“王鹏霖”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法-CN202110180160.9有效
发明人：孙慧卿;黄志辉;丁霄;王鹏霖;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法，该器件包括依次层叠于衬底上的背势垒层、沟道层和势垒层，源极、p型区域以及漏极间隔设置于势垒层表面的第一钝化层中，第一水平漏场板沿漏极的部分表面延伸靠近p型区域；栅极设置于p型区域的表面；第二水平漏场板沿第一水平漏场板的部分表面延伸靠近栅极；第一垂直漏场板自势垒层延伸至背势垒层中；第二垂直漏场板沿第一垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；第三垂直漏场板沿第二垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；本发明具有阶梯状漏场板结构射频HEMT器件能够保持器件的导通电阻不变，相比于传统的HEMT，本发明的器件结构具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。
阶梯板结射频 hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种无粘结预应力筋安装定位装置-CN202321011210.1有效
发明人：罗林波;曹生啟;王鹏霖;刘晓艳;李红忠 -专利权人：中国建筑第七工程局有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： E04C5/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无粘结预应力筋安装定位装置，包括主筋、环绕主筋捆扎的梁箍筋和固定在梁箍筋上的定位装置，定位装置包括定位梁、垫块和紧固螺杆；其中定位梁的两端开设有向侧面开口的固定槽，固定槽内另一侧壁开设有螺纹通孔，紧固螺杆螺纹连接在螺纹通孔内，并向固定槽的内部延伸，垫块置于固定槽内，紧固螺杆能通过螺纹通孔，并对应顶靠垫块，将梁箍筋夹紧在固定槽内；定位梁上均匀间隔开设有多个用于放置预应力筋的U型槽。本实用新型的目的在于提供一种无粘结预应力筋安装定位装置，可以有效地解决预应力筋固定不便、定位合格率低且不便于调整的问题，提升预应力筋竖向位置及水平位置合格率，并能提升预应力筋安装施工效率。
一种粘结预应力安装定位装置

[发明专利]增强型AlGaN-GaN垂直超结HEMT及其制备方法-CN202011508741.2有效
发明人：孙慧卿;张淼;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;郭志友;丁霄;黄志辉;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及增强型AlGaN/GaN垂直超结HEMT及其制备方法，包括沿GaN基底表面边缘设置的P型GaN柱，设置于GaN基底表面中间区域的N型GaN梯度柱，其掺杂浓度自远离GaN基底的方向依次递减，设置于所述P型GaN柱表面的P型GaN电流阻挡层，依次设置于所述P型GaN电流阻挡层和所述N型GaN梯度柱表面的N型沟道层和N型势垒层，间隔分布的钝化层和P型GaN帽层，以及截面呈π型的栅极；其有效调解了导通电阻和击穿电压不可兼顾的限制，并提高了饱和电流，以及更有效的高温传导。该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
增强 algan gan 垂直 hemt 及其制备方法

[发明专利]具有偶极子层的增强型AlGaN-GaN垂直型超结HEMT及其制备方法-CN202011502471.4有效
发明人：郭志友;马建铖;李渊;谭秀洋;夏晓宇;夏凡;张淼;孙慧卿;黄志辉;王鹏霖;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有偶极子层的增强型AlGaN/GaN垂直型超结HEMT及其制备方法，该器件中通过在AlGaN势垒层上设置无意掺杂的AlGaN形成偶极子层，且该偶极子层位于栅电极和漏电极之间的钝化层中，偶极子层沿着与AlGaN势垒层的界面形成负电荷。因此通过部分耗尽通道层中的2DEG，偶极子层可以调制沿通道的电场分布，从而大大提高了击穿电压。另一方面，该器件中通过对超结进行梯度掺杂更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻。本发明的制备方法降低了工业难度，减少了器件制造工艺过程中的损伤，能够提高器件的可靠性，满足实际应用的要求。
具有偶极子增强 algan gan 垂直型超结 hemt 及其制备方法

[发明专利]梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法-CN202110511019.2有效
发明人：孙慧卿;丁霄;黄志辉;王鹏霖;李渊;夏晓宇;夏凡;张淼;马建铖;谭秀洋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠的AlN缓冲层、Al组分渐变的AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、源极和漏极、位于源极和漏极之间的梳型栅；梳型栅包括栅头和栅足，栅足包括第一、第二和第三子栅足，沿源极指向漏极的方向上，第一、第二和第三子栅足依次间隔设置于AlGaN层表面，相邻子栅足之间设置空气间隔。该梳型栅结构的设置，减小了栅极电阻，降低了噪声系数，同时提高了增益；栅头与栅足之间没有钝化层介质，相邻栅足之间的间隙为空气，降低了栅极的寄生电容，提高了截止频率；三个栅足分隔开设置，增强了栅极对于沟道的控制，跨导随栅源电压变化更加稳定，明显提高线性度。
梳型栅结构 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法-CN202110170407.9有效
发明人：孙慧卿;丁霄;王鹏霖;黄志辉;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠于衬底上的第一GaN层、第一Al组分渐变AlGaN层、第二GaN层、第二Al组分渐变AlGaN层以及GaN帽层，其中，柱状凹槽分别沿GaN帽层两端延伸至第一GaN层中一定深度，n型GaN柱分别设置于柱状凹槽中；漏极和源极分别设置于n型GaN柱的表面，T型栅极设置于GaN帽层的表面。该结构中GaN柱连接渐变AlGaN层与GaN层形成三维电子气，将渐变层变为渐变沟道，调节电场的分布，提高了器件的击穿电压和截止频率，该双沟道使得源栅和栅漏之间的通道电阻减小，从而提高器件的跨导和截止频率线性度，使其在高频下保持较好的功率性能和线性度。
渐变沟道结构 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]双渐变沟道氮化镓基垂直结构射频器件及其制备方法-CN202110510164.9有效
发明人：郭志友;马建铖;李渊;夏晓宇;谭秀洋;夏凡;张淼;王鹏霖;丁霄;黄志辉 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种双渐变沟道氮化镓基垂直结构射频器件及其制备方法，该垂直型HEMT射频器件通过在第一源极和第二源极之间设置第一GaN层、第一Al组分渐变沟道层、第二GaN层、第二Al组分渐变沟道层依次层叠的结构，在垂直结构中形成了三维电子气，调节了电场的分布，从而提高击穿电压和截止频率。且该垂直HEMT器件主要通过器件内部的PN结来承受耐压，有效降低了缓冲层漏电的问题，使栅极附近的GaN区域不会形成高场区域，避免了因栅极电场集中效应而导致的击穿，并降低了比导通电阻，提升了器件的性能。
渐变沟道氮化垂直结构射频器件及其制备方法

[发明专利]具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法-CN202110517159.0有效
发明人：孙慧卿;夏凡;李渊;夏晓宇;谭秀洋;张淼;马建铖;黄志辉;王鹏霖;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法，其通过在势垒层表面设置一p型GaN区域，将栅极设置于该p型GaN区域上，进而在p型GaN区域朝向漏极的侧墙上布置栅极阶梯场板，在漏极朝向p型GaN区域的侧墙上布置漏极阶梯场板，阶梯场板包含至少两个子场板，子场板的宽度由上至下逐渐减小，其通过栅漏复合阶梯场板的设置，改变了栅极靠近漏极一侧以及漏极靠近栅极一侧的电场分布并且提高栅漏之间的平均电场强度，提升了器件的耐压性能和可靠性；栅极下方设置一p‑GaN区域，结合栅漏复合阶梯场板结构，使得的增强型HEMT射频器件具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。
具有复合阶梯板结增强 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法-CN202011503224.6有效
发明人：孙慧卿;夏凡;李渊;谭秀洋;张淼;夏晓宇;马建铖;郭志友;王鹏霖;黄志辉;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS‑HEMT及其制备方法，包括生长有GaN沟道层的衬底，依次层叠于沟道层上的第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、第三AlGaN势垒层及钝化层；一栅极沟槽自钝化层的上表面延伸至第二势垒层内，包括栅介质层和栅极金属的栅极结构，其中栅极介质层覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，与第三势垒层的上表面平齐，栅极金属填充栅极沟槽；其中覆盖于两个侧壁的栅介质层厚度不相同，沟槽底部的栅介质层厚度小于侧壁的栅介质层厚度。其改善沟道迁移率，降低导通电阻，具有较高的阈值电压和较高漏极饱和电流，提升了MIS‑HEMT的性能。
具有不对称介质增强 gan mis hemt 及其制备方法

[发明专利]含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法-CN202110511021.X有效
发明人：孙慧卿;王鹏霖;黄志辉;丁霄;李渊;谭秀洋;马建铖;夏晓宇;夏凡;张淼 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法，该器件中在AlN层中掺杂Sc(钪)，将ScAlN引入AlGaN/GaN势垒中，AlGaN层、ScAlN层和GaN过渡层共同构成一个特殊结构的异质结，增加了器件的自发和压电(应变相关)电荷极化，使得其二维电子气(2‑DEG)薄层电荷的载流子密度提高数倍，与此同时，应变驰豫问题也得到了很好的控制，这一特殊的异质结结构增强了器件射频性能和可靠性。另一方面，该器件中的源空气桥结构，能够相对其他介质桥结构降低寄生电容，在上述异质结的基础上进一步增强器件的射频性能。
sc 掺杂空气结构 gan 射频 hemt 及其制备方法

[实用新型]一种虚拟演唱会用VR眼镜-CN202122242244.9有效
发明人：金山;何佳威;施涵;赵一燃;王鹏霖 -专利权人：金山
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及VR眼镜技术领域，且公开了一种虚拟演唱会用VR眼镜，包括底板，底板的顶部固定连接有凹型框，底板的顶部并位于凹型框的内腔固定连接有驱动盒，驱动盒的顶部贯穿凹型框，驱动盒的左右两侧均匀固定连接有承载板，本实用新型通过设置底板、凹型框、驱动盒、承载板、压板、限位槽、螺杆、套筒和驱动板，能够方便对VR眼镜本体进行固定防护，通过设置筒体、压簧、活动柱和万向轮，能够方便对VR眼镜本体移动产生颠簸时，对其进行缓冲，通过设置以上结构，具备VR眼镜本体在使用后，提高防护性的优点，解决了原有VR眼镜本体在使用后，防护性较差的问题，从而避免VR眼镜本体在意外情况下发生磕碰，造成损坏。
一种虚拟演唱会 vr 眼镜

[发明专利]多场板射频HEMT器件及其制备方法-CN202110510963.6在审
发明人：郭志友;张淼;李渊;马建铖;谭秀洋;夏晓宇;夏凡;黄志辉;丁霄;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种多场板射频HEMT器件及其制备方法，该射频HEMT器件通过在AlGaN势垒层两侧端设置第一N型掺杂GaN层和第二N型掺杂GaN层，进而在第一、第二N型掺杂GaN层上设置源极和漏极形成N型源极和漏极提高2DEG浓度增加电子迁移率，从而使导通电阻减小并改善截止频率的线性度，使得器件能够在高频下保持较好的工作状态；另一方面，栅极的两侧分别设置连接至栅极的第一栅极场板和第二栅极场板，第一、第二栅极场板与势垒层之间设置P型掺杂的GaN层，N型源极上设置延伸至栅极和栅极场板的源极场板，进一步调节了电场的分布，提高了器件的击穿电压和截止频率ft。
多场板射频 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]栅极空气腔结构射频HEMT器件及其制备方法-CN202110510990.3在审
发明人：郭志友;张淼;李渊;马建铖;谭秀洋;夏晓宇;夏凡;黄志辉;丁霄;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及栅极空气腔结构射频HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；依次层叠于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；源极和漏极，位于所述势垒层表面两侧；第一p型半导体柱和第二p型半导体柱，设置于源极和漏极之间，位于所述势垒层表面；桥型栅极，位于第一、第二p型半导体柱的表面；其中，桥型栅极、第一p型半导体柱、第二p型半导体柱和势垒层之间形成栅极空气腔体。本发明栅极空气腔结构的设置使得射频HEMT器件的栅极与漏极和源极之间的电容大幅减小，器件的截止频率和最大震荡频率都大幅提升；并且与传统P‑GaN器件相比，本发明的射频HEMT器件具有更大的饱和漏极电流、更小的导通电阻以及降低的栅极泄露电流。
栅极空气结构射频 hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种紫外线智能消毒杀菌门把手-CN202022480790.1有效
发明人：高流焕;邓宇;易健鹏;黄梓荣;王鹏霖;李健全;凌华;王太平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： E05B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外线智能消毒杀菌门把手，包括分别安装于门的前面和背面上的第一壳体和第二壳体，一端分别可转动安装于第一壳体和第二壳体上的手把，设于第一壳体和第二壳体内的锁体，以及设于手把内部的紫外线发生器；所述手把为透光材料，所述紫外线发生器发出紫外线，紫外线从手把内部照射到手把的表面上而对手把进行全方位消毒。本实用新型的手把设计透光和内部中空的结构，并采用将紫外线发生器设于手把的内部。在紫外线发生器工作时，紫外线发生器产生的紫外线从手把的内部透过手把照射到手把的外表面上，实现了360度全方位对手把的表面进行消毒杀菌的目的。
一种紫外线智能消毒杀菌门把手

[发明专利]带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法-CN202110182884.7在审
发明人：孙慧卿;王鹏霖;黄志辉;丁霄;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠于衬底上的缓冲层、通道层、AlN插入层以及势垒层；源极和漏极位于势垒层上；GaN帽层位于源极和漏极之间，栅极位于帽层上；钝化层连续横跨覆盖于源极与栅极之间、栅极以及栅极与漏极之间；截面呈对称阶梯状的空气桥场板结构的一端沿源极的表面延伸横跨源极与栅极之间、栅极以及栅极与漏极之间，另一端位于栅极与漏极之间；钝化层与对称阶梯状空气桥场板结构之间存在空气区域。其中异质结间插入AlN薄层的设计结合对称阶梯状的空气桥场板结构明显提升了器件的射频性能和高温稳定性，另外该制备方法简单，工艺可靠性高，产业化应用前景好。
带有空气板结 gan hemt 射频器件及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 24 条