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[发明专利]一种半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202310682543.5在审
发明人：孙博韬;张敬伟;邱艳丽;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，该制作方法包括：形成外延层，所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面内形成第一阱区以及沟槽；所述沟槽具有一垂直侧壁，所述第一阱区位于与所述垂直侧壁相邻一侧的第一表面内；基于所述沟槽，在所述沟槽所露出的外延层内形成第二阱区和源区；在所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构位于所述垂直侧壁的表面上；其中，所述第一阱区与所述栅极结构接触，用于形成第一沟道；所述第二阱区与所述栅极结构接触，用于形成第二沟道；所述源区至少包围所述沟槽栅极的底部。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202310682516.8在审
发明人：张晨;孙博韬;徐妙玲;修德琦;韩丽楠;林信南 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：相对键合固定的单晶硅晶圆和碳化硅晶圆，单晶硅晶圆与碳化硅晶圆之间具有第一绝缘层；碳化硅晶圆具有碳化硅外延层，碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一区域；单晶硅晶圆包括位于第一区域表面上的第一单晶硅区块；半导体器件包括第一MOS结构，第一MOS结构包括：位于第一区域表面内的第一源极；位于第一区域表面上的第一金属层，第一金属层与第一源极连接，且与第一单晶硅区块绝缘；位于第一区域表面上的第一栅极，第一单晶硅区块复用为第一MOS结构的第一栅极；位于碳化硅晶圆背离单晶硅晶圆一侧的第一漏极。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202310565977.7在审
发明人：邱艳丽;孙博韬;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，该SiC MOSFET器件通过在漂移区形成多个间隔排布的反型注入区，使任相邻两个反型注入区和介于该相邻两个反型注入区之间的漂移区构成JFET区，即JFET区向衬底方向延伸，从而使最大电场位置远离器件表面而向漂移区内部转移，还使得最大电场位置和最大电流密度集中的沟道区域相分离，且漂移区电流密度分布更加均匀，因此，器件在短路后的热点不再集中于沟道附近的器件表面，而是更靠近衬底，且更均匀地分布在漂移区，以减少栅氧化层和栅极金属熔化的失效概率，延迟热逃逸发生时间，降低热点温度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受时间。
一种 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]无结纳米线场效应晶体管及其制造方法-CN202080006544.2有效
发明人：李龙飞;刘保良;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。
纳米场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]氮化镓半导体功率器件及其制备方法-CN202010532296.7有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体功率器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体功率器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现功率器件的漏电以及击穿的问题，增强了功率器件的可靠性。
氮化半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其应用与制造方法-CN202111423731.3有效
发明人： 林信南;石黎梦 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述势垒层上，且所述栅极环绕所述漏极设置；以及源极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触，所述源极位于所述栅极的外侧。通过本发明提供的一种半导体器件，可提高所述半导体器件的性能。
一种半导体器件及其应用制造方法

[发明专利]提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法-CN202210669957.X在审
发明人： 林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法，包括确定SiC MOSFET的驱动信号的理论值，然后根据所述理论值确定SiC MOSFET的栅信号的工作幅值，也就是设置高电位值和低电位值，其中，所述低电位值设置为小于‑5V，根据所述栅信号的工作幅值确定SiC MOSFET的实际驱动信号连接在电路中，从器件的实际的高频应用着手，对器件的驱动信号进行调整和改良，使其在实现基本功能的前提下，增强抗总剂量辐射能力。通过这种施加正负栅压的方式，对辐射感生的载流子的输运进行调控，利用这种调控作用，使得氧化层界面处的缺陷难以俘获辐射产生的正电荷，调控了器件感生载流子产生复合比例，从而减小界面陷阱电荷的产生，达到减小阈值电压的退化，提高SiC MOSFET器件的抗辐照性能的效果。
提高 sic mosfet 辐射能力方法

[发明专利]一种场效应晶体管单脉冲雪崩能量检测系统和方法-CN202210174248.4在审
发明人： 林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开一种场效应晶体管单脉冲雪崩能量检测系统和方法，包括直流电源、测试电路、信号采集装置、信号发生器和雪崩能量获取装置。直流电源用于提供直流电源，测试电路用于与待检测的场效应晶体管进行连接，信号发生器用于向场效应晶体管的栅极发送方波信号，信号采集装置用于获取场效应晶体管的电压变化曲线图和电流变化曲线图，雪崩能量获取装置用于依据电压和电流变化曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量。该系统和方法适用于任意碳化硅垂直双扩散型器件，可以快速得到用于雪崩能量测试的电压变化曲线图和电流变化曲线图，在曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量参数时不需要根据器件的不同而设置不同的参数，具有一定的通用性。
一种场效应晶体管脉冲雪崩能量检测系统方法

[发明专利]一种数据传输方法、系统及介质-CN202210074247.2在审
发明人：李大刚;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04L45/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种数据传输方法、系统及介质，所述方法包括以下步骤：在远程零拷贝的过程中调用二层多路径，以获得可用的多路径信息；选用合适的一条或多条路径对数据进行分组和传输。相对于现有技术，本发明实现了在数据传输过程中提供更高的传输带宽，提高了网络利用效率，提高了数据传输速度。
一种数据传输方法系统介质

[发明专利]基于二层多路径流控的数据传输方法、系统及介质-CN202210095713.5在审
发明人：李大刚;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04L47/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二层多路径流控的数据传输方法、系统及介质，该方法包括：在发送设备和接收设备之间存在多条路径时，接收设备通过被选中的可用路径向发送设备报告可用路径上的可接收数据限额；发送设备根据情况选择一条或多条路径，并发送被选中的可用路径上数据限额以内的数据；接收设备收到部分数据后，向发送设备确认已接收数据量，并确认被选中的可用路径上新的可接收数据限额；发送设备收到被选中的可用路径上新的可接收数据限额后，释放这条路径上相应大小的限额，并再次进行路径选择并发送数据，直至所有数据发送完毕。本发明通过控制和协调远程零拷贝任务在多条路径上的传输速率实现了无丢包的数据传输和网络带宽的最大化应用。
基于二层多路径数据传输方法系统介质

[发明专利]MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置-CN202080005984.6有效
发明人： 林信南;熊树豪 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
mis hemt 器件界面分析方法装置

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN201811466155.9有效
发明人： 林信南;黄樟伟 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。
一种碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种晶体管及其制作方法-CN201811473699.8有效
发明人： 林信南;邝文腾 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。
一种晶体管及其制作方法

[实用新型]一种半导体器件及其应用-CN202122963183.5有效
发明人： 林信南;石黎梦 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其应用，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；源极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述势垒层上，且位于所述源极和所述漏极之间；以及钝化层，设置在所述势垒层上，且位于所述栅极与所述势垒层之间；氧化层，设置在所述钝化层上，且位于所述栅极与所述钝化层之间。通过本发明提供的一种半导体器件，可提高阈值电压的稳定性。
一种半导体器件及其应用

[发明专利]负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法-CN202080044170.3在审
发明人：李龙飞;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法，包括无结纳米线(10)，源区(12)的外表面覆盖有源电极层(32)，其中，源电极层(32)和源区(12)的部分表面之间有源电介质层(22)；漏区(13)的外表面覆盖有漏电极层(33)，其中，漏电极层(33)和漏区(13)部分表面之间有漏电介质层(23)；环沟道区(11)的外周表面依次覆盖具有栅电介质层(21)、铁电材料层(50)以及栅电极层(31)。由于基于铁电材料的无结晶体管的负电容特性，当器件工作在积累区的时候，使得器件的驱动电流更大，提高了器件的开启速度；当器件工作在耗尽区时，使得器件的亚阈值斜率和泄漏电流减小，器件的功耗减小，极大地提高了器件的电学性能。
电容纳米场效应晶体管及其制造方法

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