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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202280010773.0在审
发明人：原直树;桧山真;冈﨑太洋 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种基板处理装置，具备：装载锁定室，其被搬入和搬出基板；支承件，其设置于装载锁定室内，以预定的间隔多层地支承多个基板；以及温度传感器，其能够以非接触的方式测定支承基板的状态下的支承件的温度。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法-CN201780015489.1有效
发明人：油谷幸则;桧山真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。
处理装置温度测定单元半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质-CN201711377353.3有效
发明人：小川有人;桧山真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明要解决的课题为提供能够形成耐漏电流性及耐蚀刻性高的电极侧壁的技术。为解决上述课题，提供具有下述工序的技术：将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的工序，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；和向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上形成包含碳氮成分的耐蚀刻膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置存储介质

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201710459088.7有效
发明人：油谷幸则;桧山真;竹田刚;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，存在半导体器件的生产率低的问题。提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器，向处理容器供给气体的气体供给部，控制衬底的温度的温度控制部，和装置控制部，其以进行下述处理的方式进行控制：温度控制部将衬底维持在第一温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成第一层的处理；及，温度控制部将衬底维持在不同于第一温度的第二温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成不同于第一层的第二层的处理。通过本发明，即便在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，也能提高半导体器件的生产率。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]附着物的去除方法以及干式蚀刻方法-CN201580044038.1有效
发明人：菊池亚纪应;涉仁纪;龟田贤治;桧山真;坪田康寿 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。
附着物去除方法蚀刻以及处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置及记录介质-CN201280062552.4有效
发明人：芦原洋司;天野富大;桧山真;佐久间春信;和田优一;立野秀人 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。
半导体器件制造方法装置记录介质

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体灰化装置-CN201210252672.2无效
发明人：工藤丰;桧山真 -专利权人：株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法及等离子体灰化装置,目的是提供在具有Low-k膜的试样的等离子体灰化处理中，边高速进行灰化处理，边抑制或减少对Low-k膜的膜损伤的处理方法。在对具有Low-k膜(15)的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法中，具有：对上述试样进行等离子体蚀刻的工序；采用包含烃类气体即甲烷（CH4）气(19)与稀有气体即氩（Ar）气的混合气体，将等离子体蚀刻工序中经等离子体蚀刻的抗蚀剂掩模(13)、碳硬质掩模(14)、附着了反应生成物(16)的具有Low-k膜(15)的试样，采用来自甲烷（CH4）气(19)的碳（C+）自由基(18)与氢（H+）自由基(20)，进行等离子体灰化的工序。
等离子体处理方法灰化装置