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[发明专利]电子装置-CN202111220196.1在审
发明人：李建兴;黄晔仁;洪力扬;邱华琦 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置，包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一阻抗器件。第一晶体管具有一第一栅极电极，并耦接于一第一电极以及一第二电极之间。第二晶体管具有一第二栅极电极、一第三电极以及一第四电极。第二栅极电极耦接第二电极。第三电极耦接一控制电极。第三晶体管具有一第三栅极电极、一第五电极以及一第六电极。第三栅极电极耦接控制电极。第五电极耦接第四电极。第六电极耦接第二电极。阻抗器件耦接于第三电极与第一栅极电极之间。本发明使静电放电事件发生时，高电子迁移率晶体管不会受到静电放电电流的影响。
电子装置

[发明专利]半导体装置及操作电路-CN202010786970.4在审
发明人： 黄晔仁;林文新;邱俊榕;林鑫成;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及操作电路，该半导体装置，包括一基板、一晶种层、一缓冲层、一通道层、一阻障层、一栅极结构、一第一源‑漏极结构、一第二源‑漏极结构以及一第一接触件。晶种层位于基板上。缓冲层位于晶种层上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。栅极结构位于阻障层上，并具有一第一边缘以及一第二边缘。第一及第二源‑漏极结构位于栅极结构的两侧。第一接触件接触第一源‑漏极结构，并具有一第三边缘以及一第四边缘。第一、第二、第三及第四边缘彼此平行。第二及第三边缘位于第一及第四边缘之间。第二与第三边缘之间的距离约在0.5微米～30微米之间。
半导体装置操作电路

[发明专利]静电放电保护装置及电路-CN202010766403.2在审
发明人：林文新;黄晔仁;邱俊榕;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护装置及电路，其中该静电放电保护装置，包括一衬底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔离区。衬底具有一P型导电性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于衬底之中。隔离区分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本发明中NPN元件的存在，当PNP元件导通时，PNP元件具有较高的维持电压，并最佳化PNP元件的导通阻抗。此外，PNP元件可承受更高的静电放电电流。
静电放电保护装置电路

[发明专利]控制电路-CN202010098557.9在审
发明人：李建兴;黄晔仁;林文新;邱俊榕;邱华琦 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种控制电路，应用于一特定器件中，特定器件具有三五族半导体材料，并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极，控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路，第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料，静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极，当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。
控制电路

[发明专利]半导体装置结构-CN201910671073.6在审
发明人：李建兴;黄晔仁;林文新;邱俊榕 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。
半导体装置结构

[发明专利]静电放电防护装置及静电放电防护电路-CN201010196416.7有效
发明人：柯明道;许哲纶;陈稳义;周业宁;黄晔仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司;国立交通大学
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电防护装置及电路，包括衬底、第一井区、第二井区、第一、第二、第三及第四扩散区、本体、第一及第二栅极。衬底具有第一导电型。第一及第二井区具有第二导电型，并形成于衬底之中。第一扩散区具有第三导电型，并形成于第一井区之中。本体具有第一导电型，并形成于衬底、第一及第二井区之中。第二扩散区具有第三导电型，并形成于本体之中。第一栅极控制第一扩散区与本体的电连接。第三扩散区具有第四导电型，并形成于本体之中。第四扩散区具有第四导电型，并形成于第二井区之中。第二栅极控制第三与第四扩散区的电连接。本发明实施例的静电放电防护装置及电路，能够防止闩锁现象的发生，避免破坏集成电路。
静电放电防护装置电路

[发明专利]静电放电防护装置-CN201010170275.1有效
发明人：周业宁;洪嘉伟;张淑铃;邱华琦;黄晔仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电防护装置，包括，一P型井区、一第一N型掺杂区、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区以及一第二N型掺杂区。第一N型掺杂区形成在P型井区之中。第一P型掺杂区形成在第一N型掺杂区之中。第二P型掺杂区具有一第一部分以及一第二部分。第二P型掺杂区的第一部分形成于第一N型掺杂区之中。第二P型掺杂区的第二部分形成于第一N型掺杂区的外侧。第二N型掺杂区形成于第一部分之中。第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区以及第二N型掺杂区构成一绝缘栅双载子晶体管。通过本发明实施例的静电放电防护装置，可以降低或避免漏电流现象。
静电放电防护装置