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[发明专利]复合粒子及其制备方法-CN201980037389.8有效
发明人：藻寄贵也;畳开真之;池田吉纪;前田让章 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：提供具有充分的绝缘性和高导热性的复合粒子，以及提供操作性和成型性优异的复合粒子。复合粒子及其制备方法、以及成型体及其制备方法，所述复合粒子是无机填料的一次粒子凝聚而成的无定型的复合粒子，且一次粒子由热塑性树脂包覆。
复合粒子及其制备方法

[发明专利]太赫兹波用光学元件及其制造方法-CN201910903036.3有效
发明人：河田阳一;高桥宏典;池田吉纪;添田淳史 -专利权人：浜松光子学株式会社;帝人株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹波用光学元件，其具备：光学部件，其具有硅表面；防反射膜，其具有以环烯烃类聚合物为主成分的有机树脂、及分散在该有机树脂中的无机颗粒；粘接层，其在防反射膜的厚度方向上位于光学部件及防反射膜之间，粘接光学部件的硅表面及防反射膜。粘接层含有热改性后的烯烃类聚合物。
赫兹用光元件及其制造方法

[发明专利]热改性聚合物层-无机基材复合体、聚合物构件-无机基材复合体及它们的制备方法-CN201910904176.2有效
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：本发明提供热改性聚合物层‑无机基材复合体、聚合物构件‑无机基材复合体和它们的制备方法。制备热改性聚合物层‑无机基材复合体110、120的本发明的方法包括：在无机基材10上形成第1聚合物层，然后加热第1聚合物层而使其热改性，由此在无机基材上粘附第1热改性聚合物层20。另外，制备聚合物构件‑无机基材复合体210、220的本发明的方法包括：利用本发明的方法制备热改性聚合物层‑无机基材复合体，和将聚合物构件与第1热改性聚合物层接合，以使聚合物构件30经由第1热改性聚合物层与无机基材接合。
改性聚合物无机基材复合体构件它们制备方法

[发明专利]绝缘片材-CN201980094332.1有效
发明人：前田让章;池田吉纪;畳开真之;村上拓哉 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：提供具有在面内方向的高热传导性的绝缘片材。绝缘片材，其含有绝缘性颗粒和粘接剂树脂，且在垂直于面方向的截面整体中，含有75~97面积%的绝缘性颗粒、3~25面积%的粘接剂树脂和10面积%以下的空隙。
绝缘

[发明专利]散热片及其制备方法-CN202080077259.X在审
发明人：前田让章;池田吉纪;叠开真之;村上拓哉 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明的课题是提供厚度方向的导热性优异的散热片。解决手段是一种散热片，其具有至少两层绝缘导热层层叠而成的结构，其中，绝缘导热层的层叠方向与散热片的厚度方向大致正交，在这里，绝缘导热层在与散热片的面方向垂直的整个截面中含有75~97面积%的绝缘性粒子、3~25面积%的粘结剂树脂和10面积%以下的空隙。
散热片及其制备方法

[发明专利]聚合物部件-无机基材复合体、其制备方法和用于其的聚合物部件-CN202080019311.6在审
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供聚合物部件‑无机基材复合体、其制备方法以及用于其的聚合物部件。制备聚合物部件‑无机基材复合体210、220的本发明的方法包括：提供在无机基材10上密合有一个或多个热变性聚合物层20、21、22的热变性聚合物层‑无机基材复合体110、120，和经由一个或多个热变性聚合物层20、21、22使聚合物部件30、31、32与无机基材接合。
聚合物部件无机基材复合体制备方法用于

[发明专利]半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法-CN201710907263.4有效
发明人：富泽由香;池田吉纪;今村哲也 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法。提供半导体装置的制造方法。另外，能使用该方法获得的半导体装置，以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置（500a）的本发明的方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层（52）的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材（10）的晶体取向相同：（a）对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体，和（b）将适用的分散体干燥，形成未烧结掺杂剂注入层，以及（c）通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射，对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。
半导体层叠装置以及它们制造方法

[发明专利]感光性树脂组合物和半导体设备制造方法-CN201680076774.X有效
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：提供具有高温耐热性且具有导电性、对半导体基材而言不存在产生金属杂质的担忧、能够进行图案形成、且能够以低成本应用于高温的离子注入工艺的感光性树脂组合物、和使用这样的组合物的半导体设备的制造方法。本发明的感光性树脂组合物含有感光性树脂、以及导电性材料和/或半导体材料的颗粒。此外，制造半导体设备的本发明的方法包括：在半导体层或基材(2)上形成本发明的感光性树脂组合物的膜的图案(11)的步骤；将感光性树脂组合物的膜的图案进行煅烧从而形成离子注入用掩模(13)的步骤；通过离子注入用掩模的图案开口部(12)向半导体层或基材(2)注入离子的步骤；和，去除离子注入用掩模(13)的步骤。
感光性树脂组合半导体设备制造方法

[发明专利]掺杂剂注入层、其形成方法及半导体装置的制造方法-CN201610918280.3有效
发明人：今村哲也;富泽由香;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。
掺杂注入形成方法半导体装置制造

[发明专利]碳化硅的制备方法及碳化硅复合材料-CN201780036604.3在审
发明人：前田让章;河野梓;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明提供可在低反应温度下反应的新的碳化硅的制备方法。本发明涉及碳化硅的制备方法，所述方法包括将至少含有平均粒径低于200nm的硅纳米粒子和碳系材料的组合物烧结。
碳化硅制备碳化硅复合材料硅纳米粒子平均粒径碳系材料烧结

[发明专利]掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法-CN201610918606.2有效
发明人：今村哲也;富泽由香;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。
掺杂组合注入形成方法

[发明专利]离子注入掩模形成用分散体、离子注入掩模的形成方法以及半导体器件制造方法-CN201780013284.X在审
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：提供一种用于形成在半导体制造工序中的离子注入工序中使用的离子注入掩模的分散体、以及使用该分散体的半导体器件的制造方法。本发明的离子注入掩模形成用分散体含有分散介质、在分散介质中分散的粒子、以及任意地含有耐热性粘结剂形成成分。制造半导体器件的本发明的方法包含：将本发明的分散体的膜的图案形成在半导体层或基材上的工序、对该膜的图案进行干燥和/或烧结来形成离子注入用掩模（13）的工序、通过该离子注入用掩模的图案开口部（12）向半导体层或基材（2）注入离子（7）的工序、以及除去离子注入用掩模的工序。
分散体离子注入掩模掩模离子半导体器件半导体层分散介质基材半导体器件制造半导体制造工序离子注入工序耐热性粘结剂图案图案形成注入离子烧结开口部粒子制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380018274.7有效
发明人：今村哲也;富泽由香;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。
半导体合体及其制造方法装置掺杂组合注入形成

[发明专利]新型加成化合物及其制造方法-CN201410083086.9有效
发明人： 池田吉纪;城尚志;泷宫和男 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C07D495/18 文献下载
摘要：本发明提供新型加成化合物及其制造方法，是利用一般比蒸镀法容易的溶液法能够形成由稠合多环芳香族化合物构成的有机半导体层的新型加成化合物。本发明的加成化合物具备特定的具有双键的化合物介由所述双键可脱离地加成于取代或非取代的下述式（I‑4）的稠合多环芳香族化合物而成的结构，式（I‑4）中，Y各自独立地为选自硫属元素中的元素。
新型加成化合物及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN201580046174.4在审
发明人：井上由香;池田吉纪;今村哲也 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在半导体器件的制造方法中，能够在对铝浆料进行烧成来形成电极时，防止电极与硅层或基材的电极区域的电气接触恶化这样的问题，并且使钝化层的贯通孔的最小直径变小由此防止钝化层能担负的功能的损失。此外，本发明的目的在于，提供这样做而得到的半导体器件。制造半导体器件的本发明的方法包括在具有钝化层（18）的硅层或基材（15）上形成通过钝化层的贯通孔与硅层或基材的电极区域（15a）电气接触的电极（12）。在此，在该方法中，通过贯通孔在电极区域涂敷铝浆料，然后对铝浆料进行烧成，由此，形成电极。此外，在该方法中，贯通孔的最小直径为50μm以下，并且电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。
半导体器件制造方法以及

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