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[发明专利]具有全晶片覆盖能力的极高敏感度混和式检验-CN201980078628.4有效
发明人： G·H·陈;L·穆劳伊 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示用于检测半导体样本上的缺陷的设备及方法。首先使用光学检验器以用经选择以检测在跨半导体样本的对应位置处的候选缺陷及扰乱点位点的积极预定义的阈值检验所述样本。高分辨率分布式探针检验器包含相对于所述样本移动以扫描及获得每一位点的高分辨率图像以检测且使所述候选缺陷位点与所述扰乱点位点分离的微型探针阵列。接着使用较高分辨率探针获得每一候选位点的较高分辨率图像，以获得每一位点的高分辨率图像，使不利地影响所述样本上的任何装置的操作的真实缺陷与所述候选缺陷分离。
具有晶片覆盖能力极高敏感度混和检验

[发明专利]用于宽带光源的光谱调谐的系统及方法-CN201780014888.6有效
发明人：安德鲁·希尔;阿姆农·玛纳森;欧哈德·巴沙尔 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：一种可调谐光谱滤波器包含第一可调谐色散元件、第一光学元件、位于焦平面处的空间滤波元件、第二光学元件及第二色散元件。所述第一可调谐色散元件利用可调整色散将光谱色散引入到照明光束。所述第一光学元件将所述照明光束聚焦于焦平面处，其中所述经光谱色散照明光束的光谱在所述焦平面处的分布可通过调整所述第一可调谐色散元件的所述色散而控制。所述空间滤波元件基于所述照明光束的所述光谱在所述焦平面处的所述分布而将所述照明光束的所述光谱滤波。所述第二光学元件收集从所述空间滤波元件透射的所述经光谱色散照明光束。所述第二可调谐色散元件从所述照明光束移除由所述第一可调谐色散元件引入的所述色散。
用于宽带光源光谱调谐系统方法

[发明专利]用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器-CN202210487111.4在审
发明人： W·G·舒尔茨;G·德尔加多;F·希尔;E·加西亚(贝里奥斯);R·加西亚 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本申请实施例涉及用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器。本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
用于真空环境亮度电子束发射器

[发明专利]照明系统、具有照明系统的检验工具及操作照明系统的方法-CN202210561988.3在审
发明人： F·考文贝里斯;J·德格里夫;P·贝古奇;K·戈尔曼 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请实施例涉及照明系统、具有照明系统的检验工具及操作照明系统的方法。可配置区域光源布置于照明光束路径的照明光轴中，其中所述可配置区域光源经配置使得可设定不同光束直径。至少一个照明透镜定位于所述照明光束路径中以将准直光束至少引导到所述对象的表面上的视野上，其中所述照明光束路径的所述照明光轴的入射角的值等于成像光束路径的成像光轴的反射角的值。本发明允许在一种照明系统中组合广角同轴照明及准直同轴照明的功能性。
照明系统具有检验工具操作方法

[发明专利]基于概率性领域知识及物理实现的测量配方优化-CN202080084454.5在审
发明人： S·潘戴夫;陆伟;D·桑科 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06N7/00 文献下载
摘要：采用用于基于性能度量来训练及实施计量配方的方法及系统来定量地特性化计量系统在特定测量应用中的测量性能。采用性能度量以正规化在测量模型训练、基于模型的回归或两者期间采用的优化过程。
基于概率领域知识物理实现测量配方优化

[发明专利]产生多电子束的光电阴极发射器系统-CN201980011542.X有效
发明人： G·德尔加多;R·加西亚;K·艾奥凯密迪;Z·马克斯;G·洛佩兹;F·希尔;M·罗梅洛 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：所述系统包含光电阴极电子源、衍射光学元件及用以聚焦小光束的微透镜阵列。源将辐射光束引导到所述衍射光学元件，所述衍射光学元件产生小光束阵列以与光电阴极表面结合使用以从所述小光束产生电子束阵列。
产生电子束光电阴极发射器系统

[发明专利]使用浅层深度学习的差值滤波器及孔径选择的系统与方法-CN201980079469.X有效
发明人： S·巴塔查里亚;J·乔治;S·帕拉马西万;M·普利哈尔 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于缺陷重检及分类的系统。所述系统可包含控制器，其中所述控制器可经配置以接收样品的一或多个训练图像。所述一或多个训练图像包含多个训练缺陷。所述控制器可进一步经配置以将多个差值滤波器应用到所述一或多个训练图像，且接收指示所述多个差值滤波器的至少一部分的差值滤波器有效性度量的分类的信号。所述控制器可进一步经配置以基于所述所接收分类及所述多个训练缺陷的属性而生成深度学习网络分类器。所述控制器可进一步经配置以提取所述深度学习网络分类器的卷积层滤波器，且基于所述所提取的卷积层滤波器而生成一或多个差值滤波器配方。
使用深度学习差值滤波器孔径选择系统方法

[发明专利]用于以层特定照明光谱的计量的系统及方法-CN201880023805.4有效
发明人： A·玛纳森;D·内格里;A·V·希尔;O·巴沙尔;V·莱温斯基;Y·帕斯卡维尔 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种计量系统，其包含图像装置及控制器。所述图像装置包含光谱可调照明装置及检测器，所述检测器用于基于响应于来自所述光谱可调照明装置的照明而从所述样本发出的辐射产生具有两个或两个以上样本层上的计量目标元件的样本的图像。所述控制器确定所述成像装置的层特定成像配置以在所选择的图像质量容限内成像所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件，其中每一层特定成像配置包含来自所述光谱可调照明装置的照明光谱。所述控制器进一步接收使用所述层特定成像配置产生的所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的一或多个图像。所述控制器进一步基于所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的所述一或多个图像提供计量测量。
用于特定照明光谱计量系统方法

[发明专利]用于激光生成等离子体光源的液滴产生-CN201680065118.X有效
发明人： B·阿尔;A·毕卡诺维;R·加西亚;L·C·哈尔;O·可哈达金 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明针对于一种装置，所述装置具有：喷嘴，其用于施配液体目标材料；一或多个中间室，每一中间室经定位以接收目标材料且形成有出口孔隙以输出目标材料以供在激光生成等离子体LPP室中进行下游辐照。在一些所揭示实施例中，包含控制系统以用于控制装置的中间室中的一个、一些或所有中间室中的气体温度、气体压力及气体组成物中的一或多者。在一个实施例中，揭示具有可调整长度的中间室。
用于激光生成等离子体光源产生

[发明专利]低反射背后照明图像传感器-CN202080083592.1在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·肖-李;S·雅拉曼其里;J·费尔登;D·布朗 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于短波长光的图像传感器包含半导体薄膜、形成于所述半导体薄膜的第一表面上的电路元件及所述半导体薄膜的第二表面上的涂硼纹理化表面。所述纹理化表面包括直立角锥、倒角锥及/或纳米锥的伪随机、周期性及/或随机分布。所述纹理化表面减小跨DUV及VUV方案内的宽带的入射光的反射，因此增加吸收光的量且提高所述图像传感器的效率。可通过将抗反射涂层施覆于所述纹理化表面来进一步减小反射比。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器，且并入检验系统中。
反射背后照明图像传感器

[发明专利]厚光致抗蚀剂层计量目标-CN202080084526.6在审
发明人：郭凌伊;裴金成 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种计量目标包含：第一目标结构，其形成于样本的第一层的第一区域及第三区域中的至少一者内，其中所述第一目标结构包括含有一或多个第一单元图案元件的多个第一单元；及第二目标结构，其形成于所述样本的第二层的第二区域及第四区域中的至少一者内，所述第二目标结构包括含有一或多个第二单元图案元件的多个第二单元。
厚光致抗蚀剂层计量目标

[发明专利]用于基于计量景观优化计量的系统及方法-CN202080082662.1在审
发明人： D·克莱因;T·马西安诺;N·阿蒙 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于量化计量对过程变动的敏感性的方法，其包含：通过计量工具对定位于半导体晶片上的至少一个位点处的至少一个计量目标执行计量，借此产生计量景观；及直接基于所述计量景观计算敏感性度量，所述敏感性度量量化所述计量景观对在制造所述半导体晶片时涉及的过程变动的敏感性。
用于基于计量景观优化系统方法

[发明专利]从低分辨率图像产生高分辨率图像以用于半导体应用-CN201880040444.4有效
发明人： S·夏尔马;A·S·达恩狄安娜;M·马哈德凡;房超;A·阿索德甘;B·达菲 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了用于从样本的低分辨率图像产生所述样本的高分辨率图像的方法和系统。一个系统包含经配置以用于获取样本的低分辨率图像的一或多个计算机子系统。所述系统还包含通过所述一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含深度卷积神经网络，所述深度卷积神经网络包含经配置以用于产生所述低分辨率图像的表示的一或多个第一层。所述深度卷积神经网络还包含经配置以用于从所述低分辨率图像的所述表示产生所述样本的高分辨率图像的一或多个第二层。所述第二层包含经配置以输出所述高分辨率图像并且经配置为子像素卷积层的最终层。
分辨率图像产生高分辨率用于半导体应用

[发明专利]用于灰场成像的设备及方法-CN202080083596.X在审
发明人：刘秀梅 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：将光束从光源引导于卡盘上的晶片处。从所述晶片反射所述光束朝向2D成像相机。所述光束的路径中的可移动聚焦透镜可独立地改变照明共轭及集光共轭。可使用照明路径中的结构化掩模且可引导所述光束穿过所述结构化掩模中的孔径。使用所述2D成像相机产生晶片在无直接照明的区带中的灰场图像且可使用所述灰场图像确定缺陷在所述晶片上的位置。
用于成像设备方法

[发明专利]使用简化模型的基于断层摄影术的半导体测量-CN202080083663.8在审
发明人： S·潘戴夫 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中呈现了用于与半导体结构的基于经断层摄影解析的图像的测量相关联的经改进正则化的方法及系统。本文中所描述的正则化基于捕获已知工艺变化的受约束体素模型的测量数据及参数化。基于简化几何模型、工艺模型或者两者来确定所述受约束体素模型，从而表征被测量结构。与未受约束体素模型相比，受约束体素模型具有明显较少自由度。与所述受约束体素模型的每一体素相关联的值取决于相对小数目的自变量。所述自变量的选择由对所述结构及基本制造工艺的了解提供。基于受约束体素模型的正则化使得能够以较少计算工作量更快速地收敛及更精确地重构经测量结构。这使得能够以经减少数据采集要求及经减少测量时间进行半导体测量。
使用简化模型基于断层摄影术半导体测量