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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810567981.6有效
发明人：林文新;曾富群;林鑫成;胡钰豪;吴政璁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]记忆体装置及其操作方法-CN202310090717.9在审
发明人：鍾嘉哲;林鑫成;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本揭露的一实施例提供一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含记忆体单元以及第一写入辅助电路。记忆体单元以第一供应电压及第二供应电压操作，第二供应电压不同于第一供应电压。第一写入辅助电路包含第一写入辅助开关及第二写入辅助开关，第一写入辅助开关及第二写入辅助开关通过第一数据线耦接记忆体单元。在对记忆体单元执行写入具有第一逻辑值的数据的写入操作中，当第二写入辅助开关关断时，第一写入辅助开关响应于第一控制信号传输第一供应电压至第一数据线。第一控制信号在第一写入辅助开关的控制端子被接收且具有第二供应电压的电压位准。
记忆体装置及其操作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810584241.3有效
发明人：陈志谚;林鑫成;林信志 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含设置于基底之上的通道层、设置于通道层之上的阻挡层、设置于阻挡层之上的栅极电极、以及设置栅极电极两侧的一对源极/漏极电极。这对源极/漏极电极至少延伸穿过部分的阻挡层。此半导体装置还包含顺应性地设置于这对源极/漏极电极的底部上的衬层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202111582957.8在审
发明人：华特·吴;林鑫成;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含绝缘层、半导体层和化合物半导体叠层依序设置于基底上，以及第一晶体管、第二晶体管、隔离结构和导电结构。第一晶体管位于第一元件区内，且包含第一栅极、第一源极和第一漏极设置于化合物半导体叠层上，第二晶体管位于第二元件区内，且包含第二栅极、第二源极和第二漏极设置于化合物半导体叠层上，隔离结构设置于第一晶体管和第二晶体管之间，导电结构位于第二元件区内，贯穿化合物半导体叠层，且电连接半导体层至第二源极，其中位于第一元件区内的半导体层与第一源极之间不具有电性连接。
半导体装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN202111197161.0在审
发明人： 林鑫成;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括基底、化合物半导体叠层、盖层、栅极电极、源极电极、漏极电极以及埋藏电极及/或导电结构。基底具有主动区，化合物半导体叠层包括缓冲层、高电阻层、通道层及阻障层，依序设置于基底上，盖层设置于化合物半导体叠层上，栅极电极设置于盖层上，且沿第一方向延伸，源极电极和漏极电极设置于化合物半导体叠层上，分别位于栅极电极的两侧且沿第二方向排列，其中第一方向与第二方向垂直，埋藏电极及/或导电结构穿过化合物半导体叠层，围绕或置于主动区内，并且具有固定电位或接地。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子移动率晶体管-CN201810026948.2有效
发明人： 林鑫成;林信志;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子移动率晶体管，包括：缓冲层位于基板上；临界电压调整层位于缓冲层上；通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与临界电压调整层的介面；能带调整层，位于临界电压调整层上；第一增强层，顺应性地覆盖于临界电压调整层及能带调整层上；栅极电极，位于第一增强层上；及源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧，穿过临界电压调整层及第一增强层，设于缓冲层上；其中临界电压调整层与第一增强层为三五族半导体。
电子移动晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110070443.8在审
发明人：杜杨;林鑫成;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、闸极场板、源极电极、至少一第一场板及第二场板；闸极场板设置于半导体阻障层上；源极电极设置于闸极场板的一侧，而第一场板设置于闸极场板的另一侧且侧向分离于闸极场板；第二场板覆盖闸极场板及第一场板且电连接至源极电极，其中当以俯视观察时，第二场板的面积大于闸极场板的面积与第一场板的面积之和。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高空穴移动率晶体管-CN201710844740.7有效
发明人：陈富信;林永豪;林鑫成;林信志;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的界面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调整层，位于掺杂层上，并与栅极电极电连接；其中能带调整层为N型掺杂三五族半导体。本发明可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。
空穴移动晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201711381180.2有效
发明人：陈富信;林鑫成;林永豪;林信志 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基底、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、第三III‑V族化合物层以及第四III‑V族化合物层。基底的上方包括第一区域以及第二区域。第一III‑V族化合物层设置于第一区域内，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。第一载子通道形成于第一III‑V族化合物层以及第二III‑V族化合物层之间，第二III‑V族化合物层具有第一厚度。第三III‑V族化合物层设置于第二区域内，第四III‑V族化合物层设置于第三III‑V族化合物层上。第二载子通道形成于第四III‑V族化合物层与第三III‑V族化合物层之间，第四III‑V族化合物层具有小于第一厚度的第二厚度。本发明能够降低生产成本以及电路面积。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法-CN201710839084.1有效
发明人：邱建维;林鑫成;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法。该增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)包括基板、设置于上述基板上的第一III‑V族半导体层、设置于上述第一III‑V族半导体层上的第二III‑V族半导体层、设置于上述第二III‑V族半导体层上的第三III‑V族半导体层、自上述第三III‑V族半导体层延伸进入上述第二III‑V族半导体层及第一III‑V族半导体层中以作为隔离区的非晶(amorphous)区以及设置于上述非晶区中的栅极电极。上述第二III‑V族半导体层与第三III‑V族半导体层包括相异的材料以形成异质接合(heterojunction)。本发明可避免或降低栅极漏电以提高其效能。
增强电子迁移率晶体管及其形成方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201711201454.5有效
发明人：林文新;胡钰豪;林鑫成;吴政璁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板中，具有第一导电类型；飘移区，位于基板中，具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极区，位于本体区中，具有第二导电类型；漏极区，位于飘移区中，具有第二导电类型；隔离区，位于源极区与漏极区之间的飘移区中；栅极，位于本体区与飘移区之上；源极场板，电连接源极区；漏极场板，电连接漏极区；及第一栅极板，电连接栅极，其中第一栅极板对应设置于栅极的上方，且第一栅极板与栅极在俯视图中的形状大抵相同。本发明能够在不需增加额外金属绕线面积的情形下，降低栅极电阻，并使元件均匀导通，可缩短开关的关闭时间，减少切换耗损。
横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710803403.3有效
发明人：邱建维;林鑫成;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含设置于半导体基底上的第一氮化镓层，其中第一氮化镓层具有第一导电类型，设置于第一氮化镓层上的第二氮化镓层，其中第二氮化镓层具有第一导电类型，且第一氮化镓层的掺质浓度高于第二氮化镓层的掺质浓度，设置于第二氮化镓层上的阳极电极，设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的阴极电极，以及设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的绝缘区，其中绝缘区位于阴极电极与第二氮化镓层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202010875082.X在审
发明人： 林鑫成;周政伟;谢廷恩;黄易寒;林光明;林永丰;周政道;李棋富;陈佳麟;张舒雯 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。介电层堆叠设置于栅极电极上。介电层堆叠包含具有不同刻蚀速率的层。本申请能够提高半导体结构的整体可靠性。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202010820197.9在审
发明人： 林鑫成;陈志谚;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包含基板、位于基板上的籽晶层、位于籽晶层上的外延层、位于外延层上的电极结构以及电场变调结构。其中电极结构包含栅极结构与位于该栅极结构两侧的源极结构与漏极结构。其中电场变调结构包含电连接结构与电连接电连接结构的导电层。导电层位于栅极结构与漏极结构之间，且电连接结构电连接源极结构与漏极结构。本发明实施例所提供的半导体装置，可改变电场分布，降低栅极结构受到高电场的风险，提升半导体装置的操作稳定性与可靠度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及操作电路-CN202010786970.4在审
发明人：黄晔仁;林文新;邱俊榕;林鑫成;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及操作电路，该半导体装置，包括一基板、一晶种层、一缓冲层、一通道层、一阻障层、一栅极结构、一第一源‑漏极结构、一第二源‑漏极结构以及一第一接触件。晶种层位于基板上。缓冲层位于晶种层上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。栅极结构位于阻障层上，并具有一第一边缘以及一第二边缘。第一及第二源‑漏极结构位于栅极结构的两侧。第一接触件接触第一源‑漏极结构，并具有一第三边缘以及一第四边缘。第一、第二、第三及第四边缘彼此平行。第二及第三边缘位于第一及第四边缘之间。第二与第三边缘之间的距离约在0.5微米～30微米之间。
半导体装置操作电路

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