专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜沉积装置及其布气机构-CN202210325415.0在审
  • 朱双双;刘强;吴兴华;黎微明 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-08-09 - C23C16/50
  • 本申请公开了一种薄膜沉积装置及其布气机构,布气机构包括沿第一方向依次设置的喷淋背板、均气板、匀流板和喷淋板;其中,喷淋背板和喷淋板共同形成喷淋头,均气板和匀流板位于喷淋头内,匀流板和喷淋背板之间形成第一均气腔,匀流板和喷淋板之间形成第二均气腔,均气板设于第一均气腔内;喷淋背板在面对均气板的位置设有第一通孔;均气板设有贯通的均气孔;匀流板设有贯通的匀流孔,匀流孔用于使工艺气体从第一均气腔进入第二均气腔;喷淋板设有贯通的喷淋孔。本申请提供的薄膜沉积装置及其布气机构,能够提高布气均匀性,从而提高薄膜沉积均匀性。
  • 薄膜沉积装置及其机构
  • [发明专利]半导体设备及反应腔-CN202210443035.7在审
  • 周芸福;周仁;黎微明;王新征 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-08-05 - C23C16/455
  • 本发明公开了一种半导体设备及其反应腔,反应腔包含腔体、盖体、气体传输装置、晶圆载盘,腔体包括底板,晶圆载盘和底板之间形成密封结构,密封结构包括:第一缓冲槽,所述第一缓冲槽开设于底板与晶圆载盘的周向拼接处;阶梯槽组,所述阶梯槽组开设于所述底板与所述晶圆载盘的周向拼接处,且沿反应气体的气流方向位于所述第一缓冲槽的下游,并与所述第一缓冲槽相连通;通气孔,所述通气孔与所述阶梯槽组相连通,且所述通气孔与惰性气体源相连通;排气槽,所述排气槽与所述阶梯槽组相连通。该反应腔解决了现有技术中存在的不同反应气体流出率难以控制的技术问题,提高了腔体对于不同反应气体的适应性,使加工设备能够适应不同的反应场景。
  • 半导体设备反应
  • [发明专利]薄膜沉积装置及其支撑机构-CN202210389454.7在审
  • 朱双双;陈昊;田玉峰 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-04-13 - 2022-07-22 - C23C16/46
  • 本申请公开了一种薄膜沉积装置及其支撑机构,该支撑机构包括:加热板,包括相背设置的第一表面和第二表面;主支撑板,位于所述第二表面一侧,用于支撑所述加热板;在第一方向上,所述主支撑板具有相对的第一端部和第二端部,所述第一方向平行于所述加热板和载板相接触的平面;辅支撑板,位于所述第一端部和所述第二端部,且位于所述加热板和所述主支撑板之间。本申请提供的薄膜沉积装置及其支撑机构,能够提高装置内的温度均匀性和电场均匀性,从而提高薄膜沉积均匀性。
  • 薄膜沉积装置及其支撑机构
  • [发明专利]一种纯电阻加热系统的电能管理方法及相关装置-CN202210446485.1在审
  • 耿健;杨明;韩方虎;韩明新 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-07-15 - G05D23/30
  • 本申请公开了一种纯电阻加热系统的电能管理方法,包括:分别计算三相电各相的电流和;判断所述电流和是否超出预设阈值;若所述电流和超出预设阈值,则根据权重指数,削减所述相连接的温区输出的能量,直到所述电流和不超出所述预设阈值;采用装箱算法,确定预设周期内各所述温区的输出排序;所述预设周期为单个周波的周期的整数倍;根据所述输出排序,控制所述温区输出能量。该方法能够抑制干线电流始终处于限定范围内,减少干线负载峰值,并且可以使总电流输出更加平滑,减少瞬时电流波动对电网的冲击。本申请还公开了一种纯电阻加热系统的电能管理装置、设备以及计算机可读存储介质,均具有上述技术效果。
  • 一种电阻加热系统电能管理方法相关装置
  • [发明专利]一种晶圆处理设备-CN202210328870.6在审
  • 李翔;黎微明;糜珂;赵昂璧;左敏;胡磊;林英浩;杨勇;袁红霞 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-07-05 - H01L21/67
  • 本申请公开了一种晶圆处理设备,该设备包括依次连接的装载系统、工艺腔和卸载系统,工艺腔内设至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间,其中,第一工艺空间和第二工艺空间分别对应的工艺不同,以工艺处理的先后方向为参考,第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第一工艺空间在前,第二工艺空间在后;或第二工艺空间在前,第一工艺空间在后;第一工艺空间和第二工艺空间分别用于对基底进行处理。通过上述方式,本申请能够在同一个工艺腔中对基底执行两种不同的工艺,进而提高材料的制备效率,降低成本。
  • 一种处理设备
  • [发明专利]薄膜沉积装置-CN202210323537.6在审
  • 朱双双;陈昊;刘强;吴兴华;黎微明;张鹤 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-06-28 - C23C14/22
  • 本申请公开了一种薄膜沉积装置,包括:主体,主体内具有反应腔;所述主体包括相对设置的第一盖板和底板、以及位于所述第一盖板和所述底板之间的侧壁,所述第一盖板、底板和侧壁围成所述反应腔;喷淋板、载板、喷淋背板、第一加热板和第二加热板,均设于所述反应腔内;所述载板具有用于盛放待处理物的承载面,所述喷淋板与所述承载面相对且间隔设置,且所述喷淋板相对所述载板靠近所述第一盖板;所述喷淋背板位于所述第一盖板和所述喷淋板之间,且喷淋背板内设有加热部;第一加热板位于所述底板和所述载板之间,所述第二加热板位于所述喷淋板和所述载板的周侧与所述侧壁之间。本申请提供的薄膜沉积装置,能够在腔体较大的条件下,提高薄膜沉积均匀性。
  • 薄膜沉积装置
  • [外观设计]晶圆处理机-CN202230004338.X有效
  • 周仁;杨德赞 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2022-01-05 - 2022-06-03 - 15-09
  • 1.本外观设计产品的名称:晶圆处理机。2.本外观设计产品的用途:本产品用于对晶圆进行处理或留存。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:使用状态参考图1。5.组件1为晶圆交互装置,用于晶圆的输入、输出,可搭载1‑3台组件2;组件2为处理装置,用于对晶圆进行处理或留存。
  • 处理机
  • [发明专利]镀膜设备及其工作方法-CN202110689219.7有效
  • 杨明;韩方虎;韩明新;张鹤 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2021-06-22 - 2022-04-19 - C23C16/455
  • 本申请公开了一种镀膜设备及其工作方法,所述镀膜设备包括多个反应腔,且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接;所述工作方法包括:在利用所述多个反应腔进行镀膜过程中,控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力保持为第一预定压力;响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后,使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后,控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力;其中,所述第二预定压力大于所述第一预定压力以及所述第三预定压力。本申请能够充分利用资源,提高调压阀和工艺泵的使用率,降低成本。
  • 镀膜设备及其工作方法
  • [实用新型]ALD喷淋组件及ALD镀膜设备-CN202120612864.4有效
  • 黎微明;李翔;周芸福;王新征;许所昌 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2021-03-25 - 2022-04-12 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及一种ALD喷淋组件,包括基板、盖板及第一进气件。盖板密封连接于基板且覆盖开口,待加工件放置于反应腔内,反应气体从第一进气孔进入进气腔后,进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间,经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时,从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔,进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性,从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀,使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀,提高了薄膜的质量。本实用新型还涉及一种ALD镀膜设备。
  • ald喷淋组件镀膜设备
  • [发明专利]Topcon结构电池及其制备方法-CN201911257166.0有效
  • 李翔;张密超;姚俊 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
  • 2019-12-10 - 2022-03-22 - H01L31/0216
  • 本发明提供一种Topcon结构太阳能电池及其制备方法,Topcon结构太阳能电池包括位于硅片背面的遂穿层、位于所述遂穿层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面减反射层、位于所述背面减反射层背面的背面电极;所述Topcon结构电池还包括位于所述掺杂多晶硅层与所述背面减反射层之间的浆料阻挡层和背面透明导电膜,所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述掺杂多晶硅层之间,或所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述背面减反射层之间。本发明的Topcon结构电池及其制备方法,通过设置所述浆料阻挡层与所述背面透明导电膜,可以避免电极浆料烧结穿透掺杂多晶硅层、隧穿层,不但有效改善电池结构,还能降低掺杂多晶硅层厚度,改善电池效率,提高生产良率;同时通过所述背面透明导电膜提高电流收集作用。
  • topcon结构电池及其制备方法

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