“沈孟骏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]半导体发光元件及发光装置-CN202020499318.X有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;詹宇;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，包括：发光外延结构；打线电极，形成于所述发光外延结构的表面上方；钝化层，覆盖所述打线电极的侧壁、打线电极周围外延结构的所述表面；保护结构，支撑于打线电极的上表面边缘并且水平延伸出去悬空在打线电极周围发光外延结构的所述表面一定高度。
半导体发光元件装置

[实用新型]一种半导体发光元件-CN202020766610.3有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;陈功;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体发光元件，其包括半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。本实用新型第二电极的扩展条的端部超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。
一种半导体发光元件

[实用新型]一种发光二极管-CN201920679199.3有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管，包括基板、形成在基板上的第一半导体层，形成在第一半导体层的第一部分上的有源层，形成在有源层上的第二半导体层，形成在第二半导体层和第一半导体层的第二部分上的电极结构，电极结构中包括嵌入式设置在其中的绝缘体结构，该绝缘体结构在所述电极结构内形成高度小于电极结构的高度的台面结构。该台面结构不会影响整个器件的导电性。在封装打线时，该绝缘体结构会对打线时的施力进行阻挡，改变电极结构的受力情况，避免电极结构的底部发生变形或破坏，进而保证电极结构或者焊料不会脱落或者剥离。绝缘体结构能够在电极边缘形成电容，提升电极结构的抗静电能力，降低发光二极管的静电击穿的风险。
电极结构半导体层绝缘体结构发光二极管台面结构基板源层焊料本实用新型抗静电能力嵌入式设置导电性电极边缘静电击穿电容打线施力受力封装剥离变形阻挡保证

[实用新型]一种发光二极管结构-CN201821561832.0有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;夏章艮;黄禹杰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一凹凸沟槽结构，其高度为H，第一电极包裹所述凹凸沟槽结构并连接至所述第一半导体层。
半导体层发光二极管结构凹凸沟槽结构本实用新型发光外延层绝缘保护层第二电极第一电极活性层台面两层

[实用新型]一种发光二极管结构-CN201721882347.9有效
发明人：林素慧;沈孟骏;彭康伟;许圣贤;黄禹杰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，以及连接第二半导体层的第二电极、连接第一半导体层的第一电极，其特征在于：所述第一半导体层具有形成第一电极槽的台面结构，所述第一电极槽的横截面呈上窄下宽形状。
半导体层第一电极发光二极管结构本实用新型发光外延层第二电极上窄下宽台面结构活性层两层

[实用新型]具有环形电极的发光二极管-CN201721342849.2有效
发明人： 沈孟骏;郑建森;林素慧;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有环形电极的发光二极管，包括衬底，由下往上堆叠的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第二电极、设置在第一型半导体层裸露表面上的第一电极以及形成于发光二极管表面除电极之外区域的第一绝缘保护层；其特征在于所述第一电极与第二电极至少之一为环形电极，且所述环形电极包围一第二绝缘保护层。藉由位于环形电极中的第二绝缘保护层的折射率低于发光层的折射率，当光到达绝缘保护层时会由于折射率差而将光全反射出去，从而减少金属电极吸光的问题，提升亮度，增加发光二极管的发光效率。
具有环形电极发光二极管

[发明专利]具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺-CN201010131539.2有效
发明人： 沈孟骏;郑建森;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺，先在衬底上长外延层，然后镀分布布拉格反射层，再通过光罩作业，蚀刻掉部分的分布布拉格反射层，制作导电层和P、N电极，最后清洗分割，即得氮化镓基高亮度发光二极管。本发明设有的分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可以使电流均匀地扩散，起到双重提升光输出效率的作用。
具有分布布拉格反射层氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺

[实用新型]一种发光二极管电极结构及包含其的发光二极管结构-CN201420755807.1有效
发明人：林素慧;黄禹杰;沈孟骏;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种发光二极管电极结构及包含其的发光二极管结构，通过改变 P、N电极结构中的金属接触层的层状结构，将其设置为散点状，并采用金属隔离层完全包覆金属接触层，如此不仅可以保持电极结构的良好粘附性，还可以将金属接触层完全包裹住，使其不与外界接触，从而提高发光二极管的可靠性。此外，通过在电极结构中增设金属反射层，避免了电极结构下方产生的光因电极遮挡而无法出射的情况，获得更好的光萃取效率。
一种发光二极管电极结构包含

[实用新型]具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管-CN201020148176.9有效
发明人： 沈孟骏;郑建森;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管，在衬底上依次生长一由N型电极接触、发光区和P型电极接触层叠构成的外延层，透明导电层形成于P型电极接触上，P电极与导电层连接，N电极与N型电极接触连接，在N型电极接触上形成若干个引导光线的凸起结构，凸起结构的上表面低于发光区的下表面；可以充分地把光导向出光面且宽广发散，减少光线经凸起结构导向出光面时被P电极所吸收，有利于提升光输出效率。
具有凸起结构氮化镓基高亮度发光二极管

1
共 9 条