在容器内附着的氧化膜除去。
清扫方法半导体装置制造程序处理

[发明专利]基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法-CN201980018938.7在审
发明人： 竹林雄二;小川云龙;藤野敏树;羽田幸人;角田奈绪子 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法，在从原料气体喷嘴向收纳基板的反应管内供给原料气体的情况下，抑制或防止原料气体喷嘴内被加热到基板处理温度。提供一种技术，具有：反应管，其由第一构件构成，并收纳基板；以及原料气体喷嘴，其设置在反应管内，至少一部分由第二构件构成，并向反应管内供给原料气体，第二构件的反射率比第一构件高，且因内部所含的气泡而具有比第一构件粗糙的表面。
处理装置气体喷嘴半导体制造方法

[发明专利]衬底处理装置-CN201710076980.7有效
发明人：藤野敏树;藤井优磨;野野村一树;马场美德;竹林雄二;寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制喷嘴的黑色化并改善膜质的表面间的均匀性的衬底处理装置。具有：搭载并收纳多个衬底的处理室；以规定温度加热处理室的加热系统；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从原料气体喷嘴向处理室供给原料气体，原料气体喷嘴在处理室的衬底搭载方向上延伸并且具有多个供给孔和多个减压孔，多个供给孔在与衬底的搭载区域对应的高度开口，多个减压孔在比多个供给孔更靠下部且原料气体喷嘴内变得比规定温度低的位置开口并降低原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向处理室供给与原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为以在衬底上形成膜的方式控制加热系统、原料气体供给系统和反应气体供给系统。
衬底处理装置

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