“林信南”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果178个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487763.7有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体器件-CN201921832026.7有效
发明人： 林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开属于一种半导体器件，属于半导体技术领域。本实用新型的半导体器件，包括：衬底、多层缓冲层构成的复合缓冲区、具有比缓冲区的带隙宽的带隙的阻挡区、盖帽区、多层绝缘层构成的复合绝缘区、源极、漏极、栅电极。本实用新型解决了现有的半导体器件漏电流大和阈值电压低问题。
一种半导体器件

[实用新型]氮化镓外延层及半导体器件-CN201921620855.9有效
发明人： 林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、纳米缓冲层、第二缓冲层、势垒层、介质层、源极、漏极和栅极。本实用新型解决了半导体器件中衬底与势垒层之间晶格失配度较大的问题。
氮化外延半导体器件

[实用新型]一种半导体器件-CN201921777090.X有效
发明人： 林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括基板；第一部分，其设置在所述基板上，所述第一部分包括HEMT结构；第二部分，其设置在所述基板上与所述第一部分横向连接，且所述第二部分与所述第一部分共面且彼此电介质绝缘，所述第二部分包括SIC MOSFET结构。本实用新型相比现有的半导体集成器件，具有更高频，更高密度的特点。
一种半导体器件

[实用新型]一种氮化镓外延层及半导体器件-CN201921606996.5有效
发明人： 林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本实用新型解决了半导体器件反向漏电大的技术问题。
一种氮化外延半导体器件

[实用新型]氮化镓外延层及半导体器件-CN201921614642.5有效
发明人： 林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氮化镓外延层、半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导通金属和场板层。本实用新型解决了缓冲层与半导体衬底界面之间存在漏电流的问题。
氮化外延半导体器件

[发明专利]双向开关晶体管-CN201610125190.9有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向开关晶体管，包括：衬底、器件层和在所述器件层上刻蚀的用于隔断所述器件层中的二维电子气的第一阻隔沟道和第二阻隔沟道，第一阻隔层上形成有第一栅极驱动层第二阻隔层上形成有与第一栅极驱动层连接的第二栅极驱动层，所述第一栅极驱动层和所述第二栅极驱动层通过与外部电源连接的第三栅极驱动层连接。本发明的双向开关晶体管，通过第一栅极驱动层、第二栅极驱动层和第三栅极驱动层作为整个晶体管的驱动电极，嵌入在器件层中，与现有技术的两个MOSFET相比，该双向开关晶体管只采用一个栅极驱动，减小了整个集成电路的尺寸，并且在反向导通模式下减少器件产生的损耗，提高器件的效率。
双向开关晶体管

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201610099349.4有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
氮化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488421.7有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488977.6有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体设备-CN201921572828.9有效
发明人： 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；多层反射板，设置在所述生长腔体的内壁上。本实用新型提出的半导体设备结构简单，设计合理，使用寿命时间长，可提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[发明专利]一种无结型场效应晶体管-CN201710059574.X有效
发明人：万文波;楼海君;肖颖;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。
一种无结型场效应晶体管

[发明专利]一种物理气相沉积设备-CN201911210758.7在审
发明人：陈卫军;刘岩军;林信南;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
一种物理沉积设备

[发明专利]一种半导体设备-CN201910894320.9在审
发明人： 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内允许形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。
半导体设备等离子体生长腔体清洗腔体内基板设置清洗腔体均匀性镀膜基板清洗

[发明专利]一种半导体设备及其使用方法-CN201910894285.0在审
发明人： 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体设备及其使用方法，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本发明的半导体设备结构简单，能提高镀膜的均匀性，本发明还提出一种半导体设备的使用方法。
过渡腔体载台半导体设备托盘抽气口过渡腔冷却板排气口体内半导体设备结构抽真空处理生长腔体相对设置均匀性破真空镀膜基板