专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造多晶硅层的方法-CN200410058928.1有效
  • 陈亦伟;张志雄;许宗义 - 友达光电股份有限公司
  • 2004-07-21 - 2005-03-02 - H01L21/20
  • 接着,形成一硅层于绝缘层上,硅层具有一硅厚及一硅薄。然后,将硅层完全熔融为一第一熔融态及一第二熔融态。第一熔融态的底部中央对应于硅厚的底部中央,第二熔融态的底部中央对应于硅薄的底部中央,第一熔融态的温度低于第二熔融态的温度。接着,由第一熔融态往第二熔融态结晶,以形成多晶硅层。
  • 制造多晶方法
  • [发明专利]制造多晶硅层的方法及其光罩-CN200410097453.7有效
  • 孙铭伟 - 友达光电股份有限公司
  • 2004-11-25 - 2005-05-11 - H01L21/20
  • 首先,提供一基板,并形成一于基板上,硅层具有第一及第二。接着,提供一光罩,光罩包括部分透光及透光,部分透光及透光区分别对应于第二及第一。然后,以激光光照射光罩,使得第一被全熔融且第二被预热,且被全熔融的第一是结晶成第一多晶硅层。然后,移动光罩或基板,使得透光对应于被预热的第二。接着,以激光光照射光罩,使得被预热的第二被全熔融,且被全熔融的第二是结晶成第二多晶硅层。
  • 制造多晶方法及其
  • [发明专利]提升沟道拉应力的器件结构及其制造方法-CN202310615122.0在审
  • 郑凯仁;靳丹丹;祝琳 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-11 - H01L29/78
  • 本发明提供一种提升沟道拉应力的器件结构,包括衬底,在衬底上形成有NMOS器件,NMOS器件上形成有栅极结构,栅极结构包括栅极叠层以及位于栅极叠层侧壁上的侧墙结构,栅极结构两侧的衬底上形成有源、漏;NMOS器件中源、漏上的预化离子注入形成有硅层,硅层由预化离子注入以及快速退火再结晶形成,注入深度为10至35纳米,硅层通过不同向的再结晶速度形成位错使得NMOS器件沟道的拉应力大于设置值本发明通过深预化离子注入来形成较深的无定型硅,并利用不同向的再结晶速度特性来产生错位,且利用此错位来提供沟道的拉应力进而提升NMOS性能。
  • 提升沟道应力器件结构及其制造方法
  • [发明专利]多晶硅层的制作方法-CN200710181131.4有效
  • 蔡依芸;丘绍裕;马佳萱;游培甄 - 中华映管股份有限公司
  • 2007-10-08 - 2009-04-15 - H01L21/20
  • 接着,于基板上形成硅层。再来,提供图案化光掩模,此图案化光掩模包括透光与遮光,且以图案化光掩模为罩幕,对硅层照射一光线,其中,对应透光硅层转变为亲水性的硅层,而对应遮光硅层为疏水性的硅层。继而,提供亲水性金属催化剂,配置在亲水性的硅层上。之后,进行退火制程,使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层,并且,经由金属催化剂层的作用使硅层转变为多晶硅层。
  • 多晶制作方法
  • [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010887738.X有效
  • 黄炜;骆晓东 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-28 - 2023-10-03 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种半导体器件的制备方法,包括:获取衬底,所述衬底上形成有栅极结构;对衬底进行第一离子注入,在栅极结构两侧形成预;对预进行第二离子注入,在所述预中形成;在栅极结构两侧形成第一侧墙;进行第二掺杂工艺,在所述中形成第二掺杂;在第一侧墙两侧形成第二侧墙;在所述第二掺杂中形成重掺杂的源极和漏极。第二掺杂掺杂离子的横向扩散、纵向扩散均会被抑制,重掺杂漏极与漏极边缘的有效距离会增大,进而达到降低结漏电流。
  • 半导体器件制备方法

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