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[发明专利]用于敏感粒子检测的连续退化椭圆延迟器-CN202280008417.5在审
发明人：刘学峰;J-K·龙;A·Y-H·庄;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：一种检验系统可包含：照明源，其用于产生照明光束；照明光学器件，其用于沿着照明方向以偏轴角将所述照明光束引导到样本；及集光光学器件，其用于在暗场模式中收集来自所述样本的散射光，其中来自所述样本的所述散射光包含与从所述样本的表面散射的光相关联的表面雾光，且其中所述表面雾光的至少一部分具有椭圆偏振。所述系统可进一步包含用于将跨光瞳的所述表面雾光的所述偏振转换为平行于选定雾光定向方向对准的线性偏振的光瞳平面光学器件。所述系统可包含用于拒绝平行于此雾光定向方向对准的所述表面雾光的线性偏振器及用于基于由所述线性偏振器传递的光产生所述样本的暗场图像的检测器。
用于敏感粒子检测连续退化椭圆延迟

[发明专利]具有利用等离子体原子层沉积所沉积的硼层的背照式传感器-CN202280008788.3在审
发明人： S·雅拉曼其里;J·费尔登;F·科莱;勇-霍·亚历克斯·庄 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：使用一种利用等离子体原子层沉积(等离子体ALD)工艺来在有源传感器区域上方产生薄无针孔纯硼层的方法制造背照式DUV/VUV/EUV辐射或带电粒子图像传感器。在半导体薄膜的前侧表面上形成电路元件，且接着对所述薄膜的背侧表面执行任选初步氢等离子体清洁工艺。所述等离子体ALD工艺包含执行多个等离子体ALD循环，其中每一循环包含在第一循环阶段期间形成吸附硼前体层，且接着在第二循环阶段期间产生氢等离子体以将所述前体层转换为相关联硼纳米层。在每一循环阶段之后，从等离子体ALD处理室清除气体。重复所述等离子体ALD循环，直到所得硼纳米层堆叠具有等于选定目标厚度的累积堆叠高度(厚度)。
具有利用等离子体原子沉积背照式传感器

[发明专利]利用空间变化偏振转子及偏振器进行敏感性粒子检测-CN202080019246.7有效
发明人：刘学峰;J-K·龙;D·卡瓦德杰夫;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种暗场检验系统可包含：照射源，其用以产生照射束；照射光学器件，其经配置以将所述照射束沿着照射方向以离轴角度引导到样本；聚光光学器件，其用以在暗场模式中响应于所述照射束而聚集来自所述样本的散射光；极化转子，其位于一或多个聚光光学器件的光瞳面处，其中所述极化转子提供被选择成将从所述样本的表面散射的光旋转到选定极化角度的空间变化极化旋转角度；极化器，其经对准以拒斥沿着所述选定极化角度发生极化的光来拒斥从所述样本的表面散射的光；及检测器，其用以基于来自所述样本的由所述极化器传递的散射光而产生所述样本的暗场图像。
利用空间变化偏振转子进行敏感性粒子检测

[发明专利]使用堆叠式四硼酸锶板的频率转换-CN202180039712.2在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·肖李;E·洛基诺娃;J·费尔登;张百钢 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：在激光器组合件的最终频率转换级中使用包含堆叠式四硼酸锶SrB4O7(SBO)晶体板的非线性晶体以产生波长在125nm到183nm范围内的激光器输出光，所述堆叠式四硼酸锶SrB4O7晶体板经协作配置以形成周期性结构以用于进行准相位匹配(QPM)。使用多个中间频率转换级将具有介于1μm与1.1μm之间的基波波长的一或多个基波光束加倍及/或求和以产生一或多个中间光束频率(例如，二次谐波到八次谐波或其和)，且然后所述最终频率转换级利用所述非线性晶体将单个中间光束频率进行加倍或对两个中间光束频率进行求和以产生具有高功率及高光子能量电平的所期望激光器输出光。还描述一种方法及一种并入有所述激光器组合件的检验系统。
使用堆叠硼酸频率转换

[发明专利]利用空间变化偏振转子及偏振器进行敏感性粒子检测-CN202211361414.8在审
发明人：刘学峰;J-K·龙;D·卡瓦德杰夫;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请实施例涉及利用空间变化偏振转子及偏振器进行敏感性粒子检测。一种暗场检验系统可包含：照射源，其用以产生照射束；照射光学器件，其经配置以将所述照射束沿着照射方向以离轴角度引导到样本；聚光光学器件，其用以在暗场模式中响应于所述照射束而聚集来自所述样本的散射光；偏振转子，其位于一或多个聚光光学器件的光瞳面处，其中所述偏振转子提供被选择成将从所述样本的表面散射的光旋转到选定偏振角度的空间变化偏振旋转角度；偏振器，其经对准以拒斥沿着所述选定偏振角度发生偏振的光来拒斥从所述样本的表面散射的光；及检测器，其用以基于来自所述样本的由所述偏振器传递的散射光而产生所述样本的暗场图像。
利用空间变化偏振转子进行敏感性粒子检测

[发明专利]背照式传感器及使用绝缘体上硅晶片制造传感器的方法-CN202180025903.3在审
发明人： A·哈德阿迪;S·雅拉曼其里;J·费尔登;勇-霍·亚历克斯·庄 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：通过首先重度p型掺杂SOI晶片的薄顶部单晶硅衬底，接着在所述顶部硅衬底的顶表面上形成相对轻度p型掺杂外延层而制造图像传感器，其中控制此两个工艺期间的p型掺杂水平以在所述顶部硅衬底中产生p型掺杂剂浓度梯度。在所述外延层上制造感测(电路)元件及相关联金属互连件，接着至少部分移除所述SOI晶片的处置衬底及氧化物层以暴露所述顶部硅衬底或所述外延层的下表面，且接着在所述经暴露下表面上形成纯硼层。所述p型掺杂剂浓度梯度从顶部硅/外延层界面附近的最大水平单调递减到所述外延层的上表面处的最小浓度水平。
背照式传感器使用绝缘体晶片制造方法

[发明专利]阵列式柱检测器-CN202080098220.6在审
发明人： A·D·布罗迪;L·P·穆劳伊;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：根据本公开的一或多个实施例，公开一种电子束检验系统。所述检验系统可包含电子束源，其经配置以产生一或多个一次电子束。所述检验系统还可包含电子光学柱，其包含一组电子光学元件，所述电子光学元件经配置以将所述一或多个一次电子束引导到样品。所述检验系统可进一步包含检测组合件，所述检测组合件包括：闪烁体衬底，其经配置以收集从所述样品发出的电子，所述闪烁体衬底经配置以响应于所述所收集的电子而产生光辐射；一或多个光导；一或多个反射表面，其经配置以接收所述光辐射并沿所述一或多个光导引导所述光辐射；及一或多个检测器，其经配置以从所述光导接收所述光辐射。
阵列检测器

[发明专利]叠加计量系统及方法-CN201880092279.7有效
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;刘学峰;江佩琳;J·费尔登;银英·肖李 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于测量样本的叠加误差的系统。所述系统可包含经配置以发射宽带照明的宽带照明源。所述系统还可包含经配置以将所述宽带照明引导到经安置于所述样本上的目标的一或多个光学元件，其中所述一或多个光学元件经配置以从所述目标收集照明且将其引导到光谱仪，其中所述光谱仪经配置以将从所述样本收集的所述照明的多个波长分散到传感器的多个元件以产生多个信号。所述系统还可包含控制器，所述控制器经配置以通过比较所述多个信号与多个经计算信号来计算所述目标的第一结构与第二结构之间的叠加误差。
叠加计量系统方法

[发明专利]低反射背后照明图像传感器-CN202080083592.1在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·肖-李;S·雅拉曼其里;J·费尔登;D·布朗 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于短波长光的图像传感器包含半导体薄膜、形成于所述半导体薄膜的第一表面上的电路元件及所述半导体薄膜的第二表面上的涂硼纹理化表面。所述纹理化表面包括直立角锥、倒角锥及/或纳米锥的伪随机、周期性及/或随机分布。所述纹理化表面减小跨DUV及VUV方案内的宽带的入射光的反射，因此增加吸收光的量且提高所述图像传感器的效率。可通过将抗反射涂层施覆于所述纹理化表面来进一步减小反射比。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器，且并入检验系统中。
反射背后照明图像传感器

[发明专利]光调制电子源-CN202080061976.3在审
发明人： E·加西亚贝里奥斯;J·约瑟夫·阿姆斯特朗;银英·肖-李;J·费尔登;勇-霍·亚历克斯·庄 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01J37/065 文献下载
摘要：一种光调制电子源利用光子束源来调制从硅基场发射器发射的电子束的发射电流。所述场发射器的阴极包含突出部，所述突出部经制造于硅衬底上且具有由涂层覆盖的发射尖端。提取器产生电场，所述电场将自由电子吸引朝向所述发射尖端以用于作为所述电子束的部分发射。所述光子束源产生包含具有大于硅的能带隙的能量的光子的光子束，且包含将所述光子束引导到所述发射尖端上的光学器件，其中每一经吸收的光子产生光电子，所述光电子与所述自由电子组合以增强所述电子束的发射电流。控制器通过控制施加到所述发射尖端的所述光子束的强度而调制所述发射电流。监测器测量所述电子束且提供反馈到所述控制器。
调制电子

[发明专利]作为光学玻璃材料的四硼酸锶-CN202080049159.6在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·李;E·洛基诺娃;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：四硼酸锶可用作光学材料。四硼酸锶展现高折射率、高光学损坏阈值及高微硬度。四硼酸锶的透射窗涵盖从130nm到3200nm的非常广的波长范围，从而使所述材料在VUV波长下尤其有用。由四硼酸锶制成的光学组件可并入于光学系统中，例如半导体检验系统、计量系统或光刻系统。这些光学组件可包含镜面、透镜、透镜阵列、棱镜、光束分离器、窗、灯单元或布鲁斯特角光学器件。
作为光学玻璃材料硼酸

[发明专利]作为光学涂覆材料的四硼酸锶-CN202080032685.1在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·肖李;E·洛基诺娃;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：与常规光学材料相比，将四硼酸锶用作在半导体检验及计量系统中利用的光学组件的光学涂覆材料，以利用其高折射率、高光学破坏阈值及高的微硬度。至少一个四硼酸锶层形成在光学组件的衬底的光接收表面上，使得其厚度用于增大或减小所述光学组件的反射比。一或多个额外涂覆层可放置在所述四硼酸锶层的顶部上或下方，其中所述额外涂覆层由常规光学材料组成。所述额外层的厚度可经选择以实现所述光学组件在特定波长下的期望反射比。所述经涂覆光学组件用于在半导体检验系统、计量系统或光刻系统中利用的照明源或光学系统中。
作为光学材料硼酸

[发明专利]用于检测低光信号的电子轰击检测器及其操作方法-CN201580039421.8有效
发明人：江希曼;S·比耶拉克;J·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测低光信号的电子轰击检测器，其包含：真空管结构，其界定圆柱形真空管腔室；光电阴极，其安置在所述真空管腔室的第一端处；传感器，其安置在所述真空管腔室的第二端处；环电极，其安置在所述真空管腔室中用于产生使所发射的光电子朝向所述传感器加速的电场；及磁场产生器，其经配置以产生施加聚焦透镜效应于所述光电子上的对称磁场。所述环电极及所述磁场产生器是使用缩短距离聚焦方法及加速/减速方法中的一者而操作，使得所述光电子具有低于2keV的着靶能量。反射模式光电阴极的使用是使用多极偏转器线圈或由分段圆形电极结构形成的环电极而实现。大角度偏转是使用磁偏转器或静电偏转器而实现。
高分辨率量子效率电子轰击 ccd cmos 成像传感器

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