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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管源极/漏极区及其形成方法-CN202210180856.6在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管源极/漏极区及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；源极/漏极区，邻接第一纳米结构的第一沟道区，源极/漏极区包括：主层；以及位于主层与第一纳米结构之间的第一衬里层，第一衬里层的碳浓度大于主层的碳浓度；源极/漏极区上的层间电介质；以及延伸穿过层间电介质的接触件，该接触件连接到主层，该接触件与第一衬里层间隔开。
晶体管漏极区及其形成方法

[发明专利]半导体器件的散热和制造方法-CN202210277567.8在审
发明人：蔡承峯;朱政屹;许志成;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的后侧上，所述后侧互连结构包括后侧导电线，所述后侧导电线具有的线宽大于所述前侧导电线的线宽；以及第一散热衬底，耦合到所述后侧互连结构。
半导体器件散热制造方法

[发明专利]半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法-CN202210340809.3在审
发明人：刘威民;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构，位于半导体衬底之上；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上；栅极结构，围绕第一纳米结构和第二纳米结构；第一外延区域，位于半导体衬底中并与栅极结构相邻，其中，第一外延区域是第一掺杂半导体材料；以及第二外延区域，位于第一外延区域之上，其中，第二外延区域与第一纳米结构和第二纳米结构相邻，其中，第二外延区域是不同于第一掺杂半导体材料的第二掺杂半导体材料。在一个实施例中，第一掺杂半导体材料具有比第二掺杂半导体材料更小的掺杂浓度。
半导体器件区域及其形成方法

[发明专利]晶体管隔离区域及其形成方法-CN202210358669.2在审
发明人：何柏慷;黄才育;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一半导体鳍；从衬底延伸的第二半导体鳍；混合鳍，位于衬底之上，第二半导体鳍被设置在第一半导体鳍和混合鳍之间；第一隔离区域，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间；以及第二隔离区域，位于第二半导体鳍和混合鳍之间，第二隔离区域的顶表面被设置得比第一隔离区域的顶表面更远离衬底。
晶体管隔离区域及其形成方法

[发明专利]晶体管隔离区域及其形成方法-CN202210361339.9在审
发明人：陈思颖;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开了晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种方法包括：在衬底中蚀刻沟槽；利用原子层沉积工艺在沟槽中沉积衬里材料；利用轮廓形成可流动化学气相沉积工艺在衬里材料上并且沟槽中沉积可流动材料；将衬里材料和可流动材料转化为固体绝缘材料，沟槽的一部分保持未被固体绝缘材料填充；以及在沟槽的未被固体绝缘材料填充的该部分中形成混合鳍。
晶体管隔离区域及其形成方法

[发明专利]背面源极/漏极接触件及其形成方法-CN202210137928.9在审
发明人：吕惟皓;舒丽丽;郭建亿;杨育佳;李威养;黄禹轩;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及背面源极/漏极接触件及其形成方法。一种半导体器件包括：器件层，该器件层包括：沟道区域；栅极堆叠，位于沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁之上并且沿着沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁；以及外延源极/漏极区域，与沟道区域相邻，其中，外延源极/漏极区域延伸穿过第一绝缘鳍。该半导体器件还包括：正面互连结构，位于器件层的第一侧上；以及背面互连结构，位于器件层的第二侧上，该器件层的第二侧与器件层的第一侧相对。背面互连结构包括与外延源极/漏极区域电连接的背面源极/漏极接触件。
背面接触及其形成方法

[发明专利]晶圆粘合系统与形成半导体装置的方法-CN202210232217.X在审
发明人：张傑;蔡承峯;邓运桢;陈翰德;许志成;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆粘合系统与形成半导体装置的方法，形成一半导体装置的方法包括将一底部晶圆安装在一底部夹盘上且将一顶部晶圆安装在一顶部夹盘上，其中该底部夹盘及该顶部夹盘中的一者具有一垫圈。使该顶部夹盘朝着该底部夹盘移动。该垫圈形成处于该底部夹盘与该顶部夹盘之间的围绕该顶部晶圆及该底部晶圆的一密封区域。调整该密封区域中的一环境压力。将该顶部晶圆粘合至该底部晶圆。
粘合系统形成半导体装置方法

[发明专利]半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法-CN202210395063.6在审
发明人：林育樟;陈亮吟;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成凹陷。半导体材料被淀积在凹陷中。在半导体材料上执行植入工艺。植入工艺包括将第一植入物植入到半导体材料中并且将第二植入物植入到半导体材料中。第一植入物具有第一植入能量。第二植入物具有与第一植入能量不同的第二植入能量。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202210346236.5在审
发明人：张惠政;许志成;蔡承峯;邓运桢;陈翰德;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，本揭露使用脉冲激光或炉管的退火结合离子布植，在形成半导体装置和包括与之相同的半导体装置中切割基板。在一些实施例中，此方法包括在第一半导体基板上形成装置的晶体管结构；在晶体管结构的正面形成正面互连结构；将载体基板接合到正面互连结构；将离子植入到第一半导体基板以形成第一半导体基板的布植区域；以及移除第一半导体基板。移除第一半导体基板包括施加退火制程将布植区域与第一半导体基板的剩余区域分离。此方法还包括在晶体管结构的背面形成背面互连结构。
形成半导体装置方法

[发明专利]具有垂直结构的2-D材料晶体管-CN201710950065.6有效
发明人：让-皮埃尔·科林格;吴忠政;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;后藤贤一;郭大鹏;杨育佳;吴志强;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了包括二维(2‑D)材料的半导体结构及其制造方法。通过在诸如鳍式场效应晶体管(FET)的晶体管栅极构架中采用2‑D材料，本发明的半导体结构包括垂直栅极结构并且包含2‑D材料，诸如石墨烯、过渡金属二硫属化物(TMD)或磷烯。本发明的实施例还涉及具有垂直结构的2‑D材料晶体管。
具有垂直结构材料晶体管

[发明专利]纳米结构场效晶体管与其形成的方法-CN202110749302.9在审
发明人：林衍廷;李彦儒;苏建彰;金志昀;李健玮;蔡邦彦;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种纳米结构场效晶体管与其形成的方法，纳米结构场效晶体管包括具有鳍部的基材、隔离区域在基材上并沿鳍部的相异侧、纳米结构在鳍部上、磊晶源极/漏极区相邻于纳米结构、及栅极电极在纳米结构上。磊晶源极/漏极区包括第一半导体材料部分，每个第一半导体材料部分接触至少一个纳米结构的端点，第一半导体材料部分彼此隔开，第一半导体材料部分具有第一掺杂浓度的第一导电型掺杂剂。磊晶源极/漏极区包括第二半导体材料层，第二半导体材料层具有第二掺杂浓度的第一导电型掺杂剂，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度，第二半导体材料层包括覆盖每个第一半导体材料部分的单层。
纳米结构晶体管与其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210287067.2在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：此处说明半导体装置与其制作方法。方法包括图案化鳍状物于多层堆叠中，并形成开口于鳍状物中，以作为形成源极/漏极区的初始步骤。开口形成至其状物的寄生通道区中。一旦形成开口，可外延成长第一半导体材料于开口底部，且第一半导体材料的高度高于寄生通道区的顶部。自第一半导体材料的顶部外延成长第二半导体材料，并填入及/或超填开口。第二半导体材料的掺杂不同于第一半导体材料的掺杂。移除多层堆叠的多个牺牲层，以形成纳米结构的堆叠，且第二半导体材料电性耦接至纳米结构。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110923786.4在审
发明人：陈孟谷;蔡济印;游政卫;白易芳;郑培仁;杨育佳;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法，包括：形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍。半导体鳍与半导体条重叠，并且半导体条接触隔离区域。该方法还包括：在半导体鳍的第一部分的侧壁和顶表面上形成栅极堆叠；以及蚀刻半导体鳍和半导体条以形成沟槽。沟槽具有在半导体鳍中的上部和在半导体条中的下部。在沟槽的下部中生长半导体区域。用于生长半导体区域的工艺气体不具有含n型掺杂剂气体和含p型掺杂剂气体两者。在沟槽的上部中生长源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域包括p型或n型掺杂剂。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]处理系统、半导体元件及其制造方法-CN202210397631.6在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种处理系统、半导体元件及其制造方法，方法包括在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除至少一些第二元素。
处理系统半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210331109.8在审
发明人：刘威民;宋学昌;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一装置区和第二装置区。第一装置区包括从基板延伸的第一源极/漏极区以及第一及第二对间隔物。第一源极/漏极区延伸于第一对间隔物及第二对间隔物之间。第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度。第二装置区包括从基板延伸的第二及第三源极/漏极区以及第三及第四对间隔物。第三源极/漏极区与第二源极/漏极区间隔开。第二源极/漏极区延伸于第三对间隔物之间。第三源极/漏极区延伸于第四对间隔物之间。第三对间隔物及第四对间隔物具有大于第一高度的第二高度。
半导体装置

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