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[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110359932.5在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110362301.9在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN201780087442.6在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^‑3。
砷化镓晶体基板晶体的蚀坑

[发明专利]半导体器件-CN201510337330.4在审
发明人：京野孝史;有方卓;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs_1-aSb_a形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSb_xAs_1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201480022894.2无效
发明人：柴田馨;秋田胜史;藤井慧;石塚贵司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410575708.X无效
发明人：京野孝史;秋田胜史;柴田馨;西塚幸司;藤井慧 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，半导体器件具有小于或等于1×10^-1A/cm²的暗电流密度。由此，提供可以接收中红外范围内的光并具有低暗电流的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置-CN201410220700.1在审
发明人：藤井慧;柴田馨;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层，其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤，使得多量子阱相对于衬底的晶格失配△ω满足-0.13％≤△ω<0％或0％<△ω≤+0.13％的范围，该范围的中心偏离零，并且源自多量子阱的零阶衍射峰中的X射线摇摆曲线具有30秒或更小的半峰全宽(FWHM)。
外延晶片及其制造方法光电二极管光学传感器装置

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410239477.5在审
发明人：京野孝史;藤井慧;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]外延晶片及其制造方法、半导体元件和光学传感器装置-CN201410183366.7在审
发明人：藤井慧;柴田馨;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及外延晶片及其制造方法、半导体元件和光学传感器装置。本发明的外延晶片包括由III-V族化合物半导体构成的衬底，由III-V族化合物半导体构成并且位于衬底上的多量子阱结构，和由III-V族化合物半导体构成并且位于多量子阱结构上的顶层。该衬底具有(100)的面取向以及-0.030°或更大且+0.030°或更小的偏离角，并且该顶层的表面具有小于10nm的均方根粗糙度。
外延晶片及其制造方法半导体元件光学传感器装置

[发明专利]发光元件、外延晶片以及制造外延晶片的方法-CN201380010216.X无效
发明人：藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供外延晶片和发光元件，所述发光元件具有由III-V族化合物半导体形成并以发射具有足够高强度的光的方式构造的II型MQW。所述方法包括：在III-V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构(MQW)的有源层的步骤，其中在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。
发光元件外延晶片以及制造方法

[发明专利]晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件-CN201410211067.X无效
发明人：桥本信;秋田胜史;元木健作;藤原伸介;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社;株式会社光波
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
晶片产品包含氮化半导体元件

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467484.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467660.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]光电探测器、外延晶片及其生产方法-CN201280021545.X无效
发明人： 秋田胜史;藤井慧;石塚贵司;永井阳一 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。
光电探测器外延晶片及其生产方法

[发明专利]光电二极管及其制造方法-CN201280017393.6无效
发明人：藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电二极管等，其中在不增加暗电流的情况下将光接收灵敏度扩展至近红外光的长波长的光电二极管。本发明的光电二极管特征在于提供有定位在InP衬底（1）上并具有II型多量子阱结构的光接收层（3），InGaAs层（3a）和GaAsSb层（3b）在II型多量子阱结构中交替层叠，并且具有使得InGaAs或GaAsSb的带隙能量在各个InGaAs层或各个GaAsSb层内朝向顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。
光电二极管及其制造方法

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