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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接口设备及其操作方法-CN202211438799.3在审
发明人：全勇泰;卢基哲 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本文所提供的可以是一种接口设备和操作接口设备的方法。接口设备可以包括第一端口、第二端口和功能部管理器，第一端口被配置为使能与主机的通信，第二端口被配置为使能与主机的通信，功能部管理器包括能够选择性地分配给第一端口和第二端口中的至少一个端口的多个可变功能部。
接口设备及其操作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310255337.6在审
发明人：金志娟;金承焕 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：在牺牲焊盘之上形成堆叠体；形成牺牲竖向结构，该牺牲竖向结构穿过堆叠体以耦接至牺牲焊盘；对堆叠体进行刻蚀，以形成与牺牲竖向结构间隔开的竖向开口；通过将牺牲焊盘去除来形成牺牲凹陷部，该牺牲凹陷部使牺牲竖向结构的底部暴露；形成刻蚀阻挡内衬层，该刻蚀阻挡内衬层围绕牺牲竖向结构的底部；以及将牺牲竖向结构选择性地去除。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法-CN202211465513.0在审
发明人：李建泳;金尚秀;陈尚完 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。
半导体存储器设备制造方法

[发明专利]接口设备和包括该接口设备的计算系统-CN202211543294.3在审
发明人：丁钟宪 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及接口设备和包括该接口设备的计算系统。一种接口设备包括：多个端口，用于形成多条通道；以及链路控制器，通过基于进入到包括多条通道的链路的配置状态的原因确定链路的速度的方式设置链路的速度。
接口设备包括计算系统

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202211547247.6在审
发明人：金在泽;郑蕙英 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：下结构，其中限定有单元区域和芯片保护区域，其中，单元区域和芯片保护区域沿着第一方向划分；第一下层叠结构，其在芯片保护区域中形成在下结构上，该第一下层叠结构包括多个第一下材料层，该第一下层叠结构包括沿其边缘形成的第一蚀刻停止层；第一上层叠结构，其在芯片保护区域中形成在第一下层叠结构上，该第一上层叠结构包括多个第一上材料层；以及第一狭缝，其在芯片保护区域中穿透第一上层叠结构以暴露第一蚀刻停止层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]静电放电保护装置-CN201910957998.7有效
发明人：崔正哲;宋昌锡 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电放电保护装置。一种静电放电ESD保护装置包括焊盘、二极管、栅极接地NMOS GGNMOS晶体管和晶闸管。二极管包括与焊盘连接的阳极。GGNMOS晶体管连接在二极管的阴极和接地端子之间。当ESD电流可从焊盘流动时，晶闸管形成在二极管和接地端子之间。
静电放电保护装置

[发明专利]半导体存储器装置、其操作方法以及存储器系统-CN201910155066.0有效
发明人：李在浩 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F1/14 文献下载
摘要：半导体存储器装置、其操作方法以及存储器系统。一种半导体存储器装置包括开关控制器、电压发生器和控制逻辑。所述开关控制器连接到本地字线。所述电压发生器连接到所述开关控制器，被配置为根据输入时钟信号产生操作电压并将所述操作电压传送到所述开关控制器。所述控制逻辑被配置为控制所述电压发生器和所述开关控制器的操作。所述控制逻辑被配置为通过对所述输入时钟信号的脉冲数目进行计数来检测所述本地字线的漏电流的量。
半导体存储器装置操作方法以及系统

[发明专利]存储器系统和测试系统-CN201910903792.6有效
发明人：朴振 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，包括测试区域；以及处理器，被配置成将从主机装置传送的模式数据写入到测试区域中包括的模式数据区域，从测试区域读取测试数据，并且将读取的测试数据传送到主机装置。模式数据区域的位置在测试区域中是可调整的。
存储器系统测试

[发明专利]图像感测装置及其形成方法-CN201911011298.5有效
发明人：金炳圭 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像感测装置及其形成方法。公开了一种图像感测装置。该图像感测装置包括：半导体基板，其包括有源区；第一杂质区和第二杂质区，其被形成在有源区中；光电转换区，其被设置在半导体基板上以直接联接到第一杂质区，并且被配置为响应于入射光而产生光电荷并且将所产生的光电荷发送到第一杂质区；开关元件，其被设置为联接到第一杂质区和第二杂质区，并且被配置为将存储在第一杂质区中的光电荷发送到第二杂质区；绝缘结构，其被设置在光电转换区的侧部；以及多条导线，其被设置在绝缘结构中，并且被配置为读出与光电转换区产生的光电荷对应的电图像信号。
图像装置及其形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201910552860.9有效
发明人：李振元 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：制造半导体装置的方法。本文中可以提供一种制造半导体装置的方法，该方法包括通过穿过层叠物并具有不同深度的狭缝，利用线图案替换层叠物的牺牲层的步骤。
制造半导体装置方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201811361350.5有效
发明人：朴振 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器系统，包括：第一存储器，包括至少一个第一编码区；第二存储器，包括至少一个第二编码区；以及控制单元，被配置为通过执行加载到第一编码区的第一编码来执行第一操作，并且通过执行加载到第二编码区的第二编码来执行第二操作。控制单元基于交换条件对第一编码和第二编码执行交换操作。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的操作方法-CN201910615392.5有效
发明人：李熙烈 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件以及半导体器件的操作方法。一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件包括：存储块，其包括多个字线；以及控制逻辑，其用于：对与所述多个字线之中的第一字线相对应的第一存储单元执行第一编程操作，对与相邻于所述第一字线的第二字线相对应的第二存储单元执行所述第一编程操作，对所述第一存储单元执行第二编程操作，对与相邻于所述第二字线的第三字线相对应的第三存储单元执行虚设编程操作，以及对所述第二存储单元执行所述第二编程操作。
半导体器件以及操作方法

[发明专利]包括时钟路径的半导体装置及包括该装置的半导体系统-CN201910926072.1有效
发明人：徐荣锡 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03L7/07 文献下载
摘要：本发明公开了包括时钟发生电路的半导体装置及包括该装置的半导体系统。一种半导体装置，包括：第一时钟路径，其通过将第一相位时钟信号延迟来产生第一输出时钟信号；以及第二时钟路径，其通过基于延迟补偿信号而将第二相位时钟信号延迟来产生第二输出时钟信号。振荡路径发生电路形成具有第一时钟路径的振荡路径和具有第二时钟路径的振荡路径。延迟信息发生电路基于由形成振荡路径而产生的振荡信号来产生延迟补偿信号。
包括时钟路径半导体装置系统

[发明专利]终结电路和包括该终结电路的半导体装置-CN201910967633.2有效
发明人：宋浚踊;池汉圭 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了终结电路和包括该终结电路的半导体装置。一种半导体装置包括终结电压端子、第一引脚、第二引脚、第一终结电路和第二终结电路。第一终结电路被耦接在终结电压端子与第一引脚之间。第二终结电路被耦接在终结电压端子与第二引脚之间。第一终结电路的电阻值和第二终结电路的电阻值基于从终结电压端子到第一引脚和第二引脚的距离来确定。
终结电路包括半导体装置

[发明专利]存储器系统、存储器装置和存储器控制器-CN201911184100.3有效
发明人：申昇桓;申雄植 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器系统、存储器装置、存储器控制器及其操作方法。通过在从对与第一字线相对应的第一存储器单元的编程操作开始的第一时间点起经过第一延迟时间时发出第一状态检查信号，并且通过在从对与第二字线相对应的第二存储器单元的编程操作开始的第二时间点起经过不同于第一延迟时间的第二延迟时间时发出第二状态检查信号，能够有效地执行与数据的编程操作有关的状态检查操作。
存储器系统装置控制器

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