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[发明专利]三烷基胺的纯化方法、三烷基胺的制造方法和组合物-CN202180048843.7在审
发明人：泽村凉介;大森启之;菊池亚纪应;玉井直史;谷口敬寿;八尾章史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C07C209/84 文献下载
摘要：本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。
烷基纯化方法制造组合

[发明专利]金属材料、金属材料的制造方法、半导体处理装置的钝化方法、半导体器件的制造方法及已填充的容器的制造方法-CN202080092086.9在审
发明人： 菊池亚纪应;野村凉马;吉村亮太 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本公开的金属材料具备金属基材和覆膜，所示覆膜设置于上述金属基材的表面且含有含氟钼化合物，上述含氟钼化合物由通式MoOxFy(x为0～2的数、y为2～5的数)表示。
金属材料制造方法半导体处理装置钝化半导体器件填充容器

[发明专利]热电转换材料及其制造方法-CN201680056060.2有效
发明人： 菊池亚纪应;八尾章史;寒川诚二;小野崇人 -专利权人：中央硝子株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
热电转换材料及其制造方法

[发明专利]六氟化钨的制造方法-CN201980052339.7在审
发明人： 菊池亚纪应;武田雄太;长友真圣;八尾章史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序：第1工序，使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触，得到去除了氧化覆膜的钨，所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积％以下的氟化氢；及第2工序，使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。
氟化制造方法

[发明专利]六氟化钨的制造方法-CN201880081620.9在审
发明人：长友真圣;八尾章史;上岛修平;菊池亚纪应 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-10-04 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C01G41/04 文献下载
摘要：本发明提供一种使钨与含氟气体在800℃以上进行反应而制造六氟化钨的方法。本发明的方法中，与边将反应温度控制为400℃以下边由含氟气体与金属钨得到六氟化钨的现有技术相比，能够增加单位反应容器中的制造量。反应容器中，优选装备有用于将反应容器的内壁面温度保持为400℃以下的制冷剂夹套。
氟化制造方法

[发明专利]附着物的去除方法以及干式蚀刻方法-CN201580044038.1有效
发明人： 菊池亚纪应;涉仁纪;龟田贤治;桧山真;坪田康寿 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。
附着物去除方法蚀刻以及处理装置

[发明专利]硅的干蚀刻方法-CN201480007116.6有效
发明人： 菊池亚纪应;毛利勇;涉仁纪 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
蚀刻方法

[发明专利]清洁气体及清洁方法-CN201480008977.6在审
发明人：大森启之;菊池亚纪应;梅崎智典 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的特征在于，在用于将堆积于基材的含有碳化硅的堆积物去除的清洁中，使用包含七氟化碘的清洁气体，所述基材包含至少一部分具有石墨结构的碳。通过使用上述清洁气体，可以不用蚀刻石墨地将碳化硅去除。
清洁气体方法

[发明专利]图案形成方法-CN201280041348.4有效
发明人：基村雅洋;梅崎智典;菊池亚纪应 -专利权人：大日本网屏制造株式会社;中央硝子株式会社
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种图案形成方法，其能够在基板上形成从层叠有绝缘膜和导电性膜的层叠膜上所形成的孔的内周面开始有选择性且精度优良地使导电性膜后退的图案。一种图案形成方法，其包括：在基板上以交替方式层叠绝缘膜和多晶硅膜，从而形成分别含有至少两层的前述绝缘膜和前述多晶硅膜的层叠膜的工序；在前述层叠膜上形成贯通至少两层的前述绝缘膜和至少两层的前述多晶硅膜的孔的工序；以及，将用非活性气体稀释氟系卤素气体而成的蚀刻气体导入所述孔内进行各向同性蚀刻，由此从所述孔的侧壁开始有选择性地蚀刻所述多晶硅膜的选择蚀刻工序。
图案形成方法

[发明专利]干蚀刻剂-CN201280037156.6有效
发明人： 菊池亚纪应;梅崎智典;日比野泰雄;毛利勇;冈本觉 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
蚀刻

[发明专利]氟化合物的电解合成用电极以及电解合成方法-CN201280013502.7无效
发明人：毛利勇;八尾章史;菊池亚纪应;米仓正明;堀内大嗣 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C25B11/12 文献下载
摘要：本发明的氟化合物的电解合成用电极具备：电极基材，至少其表面由导电性炭材料构成；导电性金刚石层，覆盖于前述电极基材表面的一部分上；和含金属氟化物膜，覆盖于没有被前述导电性金刚石层覆盖的前述电极基材的露出部上。该电解合成用电极能够抑制电极表面上的氟化石墨层的生成，防止电极的有效电解面积的减少，在包含氟化氢的熔融盐电解浴中稳定地实施电解。
氟化电解合成用电以及方法

[发明专利]干蚀刻剂以及干蚀刻方法-CN201180034216.4有效
发明人：梅崎智典;日比野泰雄;毛利勇;冈本觉;菊池亚纪应 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
蚀刻以及方法

[发明专利]含有氟化氢的化合物中的含水量的测定方法和装置-CN201180011851.0无效
发明人： 菊池亚纪应;德永敦之 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01N31/12 文献下载
摘要：本发明涉及通式：XF·nHF(式中，X表示K、NH4、Na、Li中的任意一种，n表示大于0的有理数。)表示的含氟化氢的化合物的含水量的测定方法，其特征在于，包括以下工序：将含氟化氢的化合物加热分解的工序；对通过加热分解而产生的热分解气体中的含水量进行定量，从而求出含氟化氢的化合物中的含水量的工序。通过本测定方法，能够以良好的精度对含氟化氢的化合物XF·nHF中的含水量进行定量。
含有氟化氢化合物中的含水量测定方法装置

[发明专利]干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法-CN201180008023.1有效
发明人：日比野泰雄;梅崎智典;菊池亚纪应;毛利勇;冈本觉 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
蚀刻以及使用方法

[发明专利]氟气生成装置-CN201080060752.7无效
发明人： 菊池亚纪应;八尾章史;宫崎达夫;德永敦之 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C25B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；以及精制装置，其使用冷却介质，使从电解槽的熔融盐中气化而混入到由阳极生成的主产气体中的氟化氢气体凝固并捕集，从而精制氟气；在精制装置中为了凝固氟化氢气体而被使用并被排出的冷却介质作为氟气生成装置的各处中使用的公用气体再利用。
氟气生成装置

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