“株式会社爱发科”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果934个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]透明导电性基板及透明层叠结构体-CN201680010302.4有效
发明人：须田具和;高桥明久;大野幸亮 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的透明导电性基板具备透明基体与结构体，所述结构体在所述透明基体的一个面依次层叠金属膜、作为含有钼(Mo)的氧化膜的中间膜及透明导电膜而成。在所述结构体中，对于可见光区域的入射光的平均反射率为10％以下，或对于波长550nm的入射光的反射率为5％以下。
透明导电性层叠结构

[发明专利]离子枪-CN201980010691.4有效
发明人：汤濑琢巳;寺泽寿浩 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J27/14 文献下载
摘要：本发明的离子枪具备：阳极；磁极，具有与所述阳极相对的内表面、位于所述内表面的相反侧的外表面、设置在与所述阳极对应的位置上的狭缝和从所述外表面的一端朝向所述狭缝的中央延伸且形成所述狭缝的一部分的外倾斜面；和罩，至少包覆所述外表面及所述外倾斜面且由非磁性材料构造。
离子

[发明专利]深紫外LED及其制造方法-CN201680051208.3有效
发明人：鹿岛行雄;松浦惠里子;小久保光典;田代贵晴;平山秀树;上村隆一郎;长田大和;森田敏郎 -专利权人：丸文株式会社;东芝机械株式会社;国立研究开发法人理化学研究所;株式会社爱发科;东京应化工业株式会社
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球状透镜的折射率为所述基板的折射率和空气的折射率的平均值以上、且处于所述基板的折射率以内，所述半球状透镜具有所述基板的内切圆的半径以上、且为外接圆的半径左右的半径。
深紫 led 及其制造方法

[发明专利]靶材装置、溅射装置-CN201780038787.2有效
发明人：白井雅纪;山本拓司;高泽悟;石桥晓 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种靶材使用效率高的靶材装置和溅射装置。将导磁率高于垫板(21)的导磁率的环状的高导磁率板(27)的表面(33)配置于与外侧磁体(25)的上端和内侧磁体(26)的上端所处的磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更接近溅射靶材(22)的位置，将背面(32)配置于与磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更远离于溅射靶材(22)的位置。从外侧磁体(25)的上端或内侧磁体(26)的上端释放出的磁力线中的位于下方的一部分磁力线进入高导磁率板(27)，通过内部并进入内侧磁体(26)的上端或外侧磁体(25)的上端，因此位于上方的磁力线变为与溅射靶材(22)的溅射面(24)平行，靶材使用效率提高。
装置溅射

[发明专利]氧化膜除去方法及氧化膜除去装置-CN201980035215.8在审
发明人：隣嘉津彦;井上宽扬 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：氧化膜除去方法包括：通过向包含于处理对象(S)的硅氧化膜供给含有氟和氢的蚀刻剂，从而生成挥发性比硅氧化膜高的反应生成物；通过向反应生成物赋予用于反应生成物挥发的能量，从而将反应生成物从处理对象(S)上除去。将反应生成物除去包括将处理对象(S)的温度维持为低于80℃的温度。
氧化除去方法装置

[发明专利]真空蒸镀装置-CN201780039108.3有效
发明人：北泽僚也;中村寿充;朝比奈伸一;斋藤一也 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
真空装置

[发明专利]用于石英晶体振荡式薄膜厚度监视器的传感器头-CN201880007120.0有效
发明人：小熊洋介;前田章弘;海田友纪;小高学;岗村衡 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可抑制步进电机的失步和所述电极的励磁电流上升的用于石英晶体振荡式薄膜厚度监视器的传感器头。其具有：传感器头主体(1)，其配置有所述电机(Sm)；保持件(2)，其由所述电机旋转驱动且在上表面上设置有多个石英振子(Co)；以及掩膜体(3)，其设置在传感器头主体上，并覆盖保持件的上表面，且开设有朝向一个石英振子的成膜窗口(31)。其还具有：第一电极(4)，其固定在位于成膜用窗口正下方的传感器头主体的部分上；以及第二电极(5)，其分别与各石英振子导通且向保持件的下表面突出设置；当使保持件旋转到一个石英振子和成膜用窗口在上下方向上相匹配的相位时，由同种金属构成的第一电极和第二电极抵接并导通。其还具有润滑剂供给装置(4b)，其设置在保持件的旋转方向前方，向与第一电极抵接前的第二电极表面供给固体润滑剂。
用于石英晶体振荡薄膜厚度监视器传感器

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201680001052.8有效
发明人：浅川庆一郎;滨口纯一;园田和广;沼田幸展;小风丰 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。
装置方法

[发明专利]溅射装置及成膜方法-CN201880007119.8有效
发明人：中村真也;田代征仁 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种在溅射烧结靶并成膜时，衬底面内薄膜厚度分布良好成膜的溅射装置。溅射装置(SM)具有：真空室(1)，其具有烧结原料粉末而成的靶(31)；磁铁单元(4)，靶不可旋转地安装在真空室中，所述磁铁单元具有配置在靶上方的同一平面内的磁铁(41，42)并使贯通靶的漏磁场多集中在溅射面上发挥作用；旋转轴(44)，其配置在穿过靶中心的中心线(CI)上并与磁铁单元连接；以及驱动电机(45)，其旋转驱动旋转轴，使磁铁单元旋转以便漏磁场对于溅射面的作用区域在以靶中心为中心的虚拟圆周上旋转；溅射装置还具有倾斜装置(5)，其使旋转轴相对于中心线倾斜以便根据原料粉末烧结时靶的密度分布使各磁铁相对于靶的上表面接近、远离。
溅射装置方法

[发明专利]溅射装置-CN201980033716.2在审
发明人：小风丰;岩桥照明;佐佐木俊介 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明的溅射装置具有：板状的调节器，设置于靶与基板之间，且具有与磁路相对应的开口，并遮盖不与所述磁路相对应的部分。所述调节器至少遮盖所述基板的面积的一半以上的面积。所述开口的形状具有大致扇形轮廓。从所述靶的旋转轴线方向观察，所述开口被配置为与所述磁路大致一致，所述靶的所述旋转轴线与所述基板的旋转轴线被配置为大致平行。
溅射装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780036633.X有效
发明人：中村文生;田丸义久;矢岛贵浩;加藤裕子;神保洋介;植喜信;冈野秀一;冈山智彦 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
等离子体处理装置

[发明专利]真空冻结干燥装置和真空冻结干燥方法-CN201980004028.3有效
发明人：西桥勉;中野美尚;村上裕彦;吉元刚;伊藤薰树;小宫卓巳 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本发明实现在短时间内真空冻结干燥以及降低成本。真空冻结干燥装置具有喷雾部、管部、加热部以及收集部。上述喷雾部将原料液向真空容器内喷雾。上述管部为非直线状，具有第一开口端和第二开口端，上述原料液向上述真空容器内喷雾而形成的液滴自冻结而形成的冻结颗粒被上述第一开口端捕捉。上述加热部通过将冻结颗粒在上述管部内加热来使冻结颗粒升华干燥，上述冻结颗粒通过在喷雾时获得的动能而在上述管部内从上述第一开口端朝向上述第二开口端移动。上述收集部收集干燥颗粒，上述干燥颗粒通过上述冻结颗粒在上述管部内升华干燥而形成，并从上述管部的上述第二开口端被释放。
真空冻结干燥装置方法

[发明专利]表面处理方法-CN202010559211.4在审
发明人：稻吉荣;石榑文昭;佐藤洋志 -专利权人： 株式会社爱发科;日本爱发科泰克能株式会社
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：提供一种表面处理方法，其能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离，并且能抑制内含物的放出。表面处理方法包括：通过喷砂处理使构件(10)的金属制的表面(10F)粗糙化。在喷砂处理后的粗糙化的表面(10F)残留由喷砂处理引起的残渣。方法进一步包括利用蚀刻液对粗糙化的表面(10F)进行蚀刻。蚀刻以蚀刻后的粗糙化的表面(10F)具有的算术平均粗糙度(Ra)、即由JIS B 0601：2013规定的算术平均粗糙度(Ra)成为通过喷砂处理得到的粗糙化的表面(10F)的算术平均粗糙度(Ra)的53％以上100％以下的方式实施。
表面处理方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201680031933.4有效
发明人：加藤裕子;矢岛贵浩;远山佳宏;青代信;清健介;高桥明久;斋藤一也 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201880002619.2有效
发明人：横山礼宽;武井应树;佐藤昌敏;清田淳也 -专利权人： 株式会社爱发科
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明的一形态的成膜装置具有成膜部、第一处理部、第二处理部以及真空室。上述成膜部包含使锂金属蒸发的蒸发源，并在基材上形成锂金属膜。上述第一处理部包含用于将上述锂金属膜的表面羟基化的第一处理室。上述第二处理部包含用于将羟基化后的所述表面碳酸化的第二处理室。上述真空室容纳上述成膜部、上述第一处理部以及上述第二处理部。
装置方法