“潘新花”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果42个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种CuI/ZTO异质结紫外探测器及其制备方法-CN202111498278.2有效
发明人： 潘新花;刘云泽;叶志镇 -专利权人：浙江大学;浙江大学温州研究院
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuI/ZTO异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器自下而上依次有ITO导电玻璃、ZnSnO(ZTO)层、CuI层，其中ITO导电玻璃和CuI层上制备有Au电极。其制备方法如下：先采用脉冲激光沉积(PLD)方法在ITO导电玻璃上制备ZTO薄膜，然后将配置好的CuI前驱体溶液旋涂在ZTO薄膜上，旋涂数次并退火，再用电子束蒸发在CuI和ITO表面镀上Au作为电极，完成紫外探测器的制备。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器能在零偏压下实现高开关比和高响应速度，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
一种 cui zto 异质结紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种有机包覆抗腐的键合银丝及其制备方法-CN202011014728.1有效
发明人：叶志镇;徐豪杰;潘新花;吴进明;薛子夜;赵义东;谢海涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机包覆抗腐的键合银丝及其制备方法，属于键合丝加工技术领域。本发明所述的键合银丝表面包覆一层由2‑甲基硫代苯胺(C7H10NS)自组装的有机膜，有机膜的有效厚度为0.1‑5nm，其由配制有机包覆液、稀释有机包覆液、预清洗键合丝、有机包覆和清洗有机包覆键合丝五个步骤制备而得。本发明以2‑甲基硫代苯胺与银络合机理，用简单可控的工艺在键合银丝表面包覆一层有机物，隔绝键合银丝与环境中C、O、S的接触以提升其抗腐蚀性，进而提高键合银丝引线键合的稳定性，延长键合银丝的使用和保存时间来降低生产和储存成本。
一种有机包覆抗腐银丝及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法-CN202110539931.9有效
发明人：叶志镇;王朋;潘新花;王宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。
一种基于石墨重复使用 zno 衬底制备薄膜方法

[发明专利]一种氧化镓多晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法-CN202010894770.0有效
发明人： 潘新花;沈乐昀;张涛;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓(Ga2O3)多晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为p型Si层、SiO2层、Ga2O3多晶层和Au/Ti电极对。其采用脉冲激光沉积(PLD)方法制备，包括如下：使用Si/SiO2为衬底材料，采用PLD方法制备Ga2O3多晶层作为沟道层，最后在多晶薄膜表面镀上Au/Ti电极完成薄膜晶体管型紫外探测器的制作，其中衬底SiO2作为绝缘层，衬底Si作为栅极，Au/Ti电极作为源极和漏极。相较于传统的Ga2O3基紫外探测器，此方法制备的薄膜晶体管型紫外探测器具有结构简单、制备简便、暗电流低、光暗比大等优势，为Ga2O3功率器件的发展奠定了基础。
一种氧化多晶薄膜晶体管紫外探测器制备方法

[发明专利]一种简易的蓝/黑色二氧化钛光催化材料的制备方法-CN202110539934.2有效
发明人： 潘新花;雷伟生;王凤志;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种简易的蓝/黑色二氧化钛(TiO2‑x)光催化材料的制备方法，蓝/黑色二氧化钛(TiO2‑x)光催化材料由铝箔在较高温度下还原商用二氧化钛纳米晶颗粒(P25)制备得到。其主要步骤为：将一定量的商用二氧化钛纳米晶颗粒用铝箔包裹，并使用压片机将该装有二氧化钛的铝箔压片，最后将其放置于管式炉中，通气体较高温度热处理一定时间，得到TiO2‑x产物。相较于传统的TiO2‑x制备方法，此方法具有操作简便、过程安全、可高通量制备等优势，得到的产物在模拟太阳光照射下，其光催化解水产氢性能相比商用二氧化钛纳米晶颗粒提升明显，为二氧化钛光催化生产氢气的产业化应用奠定了基础。
一种简易黑色氧化光催化材料制备方法

[发明专利]一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法-CN202111231827.X在审
发明人：吕斌;吴慧珊;张涛;潘新花;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为c面蓝宝石（Al2O3）层、Ga2O3薄膜层、SnO缓冲层、SnS薄膜层和Au/Ti电极对。该结构采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备，具体如下：在c‑Al2O3衬底上采用PLD方法制备Ga2O3薄膜，然后在Ga2O3薄膜的部分区域外延一层SnO层作为缓冲层，再在相同区域制备一层SnS薄膜层，形成具有缓冲层的SnS/Ga2O3异质结，最后在薄膜表面镀上Au/Ti电极完成紫外探测器的制作。在异质结界面引入SnO缓冲层，可有效调节Ga2O3界面缺陷问题，避免SnS与Ga2O3在接触界面的氧化反应，使晶格更加匹配，基于此结构的紫外探测器具有制备简便、响应时间短、响应度高等优势。
一种具有缓冲氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硫化亚锡/氧化镓异质PN结紫外探测器及制备方法-CN202111232033.5在审
发明人：吕斌;吴慧珊;张涛;潘新花;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硫化亚锡（SnS）/氧化镓（Ga2O3）异质pn结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为c面蓝宝石（Al2O3）层、Ga2O3:N薄膜层、SnS薄膜层和Au/Ti电极对。该异质结结构采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备，具体如下：在c‑Al2O3衬底上采用PLD方法制备Ga2O3:N薄膜，然后再外延一层SnS薄膜，形成SnS/Ga2O3:N异质pn结，最后在薄膜表面镀上Au/Ti电极完成异质pn结紫外探测器的制作。本发明的紫外探测器通过N2O掺杂，在Ga2O3薄膜中掺入N元素，大幅降低器件的暗电流；且制备方法简单、响应速度快。
一种基于硫化氧化镓异质 pn 紫外探测器制备方法

[发明专利]用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法-CN202010099954.8有效
发明人：叶志镇;王宁;潘新花;何海平;黄靖云 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法。将清洗处理后氮气吹干的氟晶云母衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至300～800℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室真空度为1×10‑6～1×10‑5Torr，以纯金属Zn为金属源，在衬底上外延ZnO单晶薄膜。采用本发明方法可以以准范德华外延方式生长高质量的ZnO单晶薄膜，为低成本、大尺寸、柔性、自支撑ZnO基量子阱光电器件奠定基础。
等离子体辅助分子外延准范德华生长质量 zno 薄膜方法

[发明专利]一种共聚合改性的层状石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法和应用-CN201910888125.5有效
发明人： 潘新花;王凤志;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种共聚合改性的层状石墨相氮化碳光催化剂的制备方法及其应用，属于材料制备以及光催化的技术领域。共聚合制备具有纳米层状结构的石墨相氮化碳光催化剂是以三聚氰胺和TCNQ为前驱体，通过高温共聚合制备所得。本发明制备的石墨相氮化碳光催化剂与传统体相氮化碳相比，可见光吸收增强，具有高效的光催化产氢性能。本发明制备工艺简单，催化效率高，在光催化领域具有广阔的潜在应用前景。
一种聚合改性层状石墨氮化光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法-CN201910539140.9有效
发明人： 潘新花;张涛;王伟豪;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnSxO1‑x(0x1)沟道层和Ti/Au电极。其制备方法是利用PLD轰击SnSxO1‑x陶瓷靶材，使SnSxO1‑x沉积到Si/SiO2衬底上，经退火后镀上Ti/Au电极。本发明利用SnO和SnS相似的机体结构，向SnO中混入一定成分的SnS，可以抑制亚稳相SnO转变为SnO2，提高p型SnSxO1‑x合金化合物的稳定性，从而提高SnSxO1‑x基场效应晶体管的热处理温度，抑制SnSxO1‑x沟道中的关态电流，提高场效应晶体管的开关比及整体性能，并且通过调控SnO与SnS的比列可以获得不同禁带宽度的SnSxO1‑x合金化合物半导体，可应用于不同波段的光电探测器。本发明对p型二维光电场效应晶体管以及化合物半导体微纳器件的发展具有重要意义。
一种二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种复合光催化剂及其制备方法与应用-CN202010444136.7在审
发明人：吕斌;胡佳齐;潘新花;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B01J27/043 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合光催化剂及其制备方法与应用，具体公开一种ReS2纳米片@TiO2纳米颗粒复合光催化剂及其制备方法与应用，属于光催化材料制备技术领域。本发明以高铼酸铵、硫脲、盐酸羟胺和二氧化钛为反应物，水作为溶剂，通过一步水热法合成ReS2纳米片@TiO2纳米颗粒复合光催化剂。本发明制备的复合光催化剂具有与单纯TiO2相比高出48倍的光解水产氢性能，并在长期循环运行中展现出良好的稳定性。本发明制得的复合光催化剂产氢性能优异，制备过程简便，试剂环保且无较大污染，应用价值较高。
一种复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种低成本银基键合合金丝及其制备方法和应用-CN201911311782.X在审
发明人：叶志镇;徐豪杰;潘新花;薛子夜;赵义东;谢海涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本银基键合合金丝及其制备方法和应用，属于键合丝加工技术领域。本发明所述的银基键合合金丝，组分以质量百分比计，其组成为：Ag 97.0‑99.9wt％，Cu 0.1‑3.0wt％，并添加微量元素Pt 20‑250ppm，Ce 20‑250ppm，Ti 20‑250ppm，Ni 20‑250ppm，Y 20‑250ppm，经过熔铸、拉丝、退火和冷却工序后，制成线径为18‑50μm的银基键合合金丝。本发明以高纯银为基材，添加少量铜和微量合金元素，降低银键合丝的原料成本和制备能耗，提高产线效率，同时提供高断裂负载和稳定的延伸率，满足不同电子封装的力学拉伸要求，键合异常断线频率低，具有优异的键合实用性和适用性；适用于大规模集成电路微型化封装，也适用于分立器件封装。
一种低成本银基键合合金丝及其制备方法应用

[发明专利]一种MSM型日盲紫外探测器的制备方法-CN201911328862.6在审
发明人： 潘新花;刘浩;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种MSM型日盲紫外探测器的方法，该日盲紫外探测器自下而上依次有c‑Al2O3层、N:Ga2O3多晶层和Au/Ti叉指电极。其制备方法如下：直接使用c‑Al2O3层作为衬底，然后采用PLD方法制备N:Ga2O3多晶层，最后镀上Au/Ti叉指电极完成日盲紫外探测器的制作。相比于传统的日盲紫外探测器，此方法制备的日盲紫外探测器具有结构简单、制备容易、成本低下、响应度高，响应时间快等特点，在军事领域、民用领域均有着较高的应用价值。
一种 msm 型日盲紫外探测器制备方法

[发明专利]一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法-CN201610565701.9有效
发明人： 潘新花;王伟豪;李辰旸;吕斌;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO₂绝缘层、Ag纳米线层、ZnO纳米晶层和Al电极。其制备方法如下：先采用浸渍提拉镀膜技术在Si/SiO₂上制备Ag纳米线，再在Ag纳米线上旋涂ZnO纳米晶的分散相，退火后镀上Al电极完成该器件的制作。该器件退火后Ag纳米线中部分Ag扩散进入ZnO中取代Zn的晶格位置，使ZnO转变为p型导电，形成p型TFTs器件；同时该器件对365nm的紫外光具有响应。因此，该TFT不仅可以通过栅压调控，还可通过紫外光控制其开关。本发明在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
一种 ag 纳米 zno 复合沟道多功能光电薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法-CN201710561987.8有效
发明人： 潘新花;王伟豪;吕斌;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO₂绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
一种 sno ag 肖特基结核结构纳米沟道多功能光电薄膜晶体管及其制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 42 条