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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202011089427.5在审
发明人：陈孟谷;张家敖;赵晟博;郑培仁;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开一种改进的虚设栅极及其形成方法。在一实施例中，其方法包括：在沟槽中沉积第一材料，其中沟槽设置在第一鳍片与第二鳍片之间；蚀刻第一材料以露出沟槽的侧壁的上方部分；以及在第一材料之上沉积第二材料，而第二材料并未沉积在所露出的沟槽的侧壁的上方部分之上。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]FINFET器件和方法-CN202010883722.1在审
发明人：刘书豪;陈国儒;李凯璇;翁翊轩;杨正宇;陈亮吟;张惠政;杨育佳;章勋明;周孟翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。
finfet 器件方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010397989.X在审
发明人：刘书豪;陈文彦;陈资宪;宋承融;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括形成栅极堆叠于一第一半导体区上；移除栅极堆叠的一侧上的第一半导体区的第二部分，以形成凹陷；自凹陷开始成长第二半导体区；以杂质布植第二半导体区；以及在第二半导体区上进行熔融激光退火。在熔融激光退火时熔融第二半导体区的第一部分，而不熔融第二半导体区的第一部分的两侧上的第二半导体区的第二部分与第三部分。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710702826.6有效
发明人：张家文;林宏年;李建兴;张智胜;叶凌彦;威尔曼·蔡;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710906480.1有效
发明人：萧孟轩;杨育佳;李东颖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成第一牺牲层。图案化第一牺牲层，从而形成开口。在开口的底部中的隔离绝缘层上和图案化的第一牺牲层的至少侧面上形成第一衬垫层。在形成第一衬垫层之后，在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的第一牺牲层，从而在源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201810042820.5有效
发明人：余德伟;陈建豪;方子韦;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在多个条上沉积硅层。回蚀刻硅层以去除硅层的顶部，以及暴露多个条的一些部分。在回蚀刻之后，位于沟槽的底部处的硅层的一些底部保留。从硅层的剩余部分选择性生长锗层，并且在选择性生长锗层之后，多个条的暴露部分保持暴露。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体结构和形成半导体器件的方法-CN201710950405.5有效
发明人：江宏礼;黄思维;魏焕昇;何炯煦;叶致锴;谢文兴;吴忠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体结构包括与多个第二半导体层交错的多个第一半导体层。第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组分。在最上第一半导体层上方形成伪栅极堆叠件。实施第一蚀刻工艺以去除未设置在伪栅极堆叠件下面的第二半导体层的部分，从而形成多个空隙。第一蚀刻工艺在第一半导体层和第二半导体层之间具有蚀刻选择性。之后，实施第二蚀刻工艺以扩大空隙。本发明的实施例还涉及用于全环栅半导体结构的阈值电压调整。
半导体结构形成半导体器件方法

[发明专利]具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管-CN201710031102.3有效
发明人：叶凌彦;杨育佳;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例描述了具有2D材料层有源区的示例性FET器件及其制造方法。例如，黑磷有源区具有在沟道区中的第一厚度和在源极/漏极(S/D)区中的更大的第二厚度。在S/D区中的BP具有侧壁，该侧壁接触设置在FET上方的接触件。栅电极设置在沟道区上方。在一些实施例中，侧壁具有钝化的边缘。在一些实施例中，侧壁是非线性的。在一些实施例中，应力层设置在2D材料层上方。本发明实施例涉及具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管。
具有材料有源接触场效应晶体管

[发明专利]半导体器件以及形成场效应晶体管的方法-CN201610916200.0有效
发明人： 杨育佳;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;叶凌彦;孙元成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括具有第一半导体材料的鳍。鳍包括源极/漏极(S/D)区域和沟道区域。S/D区域提供顶面和两个侧壁表面。S/D区域的宽度小于沟道区域的宽度。半导体器件还包括在S/D区域上方且具有掺杂的第二半导体材料的半导体膜。半导体膜提供分别地基本上平行于S/D区域的顶面和两个侧壁表面的顶面和两个侧壁表面。半导体器件还包括半导体膜的顶面和两个侧壁表面上方的且用于与S/D区域电通信的金属接触件。本发明的实施例还涉及形成场效应晶体管的方法。
半导体器件以及形成场效应晶体管方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201710906158.9有效
发明人：李东颖;方子韦;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在形成FinFET的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成第一牺牲层。使第一牺牲层凹进，使得在隔离绝缘层上形成第一牺牲层的剩余层并且暴露源极/漏极结构的上部。在剩余层和暴露的源极/漏极结构上形成第二牺牲层。图案化第二牺牲层和剩余层，从而形成开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的第一牺牲层和图案化的第二牺牲层以在源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201710600282.2有效
发明人：徐志安;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件，并且形成间隔件层。间隔件层包括位于伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分、和位于半导体鳍的一部分的顶面和侧壁上的第二部分。方法还包括在间隔件层上执行注入。在注入之后，执行退火。退火之后，蚀刻间隔件层的第二部分，其中，在蚀刻之后，保留间隔件层的第一部分。在半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。
形成半导体器件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN201910841898.8在审
发明人：林哲宇;李健玮;陈建鸿;萧文助;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极结构；在鳍中并且与栅极结构相邻形成凹槽；执行湿法蚀刻工艺以清洁凹槽；利用等离子体工艺来处理凹槽；以及在等离子体工艺和湿法蚀刻工艺之后执行干法蚀刻工艺以清洁凹槽。
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN201610907176.4有效
发明人：吴政宪;叶致锴;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和在衬底上方形成的堆叠的引线结构。半导体器件结构还包括在堆叠的引线结构的中间部分上方形成的栅极结构和在堆叠的引线结构的两个相对侧处形成的源极/漏极(S/D)结构。S/D结构包括顶面、侧壁表面以及在顶面和侧壁表面之间的圆形拐角。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710456366.3有效
发明人：李东颖;叶致锴;叶震亚;邱远鸿;刘继文;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。牺牲薄膜用于图案化对半导体结构的接触件，例如对晶体管的源极/漏极区的接触件。接触件可以包括沿平行于栅电极的轴线的锥形轮廓，以使在接触件远离源极/漏极区延伸时接触件的最外侧宽度减小。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]FinFET器件及其形成方法-CN201910921846.1在审
发明人：李健玮;林哲宇;宋学昌;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及FinFET器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上方形成鳍，与鳍相邻形成隔离区域，在鳍上方形成虚设栅极结构，以及使用第一蚀刻工艺凹陷与虚设栅极结构相邻的鳍以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽上执行等离子体清洁工艺，等离子体清洁工艺包括将衬底放置在保持器上，该保持器被设置在工艺腔室中，将保持器加热到300℃至1000℃的工艺温度，将氢气引入被连接至工艺腔室的等离子体生成腔室中，点燃等离子体生成腔室内的等离子体以形成氢自由基，并将凹槽的表面暴露于氢自由基。该方法还包括在第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。
finfet 器件及其形成方法

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