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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910700892.9有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈利恒;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成-CN201911094700.0有效
发明人：曹荣志;洪奇成;王喻生;张世杰;李文熙;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于第一开口内的第一层上方的铜填料。第一层包括钴和钨。包括钴和钨的第三层位于铜填料和第一层的上方。包括钴和钨的第一层比不具有钴或钨的第一层具有更光滑的侧壁。更光滑的侧壁降低了铜填料内的缺陷，从而增强了铜填料的导电性。第一层和第三层相较于不包括这样层的半导体器件降低了铜填料中的铜扩散。
半导体器件及其形成

[发明专利]RRAM器件及其形成方法-CN201810668863.4有效
发明人：朱文定;翁烔城;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及具有电极的RRAM器件以及相关的形成方法，其中，该电极具有氧阻挡结构，其中，氧阻挡结构配置为通过减轻氧移动并且由此将氧保持在介电数据存储层附近来提高RRAM的可靠性。在一些实施例中，该RRAM器件具有设置在由ILD层围绕的下部互连层上方的底部电极。具有可变电阻的介电数据存储层位于底部电极之上，并且在介电数据存储层上方设置多层顶部电极。多层顶部电极具有通过氧阻挡结构分隔的导电顶部电极层，其中，氧阻挡结构配置为减轻氧在多层顶部电极内的移动。通过在顶部电极内包括氧阻挡结构，由于使氧保持靠近电介电数据存储层，所以提高了RRAM器件的可靠性。
rram 器件及其形成方法

[发明专利]使用注入防止金属损失-CN201910211336.5有效
发明人：吴历杰;张棠贵;魏国修;陈科维;王英郎;刘书豪;陈国儒;陈亮吟;张惠政;张庭魁;李佳璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
使用注入防止金属损失

[发明专利]处理晶圆的装置及方法-CN201611001722.4有效
发明人：陈科维;蔡俊雄;杨怀德;张简旭珂;王英郎;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆处理装置，包含压盘、腔室、蚀刻气体供应器与倾斜机构。腔室具有至少一孔口至少部分面向压盘。蚀刻气体供应器流体连接腔室。倾斜机构耦合压盘，以容许压盘具有至少一第一自由度，从而相对腔室的孔口倾斜。
处理装置方法

[发明专利]研磨垫、研磨垫制造方法以及晶圆平坦化的方法-CN201811486141.3有效
发明人：陈志宏;陈科维;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：一种研磨垫，包括垫层以及一或多个研磨结构，其中研磨结构是在垫层的上表面，且研磨结构中的每一者具有预定形状并形成在垫层的预定位置，而研磨结构包括沿着垫层的上表面延伸的至少一连续线形区段，在此研磨结构中的每一者为均质材料。以及一种制造一研磨垫的方法。以及一种晶圆平坦化的方法。
研磨制造方法以及平坦

[发明专利]测量厚度的方法-CN201910120218.3在审
发明人：陈志宏;陈科维;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本公开多种实施例提供一种厚度感测器，以及一种测量厚度的方法，即，用于测量诸如导线及插塞的不连续的导电特征的厚度的方法。在一个实施例中，厚度感测器在多个不连续的导电特征中产生涡电流，并测量在不连续的导电特征中被产生的涡电流。厚度感测器具有小的感测器光斑尺寸，并放大经测量涡电流的峰值以及谷值。厚度感测器基于介于经测量的涡电流的最小振幅值及最大振幅值之间的差值，以决定不连续的导电特征的厚度。
厚度感测器导电特征不连续涡电流测量最大振幅最小振幅光斑感测器插塞放大

[发明专利]半导体制程的方法-CN201910385287.7在审
发明人：刘书豪;陈国儒;吴濬宏;陈佳政;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体制程的方法。此处所述的实施例一般关于形成超浅接面于p型源极/漏极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。在一实施例中，方法包括形成源极/漏极区于基板上的主动区中，且源极/漏极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/漏极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。
源极/漏极区非晶区制程布植掺质接面离子半导体制程接点电阻漏极区主动区基板

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510569363.1有效
发明人：洪雨利;孔德明;陈志壕;陈科维;王英郎;张宏睿;曾鸿輝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。
制造半导体器件蚀刻气体方法

[发明专利]半导体器件的沟槽结构及其制造方法-CN201610071466.X有效
发明人：林加明;张简旭珂;林俊泽;王英郎;林玮耿;刘全璞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。
半导体器件沟槽结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510446475.8有效
发明人：洪奇成;王喻生;陈科维;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极区和栅极堆叠件。第一和第二源极/漏极区设置在衬底上。栅极堆叠件设置在衬底上方以覆盖第一和第二S/D区之间的沟道区。栅极堆叠件包括：设置在衬底上方的栅极介电层；以及设置在栅极介电层上并且配置为作为栅极堆叠件中的填充层的金属合金；其中，金属合金具有对应于蚀刻剂的第一耐腐蚀性，蚀刻剂设计为用于去除含碳聚合物。本发明涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201810213322.2在审
发明人：陈志宏;陈科维;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个实施例中，该方法包括：执行自限制工艺以对晶片的上表面进行改性；在自限制工艺完成之后，从晶片移除经改性的上表面；以及重复执行自限制工艺并从晶片移除经改性的上表面，直到晶片的厚度减小到预定厚度为止。
上表面半导体器件晶片移除晶片厚度减小重复执行改性制造

[发明专利]具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器（RRAM）-CN201410392613.4有效
发明人：张鼎张;张冠张;蔡宗鸣;潘致宏;王英郎;陈科维;张世杰;孔德明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。
具有多层器件结构电阻随机存取存储器 rram

[发明专利]用于晶圆研磨的装置-CN201210188917.X有效
发明人：魏国修;陈科维;王英郎;郭俊廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于晶圆研磨的装置。其中，一种研磨砂轮包括外部基底，具有附接的第一磨粒抛光垫；内部框架，具有附接的第二磨粒抛光垫；以及主轴，通过外部基底和内部框架共享该主轴，其中，外部基底和内部框架中在至少一个可以沿着共享的主轴独立的移动；以及其中，外部基底、内部框架、以及共享主轴均具有相同中心。一种研磨系统包括上述研磨砂轮；和除了驱动研磨砂轮旋转的电机以外，还包括砂轮头，附接至共享的主轴，能够垂直移动；以及卡盘工作台，用于将晶圆固定在卡盘工作台的顶部；其中，研磨砂轮与卡盘工作台的一部分重叠，研磨砂轮和卡盘工作台均能够以另一个的相反方向旋转。
用于研磨装置

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