[发明专利]发光元件、外延晶片以及制造外延晶片的方法无效
| 申请号： | 201380010216.X | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104137280A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;C23C16/22;H01L21/205;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供外延晶片和发光元件，所述发光元件具有由III-V族化合物半导体形成并以发射具有足够高强度的光的方式构造的II型MQW。所述方法包括：在III-V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构(MQW)的有源层的步骤，其中在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 外延 晶片 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造外延晶片的方法，所述外延晶片包含由III‑V族化合物半导体形成的外延层结构，所述方法包括：在III‑V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构的有源层的步骤，其中，在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380010216.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 在硅鳍状物上形成LED结构-201380079214.6
- S·达斯古普塔;H·W·田;R·周;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;S·加德纳 - 英特尔公司
- 2013-09-27 - 2019-02-22 - H01L33/30
- 描述了在硅鳍状物模板上形成III‑V LED结构的方法。那些方法和结构可以包括：在硅鳍状物的硅(111)平面上形成n掺杂III‑V层，在n掺杂III‑V层上形成量子阱层，在量子阱层上形成p掺杂III‑V层，以及随后在p掺杂III‑V层上形成欧姆接触层。
- 包括阳极氧化铝层的异质结构-201480054847.6
- M·舒尔;M·S·夏塔洛夫;A·多布林斯基;R·加斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
- 2014-10-02 - 2018-09-14 - H01L33/30
- 描述了一种包括阳极氧化铝层的半导体结构。所述阳极氧化铝层可位于半导体层和另一个材料层之间。所述阳极氧化铝层可包括延伸到所述半导体层的相邻表面的多个孔。所述材料层可渗入至少一些所述多个孔并与所述半导体层直接接触。在说明性的实施方案中，所述材料层为传导材料，并且所述阳极氧化铝位于p型接触部处。
- 半导体发光组件-201580050792.6
- 酒井健滋;池田淳 - 信越半导体株式会社
- 2015-09-10 - 2017-08-18 - H01L33/30
- 本发明提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0＜n＜1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层，能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。
- 用于III族磷化物半导体发光器件的p接触层-201080029721.5
- T.钟;A.芒克霍尔姆 - 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
- 2010-05-27 - 2016-11-23 - H01L33/30
- 一种器件包括半导体结构，其具有布置在n型区域和p型区域之间的至少一个III族磷化物发光层。该半导体结构还包括GaAsxP1‑x p接触层，其中x<0.45。第一金属接触直接接触GaAsxP1‑x p接触层。第二金属接触电连接到n型区域。第一和第二金属接触形成于半导体结构的同一侧上。
- 发光元件、外延晶片以及制造外延晶片的方法-201380010216.X
- 藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 - 住友电气工业株式会社
- 2013-01-30 - 2014-11-05 - H01L33/30
- 本发明提供外延晶片和发光元件，所述发光元件具有由III-V族化合物半导体形成并以发射具有足够高强度的光的方式构造的II型MQW。所述方法包括：在III-V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构(MQW)的有源层的步骤，其中在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。
- 具有含凹陷电极的光耦合层的发光器件-201280028464.2
- 林朝坤;严莉;C-W·庄 - 东芝技术中心有限公司
- 2012-09-27 - 2014-04-30 - H01L33/30
- 一种发光器件包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的一第二层以及介于该第一层与该第二层之间的一源层。光耦合结构被布置为与该第一层和该第二层中的一个相邻。在某些情况中，该光耦合结构被布置为与该第一层相邻。该光耦合结构内形成延伸至该第一层的孔洞。形成于该孔洞内的电极与该第一层电连通。
- 具有光耦合层的发光装置-201280028463.8
- 严莉;林朝坤;C-W·庄 - 东芝技术中心有限公司
- 2012-09-27 - 2014-03-12 - H01L33/30
- 发明提供一种发光装置，所述发光装置包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的第二层、以及在第一层与第二层之间的有源层。光耦合层与第一层和第二层中的一个相邻。在某些情况下，通过对发光装置的缓冲层进行粗糙化来形成光耦合层。所述发光装置包括电极，其通过光耦合层的一部分与所述第一层或所述第二层中的一个电连通。
- 发光二极管和发光二极管灯-201180048839.7
- 濑尾则善;松村笃 - 昭和电工株式会社
- 2011-08-16 - 2013-06-12 - H01L33/30
- 本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
- 发光二极管、发光二极管灯和照明装置-201080051483.8
- 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝;竹内良一 - 昭和电工株式会社
- 2010-09-15 - 2012-07-18 - H01L33/30
- 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
- 发光二极管、发光二极管灯和照明装置-201080051487.6
- 粟饭原范行;竹内良一;村木典孝 - 昭和电工株式会社
- 2010-09-13 - 2012-07-18 - H01L33/30
- 提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
- 发光半导体装置-201080037476.2
- S·J·斯威尼 - 萨里大学
- 2010-06-25 - 2012-05-30 - H01L33/30
- 发光半导体装置(401)具有由铋(Bi)和一种或多种其它V族元素形成的有源区(405)。在具体实施方式中，III-V材料除包括铋外，还包括砷化镓(GaAs)。在所述III-V材料中包含铋，减小了带隙，同时提高了该材料的自旋轨道分裂能量。当自旋轨道分裂能量超过带隙时，禁止俄歇复合过程，减小了发光半导体装置(401)随环境温度改变的灵敏度。
- 发光二极管用外延晶片-201080019083.9
- 濑尾则善;松村笃;竹内良一 - 昭和电工株式会社
- 2010-02-24 - 2012-04-18 - H01L33/30
- 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
- 发光二极管、发光二极管灯和照明装置-201080019118.9
- 濑尾则善;松村笃;竹内良一 - 昭和电工株式会社
- 2010-03-03 - 2012-04-11 - H01L33/30
- 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
- 一种制备InGaN基多量子阱层的方法-200880130737.8
- 江风益;王立;莫春兰;方文卿 - 晶能光电(江西)有限公司
- 2008-08-19 - 2011-05-18 - H01L33/30
- 一种利用铟镓氮(InGaN)半导体材料制备量子阱的方法，该方法包括：通过向反应室内注入In前驱体气体和Ga前驱体气体，在叠层Ⅲ-Ⅴ族氮化物结构上于第一预设温度下制备势阱。该方法进一步包括制备所述势阱之后，停止供应Ga前驱体气体，保持供应In前驱体气体流，将反应室内温度升高至第二预设温度，同时将In前驱体气体流速从第一流速调整为第二流速。此外，该方法包括在第二预设温度时对所述势阱进行退火和稳定处理，同时保持第二流速。方法还包括在所述势阱上以第二预设温度制备势垒，同时恢复供应Ga前驱体气体。
- 专利分类
