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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN202310157803.7在审
发明人：山本克彦;西堂周平;中川崇;柳泽爱彦;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，其能够防止由热处理引起的基板的翘曲、破裂。基板处理装置具有：处理室，其对基板保持部所保持的多个基板进行处理；电磁波产生器，其向处理室内供给电磁波；以及气体供给部，其从多个气体供给口向多个基板之间供给冷却气体，其中，多个气体供给口被设置成与保持所述多个基板的间隔对应。
处理装置半导体制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202111527706.X在审
发明人： 柳泽爱彦;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：提供一种提高排气系统的清洁效率的基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具有：对基板进行处理的处理容器；设于处理容器的内部且在平面上支承多个基板的支承部；向设定于处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；向设定于处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；沿着支承部的外周设置的排气缓冲构造部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第一气体供给部的第一气体的流动下游的第一气体排气部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第二气体供给部的第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及向排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202111082187.0在审
发明人：筱崎贤次;柳泽爱彦;道田典明;佐佐木伸也;西堂周平;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供对基板均匀处理的基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法以及存储介质。基板处理装置具有处理基板的处理室、向上述处理室供给微波对上述基板进行加热处理的微波发生器、积载并保持上述基板和配置于该基板的上部且对被上述微波加热了的上述基板进行保温的保温部件的基板保持件、以及保持于上述保温部件的外周且外周比上述基板大的第一环形板。
处理装置保持半导体制造方法存储介质

[其他]基板处理装置-CN201890001681.5有效
发明人：广地志有;野上孝志;山岸纪睦;柳泽爱彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，其具备：具有处理基板的处理室的处理箱体；与上述处理箱体相邻，且具有输送上述基板的输送室的输送箱体；发送向上述处理室供给的微波的微波发生器；连通上述处理室和上述输送室，且将上述基板搬入搬出的搬入搬出口；开闭上述搬入搬出口的开闭部；以及在上述输送室内配置于上述搬入搬出口的周围，且检测在上述开闭部封闭上述搬入搬出口的状态下从上述处理室泄漏到上述输送室的上述微波的检测传感器。
处理装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094224.4在审
发明人：筱崎贤次;山本哲夫;广地志有;柳泽爱彦;原直树;上野正昭;山口英人;村田等;西堂周平;木村一洋 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有如下工序：利用从加热装置供给的电磁波将保持于保持基板的基板保持件的隔热板加热到处理基板的处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的隔热板的温度变化；利用加热装置将保持于基板保持件且设置有由不透过非接触式温度计的探测光的材质构成的片材的基板加热到处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的片材的温度变化；根据隔热板的温度变化的测定结果和片材的温度变化的测定结果，获取隔热板和片材的温度变化的相关关系；以及基于非接触式温度计测定的隔热板的温度和相关关系控制加热装置对基板进行加热。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201610154146.0有效
发明人： 柳泽爱彦;上野正昭;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理室，对衬底进行处理；轴，设置于移载室；衬底载置台，与轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于移载室的壁的处理室侧；第二隔热部，设置于轴的衬底载置台侧。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序-CN201780094079.0在审
发明人：广地志有;野上孝志;柳泽爱彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种即便在设置有基板的冷却工序的情况下也能够抑制生产性的下降的电磁波处理技术。提供如下技术，具有：至少两个处理室，其从搬运基板的搬运室被搬运来所述基板，并对所述基板进行预定的处理；以及冷却室，其与所述搬运室在空间上连结，与所述至少两个处理室等距离地配置在所述搬运室的侧壁，具备第一气体供给部和排气部，该第一气体供给部以第一气体流量供给对内部的气氛进行吹扫的吹扫气体，该排气部具有排出所述吹扫气体的排气配管。
处理装置半导体制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN201680085628.3在审
发明人：广地志有;柳泽爱彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：加热装置，其使用电磁波对基板进行加热；非接触式温度测量装置，其测量上述基板的温度；控制部，其获取由上述温度测量装置测量出的温度数据，并进行上述温度数据与预先设定的作为阈值的上限温度和下限温度的比较，在上述温度数据高于上述上限温度的情况下，或者，上述温度数据低于上述下限温度的情况下，控制为降低上述加热装置的输出或者关闭上述加热装置的电源。由此，能够提供能够抑制基板的变形或者破损的电磁波热处理技术。
温度数据加热装置温度测量装置电磁波测量基板处理装置半导体装置热处理技术非接触式对基板抑制基基板加热破损变形电源输出制造

[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法-CN201410459438.6有效
发明人：田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。
衬底处理装置以及生产方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201580007784.3在审
发明人： 柳泽爱彦;野内英博 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

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